半导体材料基础 基本特性.pptVIP

ii) 激子吸收 ? 若光子能量 hnEg, 则跃迁后 的价带电子不足以跃迁到导带 ，但它可以和价带的空穴组成 电子空穴对束缚态（激子）。 即：半导体吸收光子能量，但 电子不能跃迁为自由载流子而 处于受激状态。 ? 激子吸收不会改变半导体的导 电性。 E m m n eV ex n r ? ? 1 136 2 2 ? * . ( ) iii) 杂质吸收 ? 杂质可以在半导体的禁带中引入杂质能级，占据杂质 能级的电子或空穴的跃迁可以引起光吸收，这种吸收 称为杂质吸收，可以分为下面三种类型： a. 吸收光子可以引起中性施主上的电子从基态到激发态 或导带的跃迁； b. 中性受主上的空穴从基态到激发态或价带的跃迁； c. 电离受主到电离施主间的跃迁； ? 由于杂质能级是束缚态，因而动量没有确定的值，所 以不必满足动量守恒的要求，因此跃迁几率较大。 ? 杂质吸收的长波长总要长于本征吸收的长波长。杂质 吸收会改变半导体的导电性，也会引起光电效应。 电子在杂质能级及杂质能级与带间的跃迁 浅能级杂质：红外区 深能级杂质：可见、紫外区 iv) 自由载流子吸收 ? 当入射光的波长较长，不足以引起 带间跃迁或形成激子时，半导体中 仍然存在光吸收，而且吸收系数随 着波长的增加而增加。这种吸收是 自由载流子在同一能带内的跃迁引 起的，称为自由载流子吸收。（ 准 连续、长波长段 ） ? 自由载流子吸收也需要声子参与， 因此也是二级过程，与间接跃迁过 程类似。但这里所涉及的是 载流子 在同一带内不同能级间的跃迁 。 ? 自由载流子吸收不会改变半导体的 导电性。 v) 子带间的跃迁 ? 电子在价带或导带中子带（ sub-band ）之间的跃迁 。在这种情况下，吸收曲线有明显的精细结构，而不 同于由自由载流子吸收系数随波长单调增加的变化规 律。 ? 大多半导体的价带在价带顶附近由三个子带组成，不 同子带间可以发生三种引起光吸收的跃迁过程 : (a) 从轻空穴带到重空穴带的跃迁 (b) 从分裂的带到重空穴带的跃迁 (c) 从分裂的带到轻空穴带的跃迁 vi) 晶格振动吸收 ( 声子吸收 ) ? 由于光子和晶格振动的相互作用引起的中远红外谱区的光吸 收称为晶格振动吸收。直接转换为晶格振动的动能增加。 小结 ：以上六种吸收机制中只有本征吸收和杂质吸收能够引起非 平衡载流子，产生光电效应。其它吸收都不同程度的把辐射能转 换为热能，使器件温度升高，而不改变半导体的导电性。 带间吸收：可见 ~ 红外 激子吸收：可见 ~ 近红外 晶格振动吸收：红外 ~ 中红外 杂质吸收：远红外（浅能级杂质） 自由载流子吸收：准连续、毫米波 波 长 增 大 方 向 3 、半导体的光电性质 （ 2 ）光电导 ? 若半导体的光吸收机制可产生额外的载流子，那么 载流子浓度提高，则电导率增加，增加的这部分电导 率称为光电导。 ? 光生载流子是非平衡载流子，有产生就有复合过程， 最终达到动态平衡，此时光电导达到稳态。 ? 利用光电导，可制造用于高灵敏检测的光电器件。 4 、半导体的界面特性： PN 结 （ 1 ） 基本结构： PN 结是由同一种本征半导体形成的 N 型半导 体和 P 型半导体在晶格完全匹配的情况下紧密接触所构成的，其 接触界面称为冶金结界面。 半导体器件的核心是 PN 结。半导体二极管是单个 PN 结； 半 导体三极管具有两个 PN 结； 场效应管的基本结构也是 PN 结。 第一章 半导体材料基础 1.1 半导体材料的基本特性 1.2 半导体材料的制备技术 1.3 元素半导体材料 1.4 化合物半导体材料 一、什么是半导体？ 从导电性（电阻）：固体材料可分成：超导体、导体、半导体、 绝缘体。电阻率 ρ 介于导体和绝缘体之间，并且具有负的电阻温 度系数→半导体。 电阻率 ： 导体： ρ ＜ 10 -4 Ω cm 如： ρ Cu=10 -6 Ω cm 半导体： 10 -3 Ω cm ＜ ρ ＜ 10 8 Ω cm 如： ρ Ge=0.2 Ω cm 绝缘体： ρ ＞ 10 8 Ω cm 1.1 半导体的基本特性 T R 半导体 绝缘体 负的温度系数 电阻温度系数图 二、半导体材料的分类 按 功能 和 应用 分： 微电子半导体 光电半导体 热电半导体 微波半导体