10.3.2 屏蔽效应和化学位移.pdf

10.3 核磁共振氢谱 10.3.1 核磁共振氢谱的基本原理 10.3.2 屏蔽效应和化学位移 10.3.3 影响化学位移的因素和特征质子的 化学位移 10.3.4 自旋耦合和质子数目 10.3.5 核磁共振氢谱的解析 （1）屏蔽效应 对于一个特定的单独存在的氢核，其共振条件是相同 的，这对结构分析毫无意义。但实际情况是，在有机 分子中，原子以化学键相连，在原子的周围总有电子 运动，这些运动着的电子在外加磁场下产生一个感应 磁场 ，其方向与外加磁场方向相反 （如图）。 B感 在B 作用下，核外电子的环 0 核 流运动会产生感应磁场B感应。 而B 的方向总是与B 相反， 感应 0 用化学的语言来说，就是核外 1 电子的存在使 H核受到了部分 B0 环电流产生的感应磁场 的屏蔽作用。 质子真正感受到的外加磁场强度（B实）要比实际外加 磁场强度（B ）小。这种核外电子对核产生的影响叫 0 屏蔽效应 （shielding effect）。 B = B －B =B －σB = B (1－σ) 实 0 感 0 0 0 式中σ为屏蔽常数，它与核周围电子云密度有关。电子 云密度越大，屏蔽效应越强，σ值就越大。可见，在真实 有机分子中，各类质子发生核磁共振必须满足下式： γ ν= B 1 σ 2π 0 （－ ） 不同化学环境的质子，因其周围电子云密度不同，其 屏蔽程度不同，从而发生核磁共振所需B 不同，就会 0 1 在不同的磁场区域给出共振吸收信号，这就是 H NMR 的成功之所在。 化学位移 （chemical shift）：质子核磁共振信号出 现的位置。它反映质子处于不同的化学环境。 由于不同化学环境的质子受到的屏蔽效应的差别仅为 百万分之几，很难测定出化学位移的绝对值。因此在 实际测量中，化学位移是以TMS [(CH ) Si， 3 4 Tetramethyl silane]作为参照物，将其它氢核信号的 位置相对于TMS的距离定义为化学位移δ。 ν样品－νTMS 6 δ= ×10 （ppm ） ν0 ν ——样品的共振频率；ν ——标准样的共振频率； 样品 标样 6 ν ——仪器的工作频率；乘10 是为了读数方便。 0 标样TMS : 一种环境的氢，屏蔽作用特大，通常高场出峰。 一般有机物的δ＞0 ，在TMS的低场出峰。 化学位移δ值与仪器的工作