基于MATLAB的2×2光纤定向耦合器设计.doc

基于MATLAB的2×2光纤定向耦合器设计 1　设计原理 1.1 单模光纤的传导场 如图1，光纤的横截面有三层介质，分别是是芯层、包层和涂层，芯层折射率稍大于包层折射率，导波光由于全反射背包层约束在芯层中沿光纤延伸方向传播。假设光的传播方向为光纤中心轴方向。 图1 阶跃光纤横截面结构图 　　为简化讨论，只考虑基模的耦合。已知光纤中传导场表达式为 （1-1） 其中，为光纤中导波光场的场振幅，为光纤中导波光场的场分布，为基模场的传播常数，为角频率。 某时刻在光纤中的传导场的空间分布就与，和为相关。 1.1.1 单模光纤的场分布 当给定波导（即光纤）的边界条件时，求解波导场方程可得本征解及相应的本征值，即模式。模式是波导结构的固有电磁共振属性的表征。单模光纤中只能存在基模，其场分布是确定的，可由亥姆霍兹方程求得。在弱导光纤中的电磁波，其横向场分量Et、Ht远大于纵向场分量Ez、Hz ，而且横向场分量是线偏振的。于是我们把电场的横向分量取为y轴方向，即Et=Ey。 亥姆霍兹方程为 （1-2） 其中，为真空中的光波矢量。 　　利用分离变量法，将方程1-2在圆柱坐标系中求解，并结合电磁场的边界条件，可以解出电场的横向分量Ey： （1-3） 其中，r是点到光纤中心轴的距离，m是整数，Jm和Km分别是m阶贝塞尔函数和m阶变态汉克尔函数；a是光纤芯层半径，一般单模光纤的a=2~5μm。?是极角。 横向磁场只包含Hx分量，由于横向电场与横向磁场的比等于波阻抗Z0=122，故可由Ey计算出Hx： （1-4） 　　再由麦克斯韦方程组可求出场的纵向分量Ez、Hz： （1-5） （1-6） 1.1.2 单模光纤的传播常数 由于在无耦合的情况下，光纤中导波光场的场振幅。故当某时刻t的场分布只同传播常数有关系。 由式1-3可以得出光纤的本征方程本征方程，即r =0连续。 （1-7） 同理，由横向磁场的连续性同样可以得出本征方程: （1-8） 由于特征方程是超越方程，只能靠计算机数值求解U(或W)。 其中U与W定义为 （1-9） （1-10） U与W是场的横向传播常数，U反映了导模在芯区中的驻波场的横向振荡频率，W值反映了导模在包层中的消逝场的衰减速度。W越大衰减越快。 式1-6、1-7与β相联系，因此本征方程实际是关于β的一个超越方程。对于不同的U值，可求得相应的β值。由于贝塞尔函数及其导数具有周期振荡性质，所以本征值方程可以有多个不同的解βmn(m=0,1,2,3..., n=1,2,3...),每一个βmn都对应于一个导模。单模光纤的本征值为β01 。 　　光纤的结构参数可由其归一化频率V表征： （1-11） 其中，其中相对折射率差，n1、n2（n1n2）分别是芯层和包层的折射率，在阶跃折射率光纤中均为常数。实际的光纤的?很小，一般小于1%，因此也称之为弱导光纤。 归一化频率V描述了光纤的结构参数a，?，n1以及工作波长（包含在k0中），是一个重要的综合性参数。V值越大，允许存在的导模数就越多。除了基模之外，其他导模都可能在某一个V值以下截止，这时导模转化为辐射模。当某一模式截止时，它就不能沿光纤传输了。 　　当W2 0时，对于导波模，场在纤芯外是指数衰减的；当W2 0时，W为虚数，场在纤芯外不再衰减了，也就不被约束在芯层中传播了，这种波叫做辐射波。而W2 =0正好是临界状态，以此作为导波模被截止的条件，此时的W记做Wc，相应的U和V值记做Uc和Vc，并称Vc为归一化截止频率。 截止条件(W=0)下，特征方程可以简化为 （1-12） 对于m=0，n=1时，截止时由1-9式得Vc=Uc=0，说明这种模式永不截止，是光纤中的最低阶模，也称基模。第二个归一化截止频率较低的模式是当m=1，n=1时，称为二阶模，其归一化截止频率Vc=Uc=2.40483。当光纤中只有基模工作而其他模式均被截止时，就称为单模光纤。要保证单模传输，必须要求光纤的归一化频率小于二阶模LP11的截止 频率Vc，即让二阶模截止： （1-13） 此即单模传输条件。 1.1.3　LPmn模的功率密度以及功率 　　平均坡印廷矢量Sav的大小就代表功率密度，可由以及场解1-3~1-6式，可以计算出光纤横截面上的功率密度(Sav)近似为： （1-14） 平均坡印廷矢量对横截面积分便得到光纤中的功率P： （1-15） 令P=1 (归一化功率)