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课程版本 Version 开发 / 修订时间 Update Time V1.0 2008-10-20 本课程的最新版本及完整信息存档于人力资源管理部培训组，如有需要使用请联系 相关负责人。谢谢！ The lasted version is kept in HRM. Thanks! 测试题 Test Paper No 评审意见 Review Result 演示课件 Courseware Yes 讲师手册 （授课说明、课前调查问卷、案例说明等） Trainer Handbook No 推荐讲师 Proposal Trainer 谢春梅 课程资料清单 Course Material List 资料名称 Material Yes/No 课程开发协助人 Assistant Developer 课程评审人 Reviewer Tommy 建议授课小时数 2 相关人员信息 Developer, Reviewer and Trainer 课程开发负责人 Developer 谢春梅 课程类别 Course Type Product Introduction 适用对象 Target Trainee 课程开发与评审信息表 Training Course Development and Review Information 课程基本信息 Basic Information 课程名称 Course Name PD 芯片介绍 InGaAs/InP PD 芯片 知识培训 主讲人：谢春梅 培训内容 PD 芯片基本工作原理 PD 芯片设计说明 PD 芯片工艺流程 PD 芯片参数及测试 PD 芯片实例 概要 PD —— Photo Devices 光电探测器 Photo Dioder 光电二极管 光纤通信均采用光谱很窄的单色光源，要求所采用的检测器具有波长选择性，因此 系统的检测器都采用光子器件。 常用探测的波长 λ= 1310nm ： λ= 1490nm ： λ= 1550nm 图示方法 PD 功能是：将 光信号 转换为 电信号 ，即光电转换 . 因此常用于光接收器中 执行标准： Q/SFT 37 — 2003 P N 特点 Feature 高响应度 High responsivity 低暗电流 Low dark current 快的响应速率 High-speed response 响应波长 Wavelength, 1 ０ 00~1650nm 工作温度 Operating temperature,- 40 ℃ ~+85 ℃ 高的可靠性 Excellent reliability 1. 工作原理 该 PD 芯片属典型的 PIN 结构光电二极管， N 区是由外延衬底高掺杂形成， I 区（本征区）是由不掺杂的 In0.53Ga0.47P 组成， P 区是向 I 区内扩散 P 型 掺杂剂 Zn 形成。如下图示， 1. 光入射到 PD 吸收区并被吸收，产生光生载流子（电子 — 空穴对）， 2. 光生载流子在 PN 结反偏电场作用下，通过扩散、漂移作用，被反偏电 场分开，分别达到各自电极，在 外电路 中形成光电流。 PD 工作条件：零偏或反偏， I 层耗尽； 零偏：不加偏置电压； 反偏： N 接正电压； I P N hυ 图 1 高速 PD 芯片工作原理示意图 Ei R L E I 二 .PD 芯片设计说明 1. 结构参数 光敏面积 (S Ⅰ ) ， 根据使用传输速率和耦合光纤芯径决定光敏面 S Ⅰ 大小； 吸收层厚度（ d ） d≥1 ／ а ， а 为某一特定波长的光吸收系数； p － n 结结深（ xj ） xj=d ˊ ＋ 0.1μm 为最佳值， d ˊ 为外延片 InP 顶层（或称 InP 窗口层）厚度。 压点面积（ S Ⅱ ） S Ⅱ ＝ 3 ×压焊金丝直径（球焊）， 或 2 ×压焊金丝直径（锲焊）。 二 .PD 芯片设计说明 2. 材料参数 外延片本征（ I ）吸收层的掺杂浓度（ NB ）， 光吸收层杂质浓度为减少杂质吸收， d Ⅰ 在低偏压下全耗尽， NB 尽量接近 N Ⅰ 。 N Ⅰ 为该层的本征杂质浓度。 x 值， ( InxGa1-xAs ) x 值的大小取决于芯片的 λc ， λc 为芯片光谱响应的截止波长，因 λc ＝（ Eg ） , 而 Eg= (x) 。 在光通信和 CATV 应用中， x ＝ 0.53 为最好。 外延片表面微缺陷密度（ D ） 为降低暗电流，提高反向击穿电压， D10 个 /cm2( （缺陷直径 20μm ），此值 要求越小越好。， 各种异质结介面晶格失配常数（ Δa/a ） 为防止各外延层产生线位错和晶体微缺陷， Δа/а 应尽量小，不得大于 3 × 10- 3 。 增透膜厚度（ dn ） dn=