课件：现代电子技术基础一半导体器及其应用.pptVIP

现在，我们对ＭＯＳ管的符号再作进一步说明。 在图1.6.6（b）、（c）和图1.6.10（a）、（b）中画出了四种类型ＭＯＳ管各自的符号。在Ｎ沟道ＭＯＳ管符号中，衬底上的箭头是向内的（由Ｐ型衬底指向Ｎ型沟道）；而在Ｐ沟道ＭＯＳ管的符号中，衬底上的箭头是向外的，（由Ｐ型沟道指向Ｎ型衬底）。 在增强型ＭＯＳ管的符号中，Ｓ、Ｄ和衬底Ｕ之间是断开的，表示UGS＝０时导电沟道没有形成；在耗尽型ＭＯＳ管的符号中，Ｓ、Ｄ和Ｕ是连在一起的，表示UGS=0时导电沟道业已存在。此外，在集成电路中，如无需区别沟道类型、工作型式时，MOS管可采用图1.6.12所示的简化符号。 图1.6.12 1.6.3 场效应管的主要参数 (1) 开启电压UGS(th): 当UDS为常数时，形成ID所需的最小|UGS|值，称开启电压。  (2) 夹断电压 U GS(off): 在UDS固定时，使ID为某一微小电流(如1μA、10μA)所需的UGS值。 (3) 低频跨导gm: UDS为定值时，漏极电流ID的变化量ΔID与引起这个变化的栅源电压UGS的变化量ΔUGS的比值，即 (4) 漏源击穿电压U（BR）GS: 管子发生击穿，ID急剧上升时的UDS值；UDSU（BR)GS。 (5) 最大耗散功率PDM: PD=I DUDSPDM。不能超过PDM，否则要烧坏管子。  (6) 最大漏极电流IDM：管子工作时，ID不允许超过这个值。 1.6.４ 场效应管与三极管的比较 (1) 场效应管是电压控制器件， 而三极管是电流控制器件， 但都可获得较大的电压放大倍数。  (2) 场效应管温度稳定性好， 三极管受温度影响较大。  (3) 场效应管制造工艺简单， 便于集成化， 适合制造大规模集成电路。  (4) 场效应管存放时，各个电极要短接在一起，防止外界静电感应电压过高时击穿绝缘层使其损坏。焊接时电烙铁应有良好的接地线， 防止感应电压对管子的损坏。 1.7 集成电路 集成电路是指在一块半导体基片上将许多电子元器件集中制作在一起而形成的电子器件，属于高科技产品。 1.7.1 集成电路的分类 集成电路按功能分为数字集成电路和模拟集成电路 1.7.2 模拟集成电路 模拟集成电路的特点是不同型号的模拟集成电路的电源电压可以不同且较高，视具体用途而定；模拟集成电路的封装形式也具有多样性，封装形式有金属外壳和塑料外壳。 1.7.3 数字集成电路及其使用 最常用的数字集成电路主要有TTL和CMOS两大系列。 THANK YOU SUCCESS * * 可编辑 1.5.4晶体管的主要参数 1. 电流放大系数β和 动态（交流）电流放大系数β：当集电极电压UCE为定值时，集电极电流变化量ΔIC与基极电流变化量ΔIB之比，即 静态（直流）电流放大系数 ： 三极管为共发射极接法，在集电极-发射极电压UCE一定的条件下，由基极直流电流IB所引起的集电极直流电流与基极电流之比，称为共发射极静态（直流）电流放大系数， 记作 2. 极间反向截止电流 （１）发射极开路，集电极－基极反向饱和电流ICBO （２） 基极开路，集电极－发射极反向截止穿透电流ICEO，ICEO是当三极管基极开路而集电结反偏和发射结正偏时的集电极电流。 3. 极限参数  集电极最大允许电流ICM：当IC超过一定数值时β下降， β下降到正常值的2/3时所对应的IC值为ICM，当ICICM时，可导致三极管损坏。  反向击穿电压U（BR）CEO：基极开路时， 集电极、 发射极之间最大允许电压为反向击穿电压U（BR）CEO，当UCEU（BR）CEO时，三极管的IC、IE剧增，使三极管击穿。为可靠工作，使用中取 根据给定的PCM值可以作出一条PCM曲线如图1.5.6所示， 由PCM、ICM和U（BR）CEO包围的区域为三极管安全工作区。 1.6 场效应晶体管 场效应管（FET）：是利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件。它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称为单极型晶体管。 场效应管特点：体积小，重量轻、寿命长、输入电阻高，噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强、省电。 场效应管分类：结型和绝缘栅型两种。 结型场效应管分类：N沟道和P沟道两种。 1.6 场效应晶体管 1.6.1结型场效应管的特点和类型 1.结型场效