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第一单元：双极结晶体管 今天，工业电子系统采用由术语晶体管描述的几个器件。 每种类型的晶体管具有 不同的特性和操作条件，用于将其与其它晶体管区分开。 在本讨论的第一部分中，我 们关注的是双极结型晶体管。 在结构上，该晶体管被描述为双极的，因为它具有两个 不同的 电流载波极性。 孔是正电流载流子，而 电子是负电流载流子。 两种不同种类的 半导体晶体通过公共元件连接在一起。 该器件的结构类似于背对背连接的两个二极管 的结构，其中一个晶体对于两个结都是公共的。 中心材料通常比两个外部件薄。 图 1 。 图 1 示出了两种不同类型的双极晶体管的晶体结构，元件名称和模式符号。 双极晶体管主要用作调节通过其的 电流量的放大器件。 来自能量源的电流进入发 射极，流过基极区域，并通过集 电极离开。 集 电极 电流的变化通常被识别为晶体管的 输出。 集 电极 电流由基极 电流的小变化控制。 他的关系被描述为电流增益或 beta 。 用数学表达式， 该公式的希腊字母 delta 表示变化值。 用于表示施加 ac 值时晶体管的响应。 种类型的条件被称为动态特性。 在公式中省略 delta 符号表示直流或静态工作条件。 在发射极处进入晶体管的所有电流被识别为发射极 电流或 IE。 集 电极 电流或 IC， 总是略小于 IE。 IE 和 IC 之间的差异是由于基极电流。 在数学上， 是基极电流（IB）= 发射极 电流 - 集电极 电流 bipolar 双极 图 1.2 显示了简单 NPN 硅晶体管的 电路连接。 该电路的操作基于正向偏置的发射 极 - 基极结和反向偏置的集 电极。 发射极 - 基极结的正向偏置通过将直流源的负极 侧连接到发射极和正极侧通过RB 连接到基极来实现。 当集电极通过电阻器RL 连接到 源极的正极时，发生集电极的反向偏置。 通过 RL 的集电极 电流由发射极 - 基极结的 正向偏置电压控制。 在单个 PN 二极管结的操作中，正向偏置导致导通，反向偏置导致非导通。在晶体 管中，该规则不直接应用，因为涉及两个结。例如，当发射极 - 基极结正向偏置时，其导 致大量的 IE 进入基极区。基极 - 集 电极结的反向偏置通常会限制该电流。但是由于薄 的基底结构，IE 将在其到达基极区域时立即进入集电极。最终，该电流通过集电极，并且 表现为集 电极 电流 IC 或输出电流。因此，在正常晶体管操作中，发射极 - 基极结的正 向偏置改变或减小基极 - 集电极结的反向偏置效应。 晶体管主要分类为电流操作器件。 意味着只有当发射极 - 基极结正向偏置并产 生基极电流时，输出或集电极 IC 才会发生。当基极电流停止时，集电极 电流停止，晶体 管变为不导通。 种情况称为切断，另一方面，如果出现过量的基极 电流，则晶体管被 驱动到饱和。当 种情况发生时，IB 的进一步增加不会引起IC 中的相应变化。当实现振 幅控制时，晶体管很少在饱和区域中操作。当晶体管用作开关时，其通常在饱和区域中 操作。 图 1.3 的晶体管放大器电路是先前 NPN 电路的 PNP 对应物。 该电路的 电池以相反 的方向连接，以便实现适当的偏置。 性能基本上与 NPN 电路的性能相同。 电流 IC，IB 和 IE 在该图中由箭头表示。 该电路的发射极 电流仍然提供最大的 电流值。 在该电路 中，IC 加 IB 的复合也等于 IE。 第二单元：运算放大器 运算放大器的内部结构相当复杂，通常包含大量分立元件。使用运算放大器的人通 常不需要关心其内部构造。然而，有助于对内部电路完成什么有一些一般的理解。 允 许用户看到设备如何执行和指示作为一个功能单位的一些限制。 运算放大器的内部电路可以分为三个功能单元。图 1.7 显示了内部功能或运算放大 器的简化图。注意每个功能都包含在三角形中。电子原理图使用三角形以表示放大功能。 该图显示了运算放大器具有三个基本放大功能。