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第九章 半导体光电子 材料 ? 电子器件和光电子器件应用是半导体材料 最重要的两大应用领域 ? 半导体材料 Si , GaAs 和 GaN , InP 等既是重 要的电子材料,也是重要的光电子材料 8.1 半导体激光材料 ? 1962 年, GaAs 激光二极管的问世,作为半 导体光电子学的开端。 ? 激光的激射波长取决于材料的带隙,且只 有具有直接带隙的材料才能产生光辐射, 它使注入的电子-空穴自己发生辐射复合 以得到较高的电光转化效率 产生激光的条件 ? 1. 形成粒子数反转,使受激辐射占优势 ? 2. 具有共振腔以实现光量子放大 ? 3. 外界输入能量至少要达到阈值,使激光管 的增益至少等于损耗 LD 材料 ? GaAs 基 ? InP 基 ? GaN 基 ? GaSb 基 8.2 半导体显示材料 ? 发光二极管( LED ) ? 电致发光显示 8.2.1 发光二极管 LED ? 发光二极管 Light-Emitting Diode 是由数层很薄的掺 杂半导体材料制成。 ? 当通过正向电流时, n 区 电子获得能量越过 PN 结 的禁带与 p 区的空穴复合 以光的形式释放出能量。 LED 应用 ? 半导体白光照明 ? 车内照明 ? 交通信号灯 ? 装饰灯 ? 大屏幕全彩色显示系统 ? 太阳能照明系统 ? 其他照明领域 ? 紫外、蓝光激光器 高容量蓝光 DVD 、激光打 印和显示、军事领域等 LED 照明的优点 ? 发光效率高,节省能源 ? 耗电量为同等亮度白炽灯的 10%-20% ,荧光灯的 1/2 。 ? 绿色环保 ? 冷光源,不易破碎,没有电磁干扰,产生废物少 ? 寿命长 ? 寿命可达 10 万小时 ? 固体光源、体积小、重量轻、方向性好 ? 单个单元尺寸只有 3~5mm ? 响应速度快,并可以耐各种恶劣条件 ? 低电压、小电流 半导体照明是 21 世纪最具发展前景 的高技术领域之一 地区\条件 · 效益 条件 能源节约 降低二氧化碳排放 美国 5 %白炽灯及 55 %日光灯被白 光 LED 取代 每年节省 350 亿美元电 费。 每年减少 7.55 亿吨二氧化 碳排放量。 日本 100 %白炽灯被白光 LED 取 代 可少建 1-2 座核电厂。 每年节省 10 亿公升以上的 原油消耗。 台湾 25 %白炽灯及 100 %日光灯被 白光 LED 取代 节省 110 亿度电,约合 1 座核电厂发电量。 美国半导体照明计划 ? 从 2000 年起国家投资 5 亿美 元 ? 到 2010 年 55% 的白炽灯和 荧光灯被半导体灯取代 ? 每年节电达 350 亿美元 ? 2015 年形成每年 500 亿美元 的半导体照明产业市场 日本 21 世纪照明计划 ? 投入资金 50 亿日元 ? 到 2007 年 30% 的白炽灯 被置换为半导体照明灯 欧盟彩虹计划 ? 应用半导体照明实现: ? 高效 ? 节能 ? 不使用有害环境的材料 ? 模拟自然光 韩国“固态”照明计划 ? 2004 年 -2008 年韩国政府计 划投入 1 亿美元,企业提供 30% 配套资金,近期开始 实施,预计 2008 年 LED 的 发光效率达到 80lm/W ? 我国有近百名专家(两院院士)联名向国务院 呼吁,以三峡工程的 5% 费用,支持我国的半导 体照明产业。 ? 国家启动国家半导体照明工程 ? 用 5-10 年的时间的努力, 1/3 照明应用半导体照 明,每年可以节约的电量 1000 亿度,多于一个 三峡水电站的发电量( 800 亿度) 中国专家的呼吁 高亮度白光 LED 的实现 基于蓝光 LED ,通过 黄色荧光粉激发出黄 光,组合成为白光 通过红、绿、蓝三种 LED 组合成为白光 基于紫外光 LED ,通 过三基色粉,组合成 为白光 g h E h ? ? ? ? Ge : E g = 0.67 eV 红光 GaP : E g = 2.25 eV 绿光 GaN : E g = 3.4 eV 蓝光 日亚公司 1994 年首创用 MOCVD 制备 了 GaN LED 市场分布分析 2003 年全球 GaN 基 L
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