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3V 技巧和诀窍
M
技巧和诀窍
目录
技巧和诀窍简介
技巧#1:使用LDO 稳压器,从5V 电源向3.3V 系统供
电..................................................................4
技巧#2:选择方案:采用齐纳二极管的低成本供电系统
......................................................................6
技巧#3:选择方案:采用3 个整流二极管的更低成本供
电系统...........................................................8
技巧#4: 使用开关稳压器,从5V 电源向3.3V 系统供
电................................................................10
技巧#5:3.3V ? 5V 直接连接...................................13
技巧#6:3.3V ? 5V 使用MOSFET 转换器...............14
技巧#7:3.3V ? 5V 使用二极管补偿.........................16
技巧#8:3.3V ? 5V 使用电压比较器.........................18
技巧#9:5V ? 3.3V 直接连接...................................21
技巧#10:5V ? 3.3V 使用二极管钳位........................22
技巧#11:5V ? 3.3V 有源钳位...................................24
技巧#12:5V ? 3.3V 电阻分压器...............................25
技巧#13:3.3V ? 5V 电平转换器...............................29
技巧#14:3.3V ? 5V 模拟增益模块............................32
技巧#15:3.3V ? 5V 模拟补偿模块............................33
技巧#16:5V ? 3.3V 有源模拟衰减器........................34
技巧#17:5V ? 3.3V 模拟限幅器...............................37
技巧#18:驱动双极型晶体管...................................... 41
技巧#19:驱动N 沟道MOSFET 晶体管 ....................44
? 2006 Microchip Technology Inc. DS41285A_CN 第i 页
技巧和诀窍
注:
DS41285A_CN 第ii 页 ? 2006 Microchip Technology Inc.
技巧和诀窍
技巧和诀窍简介
3.3 伏至5 伏连接。
概述
我们对处理速度的需求日益增长,伴随着这种增
长,用来构建单片机的晶体管尺寸则在持续减小。
以更低的成本实现更高的集成度,也促进了对更小
的几何尺寸的需求。随着尺寸的减小,晶体管击穿
电压变得更低,最终,当击穿电压低于电源电压
时,就要求减小电源电压。因此,随着速度的提高
和复杂程度的上升,对于高密度器件而言,不可避 免的后果就是电源电压将从5V 降至3.3V,甚至
1.8V。
Microchip 单片机的速度和复杂性已经到达足以要
求降低电源电压的程度,并正在向5V 电源电压以 下转换。但问题是绝大多数接口电路仍然是为5V 电源而设计的。这就意味着,作为设计人员,我们 现在面临着连接3.3V 和5V 系统的任务。此外, 这个任务不仅包括逻辑电平转换,同时还包括为 3.3V 系统供电、转换模拟信号使之跨越3.3V/5V 的 障碍。
? 2006 Microchip Technology Inc. DS41285A_CN 第1 页
技巧和诀窍
本《技巧和诀窍》提供了一些电源供电组件、数
字电平转换组件甚至模拟转换组件,以解决所面临
的挑战。全书对每种转换均给出了多种选择方案, 从单片 (All-in-One)接口器件到低成本的分立解 决方案都有涉及。简而言之,无论导致转换的原因 是复杂性、成本还是尺寸,设计人员处理3.3V 挑 战可能需要的全部组件均在本文有所讨论。
注: 本 《技巧和诀窍》中假设电源为3.3V。然
而对于其他电源电压,给出的方法只需要 经过适当的修正,将同样适用。
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