电场作用下少子复合率新模型及相关器件的研究.pdfVIP

第帝文献综述 器件结构尺、』和杂质分布的没计后，通过数值技术列器件的性能做出定量预计 给出器件内部电位、电场强度、载流子浓度等物理量的分布图象，进而求出相应 的端特性。，琶无疑叫，器件模拟工具的出现和发展使得设计工作者在减少研制费 用、缩短设计周期的同时，又获得更好的器件设计t方案，目．可以为器件设计提供 更深层次的信息，为集成电路采用新技术、新工艺和提高成品率提供更深层次的 物理依据。 可以用下面所示方框图米表示器件模拟的作用。随着器件模拟软件的不断成 熟和商品化，它同时也成为器件物理、电路特性研究和优化设计的重要工具。 物理鼙在器 结构及掺杂 俐。内的分布 器什Jt寸 器件模拟器 端口电学特 端口偏置 性 翻1—1器件模拟的功能方框图 为了进行电路模拟，必须先建立电路各元器件的模型，也就是对于电路模拟 程序所支持的各种冗器件，在模拟程序中必须有相应的数学模型来描述它们，即 能用汁算机进行运算的计算公式来表达它们。 个理想的兀器件模型，应该既能正确反映元器件的电学特性又适宜于在计 算机上进行数值求解。一般来讲，元器件模型的精度越高，模型本身就越复杂 所要求的模型参数个数也越多；这时计算时所占内存量增大，并导致计算时间的 增加。反之，如果模型过于相糙，会导致分析结果的不可靠。因此所用元器件模 型的复杂程序要根据实际需要而定。如果需要进行元器件的物理模型研究或进行 第章义I戢综述 单管设计， ’般采用精度较高和复杂程度较高的模型，甚至采用以求解半导体器 件基本方程为手段的器件模拟方法：对于一般的电路分析，特别是分析规模较大 的电路时，应尽可能采用能满足一定精度要求的简单模型(在电路模拟程序rr『所 采用的模型常称为compact模型)。 电路模拟的精度除r取决于器件模型外，还苣接依赖于所给定的模型参数的 数值是甭『F确。因此希望器件模型中的各模型参数有较明确的物理意义，希望各 个模型参数与器件的工艺设计参数有直接的联系，或者能以某种测量方法测量出 来。 目前构成器件模璀的方法有两种：一种以元器件的工作原理为拱础，从元器 件的数学方程式m发，此时得到的器件模型及模型参数与器件的物理工作原理有 密切的关系；另 种是从元器件的电学工作特性出发，把元器件看成一个“黑盒” 从测量其端点的工作特性来构成模型，因而不涉及元器件的物理机理。 §1．3 Poole-Frenkel效应 5 众所周知，在高电场F绝缘体(电场强度超过lo V／cm)和半导体(电场强 度为几千个V／cm)材料的电子导通率(electrical conductivity)会增加，最后导 致击穿。根据Poole定律，这种增加可以近似表达为： 仃=仃oP“ (1-1) 这种1‘I电场兀火的导通率增K说明，存强电场F自由电子的数目发生了增加，而 不是由于电子的辽移率(mobility)发生了增强。 E述现象就可以简单地解释如下：当一个原子电离后，电子便在周罔呵极化 第一章文献综述 周围极化的原子所掩蔽(screened)，则电子的电离能(ionization