离子注入SiC的射程分布及损伤的研究-凝聚态物理专业论文.docxVIP

摘 摘 要 离子注入是制作半导体器件和集成电路的重要方法之一。由于离子注 入技术在掺杂、绝缘隔离层的形成、超品格界面等方面的特殊用途，已经 被广泛应用于对III—V族化合物半导体材料的研究和各种光电器件的制 备工艺。对于Si而言，离子注入技术已相当成熟，但对于SiC，则仍然是 需要进一步研究的课题。虽然对离子注入SiC晶体方面的研究工作已经有 许多报道，但对稀土族元素离子注入SiC晶体的研究工作开展较少。 本文利用卢瑟福背散射／沟道技术(RBS／C)对稀土族元素铒离子和钕离 子注入SiC晶体和si晶体中的射程分布和损伤分布及退火行为进行了较为 系统的研究。实验得到的结果与理论得到的结果进行了比较，对它们的符 合程度作了比较和分析。主要包括以下几个方面的内容： 在第二章和第三章中，我们简要介绍了SiC晶体的结构、特性以及半 导体工艺中的常用掺杂方法一一热扩散和离子注入的特点及基本原理，还 介绍了本论文的主要实验方法一一卢瑟福背散射／沟道技术(RBS／C)的实 验设备及基本分析原理。 在第四章中，我们报道了利用卢瑟福背敏射技术(RBS)得到的 400keV 5X10”ions／cm2 Er+和Nd+离子注入6H．SiC晶体中的射程分布。 用表面能量近似法计算出平均投影射程和射程离散的实验值和TRIM，98 得到的理论值进行了比较，结果表明实验得到的平均投影射程和射程离散 与TRIM’98计算的理论值较好的符合。还介绍了用卢瑟福背散射技术和 Seijiro Furukawa等人提出的实验原理得到的400 keV．5×1015 ions／cm 2Er+ 和Nd+离子注入6H—SiC晶体中的横向射程离散，计算得到的实验值和 TRIM’98得到的理论值进行了比较，实验测出的横向射程离散与TRIM，98 计算的理论值较好的符合。 我们还用卢瑟福背散射技术研究了400keV．5×10”ions／cm2 Er+和Nd+ 山东太学硕士学位论文离子注入si晶体的平均投影射程和射程离散以及横向射程离散，测量结果 山东太学硕士学位论文 离子注入si晶体的平均投影射程和射程离散以及横向射程离散，测量结果 与Er+和Nd+离子注入6H—SiC晶体的结果进行了比较，得出了它们具有相 似特点的结论。 第五章我们报道了利用卢瑟福背散射，沟道技术(RBS／C)．采用多重散射 模型得到的400keV。5×1015ions／cm 2的Er+和Nd+离子注入6H．SiC晶体以 及Er+离子注入Si晶体产生的损伤分布情况。测量结果表明，Er+和Nd+离 子注入6H—SiC晶体和Si晶体产生的损伤的范围较大，大大超出注入离予到 达的位置，这可能是级联碰撞引起样品原子的二次移位产生的。 还介绍了用卢瑟福背散射／沟道技术研究的400keV．5×10”ions／cm2的 Er+离子注入6H．SiC晶体以及si晶体以100012先后在氧气和氮气气氛下 的退火行为。实验结果表明，100012的退火使注入离子后的6H．SiC晶体的 损伤得到少部分恢复，但效果不显著。而si晶体则发生了显著的变化．经 过1000℃退火后，Si表面附近的晶格损伤已经基本恢复。损伤区向更深 处迁移，但损伤程度大为降低；o原子通过热扩散进入Si晶体较深位置； 1000℃热退火使少部分Er原子向样品表面处外扩散，但由于通过热扩散 进入Si晶体的O原子深度较深和Er离子对氧的亲和性，造成了大郝分Er 原予向更深处扩散。由此我们认为，加氧注入可以阻止高温退火时Er原子 从Sic的外扩散。 关键词：离子注入i卢瑟福背散射／沟道技术：射程分稚 损伤分布；退火行为 ．生奎盔竺堡主兰焦笙苎——ABSTRACT ．生奎盔竺堡主兰焦笙苎—— ABSTRACT Ion—implantation is one of the important technologies of making semiconductor devices and integrated circuits．It is well established aS a useful method for the modification ofAraBy compounds and for the processing ofoptoelectronic devices．It haS been developed very well in silicon(Si)processes，but there is still some work to be done for silicon carbide(SiC)crystal．In the paSt,many papers appeared conceming ion implantation induced damag