学习检测答案...docxVIP

学习检测一 一、填空题 杂质，本征半导体和掺入的杂质 大于，变窄。小于，变厚 电子，空穴 变窄，大于 5.0.6-0.8 ， 0.7 ；0.1-1.3 ， 0.2 6. 1.2~2V ，高于 ， 5~10 mA 稳压。 稳定电压，额定电流，动态电阻， 额定功耗，温度系数二、判断题 1. × 2. √ 3. × 4.×5.√6.× 7. × 三、选择题 1. A 2.C 3. D 4.C5.B 四、简答题 PN 结的伏安特性有何特点？ 答： PN结的伏安特性（外特性）如图所示，它直观形象地表示了 PN结的单向导电性。 伏安特性的表达式为： 式中 i D为通过 PN结的电流， vD为 PN结两端的外加电压， VT 为温度的电压当 量， ，其中 k 为波耳兹曼常数（ 1.38 ×10-23 J/K ），T 为热力学温度，即绝对温度（ 300K），q 为电子电荷（ 1.6 ×10-19 C）。在常温下， VT ≈。I s 为 反向饱和电流，对于分立器件，其典型值为 -8-14 A 的范围内。 26mV 10 ~10 集成电路中二极管 PN结，其 I s 值则更小。 当 vD0，且 vDVT时， ； 当 vD ，且 时， i D≈– I S≈ 。 0 0 电容特性 :PN 结加反向电压时，空间电荷区中的正负电荷构成一个电容性的器 件。它的电容量随外加电压改变，主要有势垒电容（ CB）和扩散电容（ CD）。势垒电容和扩散电容均是非线性电容。 势垒电容：势垒电容是由空间电荷区的离子薄层形成的。当外加电压使 PN 结上压降发生变化时，离子薄层的厚度也相应地随之改变，这相当 PN结中存储的电荷量也随之变化。 势垒区类似平板电容器， 其交界两侧存储着数值相等极性 相反的离子电荷，电荷量随外加电压而变化，称为势垒电容，用 CB 表示，其值 为： 。在 PN结反偏时结电阻很大， CB 的作用不能忽视，特别是在高频时，它对电路有较大的影响。 CB 不是恒值，而是随 V 而变化，利用该特性可制作变容二极管。 PN结有突变结和缓变结，现考虑突变结情况， PN结相当于平板电容器，虽然外加电场会使势垒区变宽或变窄 但这个变化比较小可以忽略，则 ，已知动态平衡下阻挡层的宽度 L0，代入上式可得： 扩散电容： PN结正向导电时， 多子扩散到对方区域后， 在 PN结边界上积累， 并有一定的浓度分布。积累的电荷量随外加电压的变化而变化，当 PN结正向电压加大时，正向电流随着加大， 这就要求有更多的载流子积累起来以满足电流加大的要求；而当正向电压减小时， 正向电流减小， 积累在 P 区的电子或 N 区的空 穴就要相对减小，这样，当外加电压变化时，有载流子向 PN结“充入”和“放出”。 PN结的扩散电容 CD描述了积累在 P 区的电子或 N 区的空穴随外加电压的变化的电容效应 什么是 PN结的反向击穿？PN结的反向击穿有哪几种类型？各有何特点？ 答： PN结加反向电压时，空间电荷区变宽，区中电场增强。反向电压增大 到一定程度时， 反向电流将突然增大。 如果外电路不能限制电流， 则电流会大到 将 PN结烧毁。反向电流突然增大时的电压称击穿电压。 基本的击穿机构有两种， 即隧道击穿（也叫齐纳击穿）和雪崩击穿，前者击穿电压小于 6V，有负的温度系数，后者击穿电压大于 6V，有正的温度系数。 雪崩击穿：阻挡层中的载流子漂移速度随内部电场的增强而相应加快到一定 程度时，其动能足以把束缚在共价键中的价电子碰撞出来， 产生自由电子—空穴对，新产生的载流子在强电场作用下， 再去碰撞其它中性原子， 又产生新的自由电子—空穴对，如此连锁反应，使阻挡层中的载流子数量急剧增加， 象雪崩一样。雪崩击穿发生在掺杂浓度较低的 PN结中，阻挡层宽，碰撞电离的机会较多，雪崩击穿的击穿电压高。 齐纳击穿：齐纳击穿通常发生在掺杂浓度很高的 PN结内。由于掺杂浓度很高，PN结很窄，这样即使施加较小的反向电压（ 5V以下），结层中的电场却很强（可达 2.5 ×105 V/m左右）。在强电场作用下，会强行促使 PN结内原子的价电子从共价键中拉出来， 形成 电子一空穴对 ，从而产生大量的载流子。 它们在反向电压的作用下，形成很大的反向电流，出现了击穿。显然，齐纳击穿的物理本质是场致电离。 热电击穿：当 PN结施加反向电压时，流过 pn 结的反向电流要引起热损耗。反向电压逐渐增大时， 对于一定的反向电流所损耗的功率也增大， 这将产生大量热量。如果没有良好的散热条件使这些热能及时传递出去，则将引起结温上升。这种由于热不稳定性引起的击穿，称为热电击穿。 击穿电压的温度特性： 温度升高后，晶格振动加剧，致使载流子运动的平 均自由路程缩短， 碰撞前动能减小， 必须加大反向电压才能发生雪崩击穿具有