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基于 DSP的 VXI 总线动态存储器 设计 基于 DSP的 VXI 总线动态存储器设计 张可立 1 , 陈后金 1 , 马恩云 2 （1. 北方交通大学 电信学院，北京 100044; 2. 北京航天测控公司，北京 100830 ） 摘要： 本文主要解决在 VXI 总线模块上实现大容量动态存储器的技术难题，介绍了利用可编程逻辑器 件实现数字信号处理器（ DSP）与同步动态存储器（ SDRAM）之间的数据读取逻辑的设计、编程思想，以及 必要的硬件连接，编程方法等。 关键词： VIX 总线； DSP；动态存储器；接口 随着测控技术的不断发展，将先进的计算 机技术、通信技术和电子仪器技术融为一体的 VXI 总线系统，越来越被广泛的应用于国防、电 子、航空航天等各个领域，而为了准确、即时的 处理 VXI 系统采集的数据，就需要在系统中设计 大容量的存储区，而通常的静态存储器由于价格 等方面的原因，很难被大规模的应用。动态存储 器 SDRAM可以很好的解决这方面的矛盾，但是由 于其自身的特点，对它的访问需要有专门的控制 逻辑来实现特殊的读写时序，并且由于 SDRAM需 要定时刷新，所以刷新电路的设计也是必须的。 本文就此讨论一下如何利用可编程器件设计 DSP 与 SDRAM的接口问题。 1 SDRAM的特点介绍 1.1 概述 SDRAM（ MEMONY），同步动态存储器，它是一个具有高速 同步接口的 DRAM存储器，因为其 I/O 口与输入 时钟同步，对于设计者而言，比较起 DRAM，它可 以建立起很高的传输带宽和更加简单的时序。其 特点如下： 同步控制：所有输入、输出都与输入时钟同步。 分段输入、输出：只需给出一个地址就可以并 行的（或连续的）读出或写入地址空间。 可编程的分段宽度： 分段宽度的可编程能力允 许设计者在不同的系统中使用同一块 SDRAM， 其分段宽度可以允许在普通操作中被改变。 双簇（多簇）结构： SDRAM允许同时打开两个 （或多个）DRAM的行地址以对其进行操作， 这 样一个无缝隙的 100MHZ的数据传输速率可以 读写整个的存储器， 具有双簇结构就可以实现 对一个簇进行读的同时对另外一个簇进行充 电操作。 自动刷新和自刷新：由于 DRAM（SDRAM）是利 用电容来存贮数据的， 每隔一端时间电容就会 放电，其存储的数据就会丢失。因此 SDRAM就 要定时的给电容充电，以保持其数据不被丢 失，这个过程就叫刷新。刷新分为两种，自动 刷新和自刷新， 自动刷新指 CAS在 RAS之前进 行刷新。 自刷新允许 SDRAM自己产生刷新必须 的控制信号来刷新。 在设计中一般采用自动刷 新的方式，设计一个定时器，每隔一定时间就 对 SDRAM发出一个刷新请求信号， 当 SDRAM处 于空闲状态时， 就会自动进行存储器的刷新操 作。 1.2 SDRAM 的复合地址 为了减少引脚数目，通常 SDRAM都采用复 合地址的设计方法。 SDRAM每一个存储单元的地 址由三个参数唯一确定：簇数（