【课件】2016-03-03-第三讲-微电子工艺-张海霞.pptxVIP

第三讲微电子的工艺张海霞(Alice)mailto:hxzhang@hxzhang@2016年3月3日主要内容一、第二讲知识点回顾二、工艺1：图形转移三、工艺2：薄膜工艺四、工艺3：调整工艺五、MOSFET工艺流程一、知识点回顾知识点1：半导体材料的特性知识点2：晶格结构与掺杂知识点3：Si的晶向与晶面准备好上节课的问题了吗？材料半导体材料Semiconductor Material导电能力介于导体与绝缘体之间的物质，其/view/56013.htm电导率在10e4～10e-10欧姆/厘米范围内；一般情况下，半导体材料的电导率随温度的升高而增大，与金属导体恰好相反 ；Ge和Si是目前应用最广泛的半导体材料。半导体材料的掺杂电子和空穴：共价键上的电子获得足够的能量就能够摆脱束缚，成为自由电子，这时原来的共价键上就留下一个缺位，成为“空穴”。半导体就是靠电子和空穴移动而导电的，电子和空穴统称为“载流子”。N型半导体：掺入V族杂质（P磷，As砷，Sb锑等，五个价电子），可向半导体材料提供一个自由电子而本身成为带正电的离子，称为“施主杂质”，半导体靠施主提供的电子导电，称为“N型半导体”。P型半导体：掺入III族杂质（B硼，Al铝，Ga镓，In铟等，三个价电子），可向半导体材料提供一个空穴，而本身接受一个电子而本身成为带负电的离子，称为“受主杂质”，半导体靠受主提供的空穴导电，称为“P型半导体”。？硅的晶向与晶面？为什么要18寸？标准化、大批量、一致性、重复性450mm晶圆 300mm晶圆 150mm晶圆 18英寸12英寸6英寸每个芯片上仅几十个器件发展到现在的每个芯片上可包含约10亿个器件芯片制造技术传统机械加工：车、铣、刨、磨、钻、镗？集成电路的内部五十年代NPN双极型晶体管80年代VLSI CMOS90年代 ULSI CMOS20世纪末SOI CMOS微电子工艺超净实验室超净间(Clean Room)，也称为无尘室，是指将一定空间范围内之空气中的微粒子、有害空气、细菌等污染物排除，并将室内的温度、湿度、洁净度、室内压力、气流速度与气流分布、噪音振动及照明、静电等控制在特定范围内的实验室。洁净级别与PM2.5洁净度级别尘粒最大允许数/立方米≥0.5μm尘粒数≥5μm尘粒数微生物最大允许数浮游菌/立方米沉降菌/皿100级3000级350，0002，0001003100，000级3，500，00020，00050010300，000级10，500，00060，000100015细颗粒物又称PM2.5。细颗粒物指环境空气中空气动力学当量直径小于等于 2.5 微米的颗粒物。它能较长时间悬浮于空气中，其在空气中含量浓度越高，就代表空气污染越严重。虽然PM2.5只是地球大气成分中含量很少的组分，但它对空气质量和能见度等有重要的影响。与较粗的大气颗粒物相比，PM2.5粒径小，面积大，活性强，易附带有毒、有害物质（例如，重金属、微生物等），且在大气中的停留时间长、输送距离远，因而对人体健康和大气环境质量的影响更大。空气质量等级24小时PM2.5平均值标准值优0~50 ug/m3良50~100 ug/m3轻度污染100~150ug/m3中度污染150~200ug/m3重度污染200~300ug/m3严重污染大于300ug/m3及以上芯片制造流程典型的PN结隔离的掺金TTL电路工艺流程硅片清洗硅片氧化-生成氧化硅膜第一次光刻-埋层掩模版埋层窗口刻蚀隐埋层扩散外延淀积热氧化第二次光刻-隔离掩模版隔离窗口刻蚀隔离扩散再氧化第三次光刻-基区掩模版基区窗口刻蚀基区扩散再分布及氧化第四次光刻-发射区掩模发射集电刻蚀背面掺金发射区扩散再分布及氧化第五次光刻-接触孔掩模接触孔刻蚀金属铝淀积第六次光刻-铝引线掩模铝引线反刻铝合金淀积钝化层第七次光刻-压焊块掩模压焊块刻蚀扩散/氧化/淀积...光刻刻蚀一个0.35um双阱CMOS 光刻及其它工艺流程实例硅片清洗硅片氧化-生成氧化硅膜第一次光刻-N阱掩模版N阱注入LPCVD第二次光刻-P阱掩模版P阱注入P阱推进Pad氧化生成Si3N4第三次光刻-刻有源区版刻蚀Si3N4P阱场氧化刻去Si3N4预栅氧化第四次光刻-P阱场注版P阱场注入注入掺杂第五次光刻-Vtn掩模版调Vtn注入LPCVD生成Poly膜第六次光刻-Vtp掩模版调Vtp注入栅氧化第七次光刻-刻多晶硅版刻多晶硅氧化/扩散…光刻第八次光刻-N－注入版N－注入第九次光刻-P－注入版P－注入TEOS SiO2侧墙刻蚀刻蚀第十次光刻-N＋注入版N＋注入TEOS BPSG第十一次光刻-P＋注入P＋注入溅射TiRAT I/II第十二次光刻-接触孔版刻接触孔溅射金属膜第十三次光刻-刻引线版刻金属引线合金钝化第十四次光刻-压焊块版刻压焊块退火结构材料微电