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第2章热平衡时的能带和载流子浓度
2.1半导体材料
2.2基本晶体结构
23基本晶体生长技术
2.4共价键
2.5能带
2.6本征载流子浓度
2.7施主与受主
§2.1半导体材料
●固体材料:绝缘体、半导体和导体
半导体易受温度、光照、磁场及微量杂质原子影响
元素半导体:硅、锗
化合物半导体:二元、三元、四元化合物
GaAs、hp、AGa1xAs、Gaxn1xAsP1y
§2.2基本晶体结构
基本立方晶体单胞
金刚石结构
闪锌矿结构
金刚石结构和闪锌矿结构的区别
3
金刚石晶格结构
SGe,C等Ⅳ族元素,原子◆正四面体结构:每个原
的最外层有四个价电子
子周围有四个最近邻的
原子。
金刚石晶格结构:复式晶格。由两个面心
立方晶格沿立方对称晶胞的体对角线错开
1/4长度套构而成。
排列方式以双原子层 ABCABC
晶格常数a(A)
Ge
GaAs
品格常数5430305654561
原子密度5X102442X1022
(111)
●e8
6
闪锌矿晶格结构( Zincblende structure)
GaAs, InP
晶格由两种不同原子组成的面心立
方晶格套构而成。双原子复式格子
Ⅲ-V族化合物,每个原子被四
个异族原子包围
共价键中有一定的离子性,称
为极性半导体。
金刚石结构和闪锌矿结构的区别
不同:前者由两种相同的原子组成,后者
由两类不同的原子组成
●相同:都由两面心立方晶格,沿空间对角
线彼此位移四分之一空间对角线长度套构
而成。
§2.3基本晶体生长技术
●硅晶体、95%(目前半导体材料)
原始材料:石英岩(高纯度硅砂SiO2)
步骤:1、SC+SO2Si+SO+CO
2、Si+3HC|-SiHC3+H2
3、SHC3+H2-Si+3HC|多晶硅
4、拉单晶:柴可拉斯基法
9
CCW
籽夹持
籽是
因体慰液
石英坩
RF圈
熔磁液
Cw
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