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基于MATLAB的2×2光纤定向耦合器设计.doc

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基于MATLAB的2×2光纤定向耦合器设计 1 设计原理 1.1 单模光纤的传导场 如图1,光纤的横截面有三层介质,分别是是芯层、包层和涂层,芯层折射率稍大于包层折射率,导波光由于全反射背包层约束在芯层中沿光纤延伸方向传播。假设光的传播方向为光纤中心轴方向。 图1 阶跃光纤横截面结构图   为简化讨论,只考虑基模的耦合。已知光纤中传导场表达式为 (1-1) 其中,为光纤中导波光场的场振幅,为光纤中导波光场的场分布,为基模场的传播常数,为角频率。 某时刻在光纤中的传导场的空间分布就与,和为相关。 1.1.1 单模光纤的场分布 当给定波导(即光纤)的边界条件时,求解波导场方程可得本征解及相应的本征值,即模式。模式是波导结构的固有电磁共振属性的表征。单模光纤中只能存在基模,其场分布是确定的,可由亥姆霍兹方程求得。在弱导光纤中的电磁波,其横向场分量Et、Ht远大于纵向场分量Ez、Hz ,而且横向场分量是线偏振的。于是我们把电场的横向分量取为y轴方向,即Et=Ey。 亥姆霍兹方程为 (1-2) 其中,为真空中的光波矢量。   利用分离变量法,将方程1-2在圆柱坐标系中求解,并结合电磁场的边界条件,可以解出电场的横向分量Ey: (1-3) 其中,r是点到光纤中心轴的距离,m是整数,Jm和Km分别是m阶贝塞尔函数和m阶变态汉克尔函数;a是光纤芯层半径,一般单模光纤的a=2~5μm。?是极角。 横向磁场只包含Hx分量,由于横向电场与横向磁场的比等于波阻抗Z0=122,故可由Ey计算出Hx: (1-4)   再由麦克斯韦方程组可求出场的纵向分量Ez、Hz: (1-5) (1-6) 1.1.2 单模光纤的传播常数 由于在无耦合的情况下,光纤中导波光场的场振幅。故当某时刻t的场分布只同传播常数有关系。 由式1-3可以得出光纤的本征方程本征方程,即r =0连续。 (1-7) 同理,由横向磁场的连续性同样可以得出本征方程: (1-8) 由于特征方程是超越方程,只能靠计算机数值求解U(或W)。 其中U与W定义为 (1-9) (1-10) U与W是场的横向传播常数,U反映了导模在芯区中的驻波场的横向振荡频率,W值反映了导模在包层中的消逝场的衰减速度。W越大衰减越快。 式1-6、1-7与β相联系,因此本征方程实际是关于β的一个超越方程。对于不同的U值,可求得相应的β值。由于贝塞尔函数及其导数具有周期振荡性质,所以本征值方程可以有多个不同的解βmn(m=0,1,2,3..., n=1,2,3...),每一个βmn都对应于一个导模。单模光纤的本征值为β01 。   光纤的结构参数可由其归一化频率V表征: (1-11) 其中,其中相对折射率差,n1、n2(n1n2)分别是芯层和包层的折射率,在阶跃折射率光纤中均为常数。实际的光纤的?很小,一般小于1%,因此也称之为弱导光纤。 归一化频率V描述了光纤的结构参数a,?,n1以及工作波长(包含在k0中),是一个重要的综合性参数。V值越大,允许存在的导模数就越多。除了基模之外,其他导模都可能在某一个V值以下截止,这时导模转化为辐射模。当某一模式截止时,它就不能沿光纤传输了。   当W2 0时,对于导波模,场在纤芯外是指数衰减的;当W2 0时,W为虚数,场在纤芯外不再衰减了,也就不被约束在芯层中传播了,这种波叫做辐射波。而W2 =0正好是临界状态,以此作为导波模被截止的条件,此时的W记做Wc,相应的U和V值记做Uc和Vc,并称Vc为归一化截止频率。 截止条件(W=0)下,特征方程可以简化为 (1-12) 对于m=0,n=1时,截止时由1-9式得Vc=Uc=0,说明这种模式永不截止,是光纤中的最低阶模,也称基模。第二个归一化截止频率较低的模式是当m=1,n=1时,称为二阶模,其归一化截止频率Vc=Uc=2.40483。当光纤中只有基模工作而其他模式均被截止时,就称为单模光纤。要保证单模传输,必须要求光纤的归一化频率小于二阶模LP11的截止 频率Vc,即让二阶模截止: (1-13) 此即单模传输条件。 1.1.3 LPmn模的功率密度以及功率   平均坡印廷矢量Sav的大小就代表功率密度,可由以及场解1-3~1-6式,可以计算出光纤横截面上的功率密度(Sav)近似为: (1-14) 平均坡印廷矢量对横截面积分便得到光纤中的功率P: (1-15) 令P=1 (归一化功率)

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