集成电路工艺概述(PPT 77页).pptVIP

* 威廉·肖克利（William Shockely） “晶体管之父”（1910-1989） 1947，点接触晶体管；1950，面结型晶体管 肖克利实验室（1955-1968），圣克拉拉谷(硅谷) 1956，诺贝尔物理奖 1957，八判逆 1958，斯坦福大学 1963，斯坦福大学 70年代，人种学和优生学？？ 肖克利博士非凡的商业眼光，成就了硅谷；肖克利博士拙劣的企业才能，创造了硅谷。“天才与废物”硅谷的第一公民，硅谷第一弃儿。 * “八叛逆”（The Traitorous Eight） 1955年，“晶体管之父”威廉·肖克利，离开贝尔实验室创建肖克利实验室。他吸引了很多富有才华的年轻科学家加盟。但是很快，肖克利的管理方法和怪异行为引起员工的不满。其中八人决定一同辞职，他们是罗伯特·诺依斯、戈登·摩尔、朱利亚斯·布兰克、尤金·克莱尔、金·赫尔尼、杰·拉斯特、谢尔顿·罗伯茨和维克多·格里尼克。被肖克利称为“八叛逆”。八人接受位于纽约的仙童摄影器材公司的资助，于1957年，创办了仙童半导体公司。 乔布斯：“仙童半导体公司就象个成熟了的蒲公英，你一吹它，这种创业精神的种子就随风四处飘扬了。” “硅谷人才摇篮” * 八叛逆在Fairchild Semiconductor，1959年 从左至右 Gordon Moore, Sheldon Roberts, Eugene Kleiner, Robert Noyce, Victor Grinich, Julius Blank, Jean Hoerni Jay Last 1968，INTEL 杰里·桑德斯（J. Sanders）AMD 查尔斯·斯波克（C. Sporck）NSC * 2011年，台湾成为全球最大半导体晶圆生产地 根据市调机构IC Insights调查统计，2011年全球半导体晶圆总月产能达13,617.8千片8寸约当晶圆。其中台湾晶圆月产能达2,858.3千片8寸约当晶圆，占全球半导体总产能达21%，跃居第1大生产国；原本是全球最大晶圆生产国的日本，月产能达2,683.6千片8寸约当晶圆，市占率达19.7%，位居第2大生产国；韩国则以2,293.5千片8寸约当晶圆月产能，位居第3大生产国，市占率达16.8%；美国月产能达1,995.1千片8寸约当晶圆，市占率降至14.7%，是全球第4大生产国。 台积电 联电 * * 50?m 100? m 头发丝粗细 30?m 1?m ? 1?m (晶体管的大小) 30~50?m (皮肤细胞的大小) 90年代生产的集成电路中晶体管大小与人类头发丝粗细、皮肤细胞大小的比较 * 一个工业的诞生 1906年，真空三极管，Lee Deforest （电信号处理工业） 1947年，ENIAC 1947年12月23日，晶体管，John Bardeen，Walter Brattin，William Shockley（1956年诺贝尔物理奖），固态，分立器件 （半导体工业） * 世界第一个晶体管 * 集成电路 集成电路是由Kilby和Noyce两人于1959年分别发明，并共享集成电路的专利。？1969 2000年，Kilby被授予诺贝尔物理学奖（Noyce去世10年） 杰克·基尔比（Jack Kilby） 德州仪器公司——Texas Instruments 锗,1959,2 “第一块集成电路的发明家” 罗伯特·诺伊思（Robert Noyce） 仙童半导体公司——Fairchild Semiconductor 硅,1959,7,30,“提出了适合于工业生产的集成电路理论” * 集成电路是怎么诞生的？ 早期的许多先驱者开始在北加利福尼亚州，现在以硅谷著称的地区。1957年，在加利福尼亚州的帕罗阿托市（Palo Alto）的仙童半导体公司（Fairchild Semiconductor）制造出第一个商用平面晶体管。 它有一层铝互连材料，这种材料被淀积在硅片的最顶层以连接晶体管的不同部分。从硅上热氧化生长的一层自然氧化层被用于隔离铝导线。这些层的使用在半导体领域是一个重要发展，也是称其为平面技术的原因。 * 半导体的集成时代 * 半导体主要趋势 提高芯片性能： 速度（按比例缩小器件和使用新材料） 关键尺寸（CD） 芯片上的物理尺寸特征被称为特征尺寸。硅片上的最小特征尺寸被称为关键尺寸或CD。技术节点 每块芯片上的元件数 摩尔定律 功耗 提高芯片可靠性 浴盆曲线 降低芯片成本 * 集成电路的5个制造阶段 * 集成电路的5个制造阶段 * 第1阶段：硅片制备 * 第2阶段：硅片制造 裸露的硅片到达硅片制造厂，然后经过各种清洗、成膜、光刻、刻蚀和掺杂步骤，加工