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硅片清洗技术进展 一、序言 半导体硅作为现代电子工业的基础材料己有半个世纪的历 史，随着亚微米及深亚微米超大规模集成电路 （ULSI） 遵循着“摩 尔定律”迅速发展， 设计线宽急剧减小， 基体表面的亚微米污物 足以导致大量缺陷产生并对生产领域造成一系列影响， 给硅片表 面质量提出了越来越苛刻的要求。硅片表面的颗粒、有机物、金 属、吸附分子、微粗糙度、自然氧化层等严重影响器件性能，清 洗不佳引起的器件失效已超过集成电路制造中总损失的一半。 因 此，硅片清洗技术成为硅晶片加工和超大规模集成电路工艺研究 的一大热点。 本文在分析硅片表面污染物基础上， 对硅片目前流 行的清洗工艺原理作概述，并介绍其最新进展 [1] 。 二、硅片加工表面污染类型 在硅片加工及器件制造过程中， 所有与硅片接触的外部媒介 都是硅片沾污的可能来源。 这主要包括以下几方面： 硅片加工成 型过程中的污染、环境污染、水造成的污染、试剂带来的污染、 工业气体带来的污染、 工艺本身带来的污染、 人体造成的污染等。 其污染主要有以下几种类型 [1] ：（ 1）颗粒沾污；（ 2）有机物 沾污；（ 3）金属离子沾污；（ 4）自然氧化层沾污。 三、硅片清洗的主要方法 到目前为止， 清洗方法可分为许多种， 工业生产种使用较多 的有：RCA青洗法、超声波清洗法、兆声波清洗法、机械刷片法 等。下面对以上几种方法作简要说明： （一） RCA清洗法 RCA由 Werner Kern 于 1965 年在 N.J.Princeton 的 RCA实 验室首创，并由此得名。RCA清洗是一种典型湿式化学清洗，在 各种清洗方法中仍占主导地位。 国内外已有多篇文章用不同的分 析方法证实了 RCA的有效性。RCA清洗主要用于清除有机表面膜、 粒子和金属沾污。 该清洗方法存在诸多弊端： 如硅片表面清洗涉 及到许多化学试剂； 其处理均在高温过程中进行， 要消耗大量的 液体化学品和超纯水；同时要消耗大量空气来抑制化学品蒸发， 使之不扩散到洁净室； 由于化学试剂的作用， 加大了硅片的粗糙 度 [2] 。 （二） 机械刷片法 刷片方法被认为是去除化学机械抛光液残余物的方法之一。 早期的尼龙刷子和高压水溅射对硅片有很大的损坏。后来用 PVA （聚乙烯醇） 支撑的刷子可以不算还硅片表面并达到去除颗粒的 效果。但是刷片方法也存在一些缺点，比如：保存时间短；且逐 片刷洗效率很低； 刷子凹槽内颗粒对表面有划伤可能； 设备也比 较昂贵； 对去除硅片表面的金属杂质沾污没有作用； 在机械刷洗 过程中， 抛光片表面去除颗粒的同时， 又被刷洗液中的金属杂质 沾污；抛光片会受到刷子的污染， 这对提高抛光片表面质量很不 利[3] 。 （三）超声波清洗 超声波清洗是半导体工业中广泛应用的一种清洗方法 [4] 。 超声波清洗的主要机理是超声波空化效应、 辐射压和声流。 超声 波清洗具有清洗速度快、 质量高， 不受清洗件表面复杂形状的限 制，易于实现遥控和自动化的优点。但也存在着缺点：超声波清 洗时所用的乙醇、 丙酮、三氯乙烯等有机溶剂， 易挥发， 成本高， 需加回收等设备； 超声波主要除去大颗粒， 随着颗粒尺寸的减小， 清洗效果下降。 （四）兆声波清洗 兆声波清洗保存了超声波清洗的优点，且克服了它的不足。 兆声波清洗的机理是由高能频效应结合化学清洗剂的化学反应 对硅片进行清洗 [5] 。兆声波清洗能清除硅片表面上 0.2 微米的 颗粒，能同时起到机械刷片和化学清洗两种方法的作用。 现在多 采用兆声能量和化学物品相结合的方法来去除硅片表面的亚微 米颗粒、 有机物和金属离子。 但兆声波清洗仍不能避免和化学物 品的接触和超纯水的使用，且也存在换能器易坏的缺点。 （五）气相干洗 MMST微电子制造科学与技术）的清洗目标为单片气相干洗 工艺[6]。目的是为了全替代湿式清洗工艺。HF气相干洗技术成 功地用于去除氧化膜、 氯化膜和金属后腐蚀残余， 并可减少清洗 后自然生长的氧化膜量。 气相干洗是在常压下使用 HF气体控制系统的湿度。先低速 旋转片子，再高速旋转使片子干燥。 可用于清洗较深的结构图形， 如对沟槽的清洗。 气相干洗可去除硅片表面粒子并减少在清洗过 程中的沾污，它是“粒子中性”的。虽然 HF蒸气可除去自然氧 化物，但不能除去金属沾污。 （六） UV/03清洗 在氧存在的情况下，使用来自水银石英灯的短波 UV照射硅 片表面，是一种强有力的去除多种沾污的清洗方法 [7] 。水银石 英灯灯管输出波长分别为 185 a m和254卩m的两种光。此两种光 所占的比例为5%Q 95%波长为185 a m的光能被空气中的氧所 吸收，其中的一部分转换成臭氧。臭氧是非常强的氧化物质，使 有机玷污的分子被氧化。波长为 254 a m的光能被有机玷污所吸 收，使玷