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三极管介绍 半导体三极管是通过一定的工艺，将两个PN结结合在一起的器件。半导体三极管是一种电流控制器件，即通过基极电流或发射极电流去控制集电极电流。三极管的放大作用主要依靠它的发射极电流能够通过基区传输，然后到达集电极而实现的。为了保证这一个传输过程，一方面要满足内部条件，即要求发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度，同时基区厚度要很小；另一方面要满足外部条件，即发射结要正向偏置、集电结要反向偏置。 三极管的分类 .按结构不同分，有点接触型、面接触型； 按生产工艺不同分，有合金型、扩散型、台面型及平面型； 按封装形式不同划分，有金属封装型和塑料封装型； 按频率特性及工作特性不同分，有高频三极管（fa≥3MHz）、低频三极管（fa3MHz）、开关三极管、场效应管和可控硅五大类； 按功率不同分，有小功率三极管（Pcm≤500mW~3W）、大功率三极管（Pcm≥3W）； 按半导体材料不同分，有锗管和硅管。 NPN型三极管 NPN型三极管是由两个PN结组成的三层半导体结构。中间是一块很薄的P型半导体（几微米～几十微米），两边各为一块N型半导体。从三块半导体上各自接出一根引线就是三极管的三个电极，它们分别叫做发射极e、基极b和集电极c，对应的每块半导体称为发射区、基区和集电区。虽然发射区和集电区都是N型半导体，但是发射区比集电区掺的杂质多，因此它们并不是对称的。 PNP型三极管 PNP型三极管也是由两个PN结组成的三层半导体结构，不过此时中间是N型半导体，两边是P型半导体。以PNP锗半导体管为例，它是在很薄的N型锗片两边分别烧结两个PN结，浓度大的P型区做发射极，另一个P型区做集电极，很薄的N型基区为基极。 不同三极管的电气特性 不同半导体材料制成的三极管，如硅管和锗管，其工作原理完全相同，都有PNP型管和NPN型管等类型以及高频管、低频管、大功率管和小功率管，只是在电气特性上存在差异。硅管和锗管的电气特性有下列不同之处： 1、锗管比硅管的导通电压低。锗材料制成的PN结，正向导通电压约为0.15～0.3伏；而硅材料制成的PN结，正向导通电压为0.6～0.7伏。 2、锗管比硅管的饱和压降低。 3、硅管比锗管的反向漏电流小。 4、硅管比锗管的耐压高。 三极管的特性曲线 三极管的特性曲线是指三极管各电极电压与电流之间的关系曲线，它是三极管内部载流子运动的外部表现。由于三极管和二极管一样也是非线性元件，所以通常用伏安特性曲线对它进行描述。从使用三极管的角度来说，了解三极管的特性就比了解它的内部载流子的运动显得更为重要。 由于三极管有三个电极，它的伏安特性就不象二极管那样简单，工程上最常用到的是三极管的输入特性和输出特性曲线。在此以共射极电路大致介绍一下其特性曲线。 1、输入特性 输入特性是指当集电极与发射极之间的电压VCE为某一常数时，输入回路中加在三极管基极与发射极之间的电压VBE与基极电流iB之间的关系曲线。 2、输出特性 输出特性是指在基极电流iB一定的情况下，三极管的输出回路中（此处指集电极回路），集电极与发射极之间的电压VCE与集电极电流iC之间的关系曲线。 三极管的主要参数 三极管的参数是用来表征管子性能优劣和适应范围的，它是选用三极管的依据。了解这些参数的意义，对于合理使用和充分利用三极管达到设计电路的经济性和可靠性是十分必要的。 1、电流放大系数 三极管在共射极接法时的电流放大系数，根据工作状态的不同，可分为直流电流放大系数hFE和交流电流放大系数β。直流电流放大系数定义为hFE=（IC -ICEO）/IB ，若IC》ICEO，则可认为hFE= IC/IB ，即三极管集电极的直流电流Ic与基极的直流电流IB的比值，就是三极管接成共射极电路的直流电流放大系数。但是，三极管常常工作在有信号输入的情况下，这时基极电流产生一个变化量△IB ，相应的集电极电流变化量为△IC ，则 △IC 与△IB 之比称为三极管的交流电流放大系数β，即β=△IC /△IB 。 注意！ 由于制造工艺的分散性，即使同型号的管子，它的β值也有差异。常用的三极管的β值通常在10～100之间。β值太小放大作用差，但β太大也易使管子性能不稳定，一般放大器采用β=30～80的三极管为宜。 2、特征频率fT 由于共发射极交流放大倍数β随着工作信号频率的升高而下降，频率越高，β值下降越严重。三极管的特征频率fT是当β值下降到1时的频率值，也就是说，三极管在这个频率下工作时，已完全失去了交流放大能力。所以，fT 的大小反