CMOS图像传感器满足高品质电子产品要求.docVIP

CMOS图像传感器满足高品质电子产品要求 PaoloVastaEastmanKodakCompany CMOS图像传感器满足高品质电子产品要求 CMOSImageSensorsAddressHighQuality,FunctionalityRequirements 随着CMOS图像传感器的功能和 图像质量不断提高,新型器件在主流 消费市场有了新的选择——虽然目前 仍是电荷耦合器件的天下.CMOS图像 传感器现在在拍照手机设计中占主导 位置,这些产品需要突出特点,增强性 能,这都带来了一些新的挑战. 过去,CMOS器件的图像质量落后 干CCD图像传感器,而它们仍具吸引 力主要是由于:1.低功耗2.能够将功能 图24T4S像素结构PD(光电二极 管)TG(转换门)FD(浮动扩散) RG(复位门)RSEL(行选择) 和4T4S结构的比较.4T4S结构相对 于3T设计提高了SNR,以及有机会 为SNR额外增加填充像素 直接集成到传感器上,从而简化设计.11右 然而,随着对这些器件的要求越来越U仁 高,cM0s图像传感器技术的进步不但,-nIl! 要能直接提高这些设备的图像质量,m 还必须为终端用户提供新的更强大IL 的■一． 4T4S像素体系 CMOS图像传感器采用数个光电 二极管和阵列架构,最常见的是标准三 晶体管(3T)有源像素架构.这个设计 是成本效益最优的,但它的缺点是暗电 流高——般在l到2nA/cm,这限制 了该设计在低亮度条件下的图像质量. 最近,使用四晶体管(4T),固定 光电二极管有源像素已经成为可行的 具有成本效益和高收益的选择方案. 这种像素结构,灵敏度大大提高,相对 于3T设计噪声可大大降低.可控的电 荷转换器能在这个像素水平上实现真 CDS,极大地降低复位噪声.然而这些 进步需要代价,因为用四管取代三管 减小了像素的填充因数,特别对于小 像素设备.但是通过多像素共享通用 元件,随着填充因数提高也能实现同 样的好处.一个4T4S的实例如图2所 示,其中七个晶体管和单个放大器通 过四像素群共享.(下转81 ,II,,『I,,II,.2006.7? 一 表1T1/E1时钟的流量接口 甚臣黧豳豳豳隧圈翻量』鐾.■圈曩匿孟■■ 2048KbitJs±50ppm9O2to32sG823【03/2000). Interface(E1)fG703.SectionTable2 91,18ms64to1OOOS 1544KbitJs±32ppm13UI(84ms)15minutesT1403 InterfacefT11T1403SectionSection6312 523,28UI(18ms)24hours 感,这就意味着端到端的总延迟要限 制在500ms. 同步的标准 信息包为基础的时钟恢复算法记 录T1或E1线的时间,应该适当地满足 T1/El的规格.E1电路最初的标准是 ITU—TG.823流量 接1:3,T1电路最 初的标准是 ANSIT1.403.这 些规格的关键标 准是输出漂移 (outputwander) 的网络限制,例 如漂移容限,输 出抖动以及抖动 容限.我们要讨 论的是最难以满 足的,即输出漂 移. ITu—TG,823和ANSIT1.403规格 考虑到时钟质量,从最初的基准参考 时钟或基准参考源到连接终端的设备. 图2显示了E1和T1的流量接1:3.通过 流量接1:3T1/E1连接在下一个节点终 网络.设备TDM中客户端是2图.止． 限制会应用于从远处终端VolP网关的 T1/E1电路输出. E1和T1的网络限制很相似,要分 别考虑到通过1000或24d,时的观测期, 最大相对时间间隔误差为18.表1总 结了T1/E1流量接1:3所需的ITU和 ANSI性能. 同步的方法 不同的标准组织都在积极探索信 息包网络中的同步标准.最相近的工 作是由IEEE开展的,它开发的新标准 是基于为网络化测量以及控制系统而 制定的精确时钟同步协议的IEEE1588 标准,于2002年完成. 这个精确时钟协议(PTP)详细说明 了在信息包网络中执行定时同步的方 案.PTP最初并不是定位于通信网络. 随着同步性能,冗余度以及对于通信 网络需求其他方面细节提高,这一标 准还会再修订,更新.■ 上接79这种设计降低光电二 极管暗电流,允许实相关双倍采样以 消除kTC噪声.另外,共享像素设计通 过将每像素晶体管的效率因数从4(无 共享)降到1.75,提高了像素的填充因 数,从而提高了整体灵敏度.采用这种 设计,能够