硅太阳能电池的设计讲解.ppt

31 发射电极电阻损耗比率： 2 1 mp rf smf mp F J S P B m V W ? ? 2 1 1 mp rb smb mp B J P A B m V W ? ? 副栅线 主栅线 B A W F 、 W B 为单元电池副栅线和 主栅线的平均宽度。 发射电极电阻损耗 当电极线性变细时， m =4 。 当电极宽度均匀时， m =3 。 副栅线 主栅线 金属层薄层电阻 2019/6/23 32 遮光损耗 由栅线遮光引起的功率损失比率是： F sf W P S ? 副栅线 主栅线 B sb W P B ? 33 接触电阻损耗 接触电阻损耗仅是由 副栅线 所引起，相应的功率损失比率 为： mp cf c mp F J S P V W ? ? 式中： ρ c 为接触电阻率。 主栅线带来的功率损失 34 mp smb B mp J W AB m V ? ? ? ? min 2 mp smb rb sb mp J p p A m V ? ? ? 主栅线 带来的功率损失 = 发射电极损耗 + 遮光损耗 + rb sb P P ? 2 1 1 mp B smb mp B J W A B m V W B ? ? ? 将上式对 W B 求导，当导数为零时，得到 最佳主栅线宽度 ： 及 功率损失最小值 ： 当用逐渐变细（锥形）的主栅线（ m =4 ）代替等宽度的 主栅线（ m =3 ）时，功率损失大约降低 13% 。 第七章 硅太阳能电池的设计 南京理工大学 材料科学与工程学院 1 2 内容 : 讨论太阳能电池的设计细节 7.1 主要考量 7.3 背面场 7.2 衬底的掺杂 7.4 顶层的限制 7.5 上电极的设计 7.6 光学设计 7.7 光谱响应 2 7.1 主要考量 7.1.1 光生载流子的收集几率 7.1.2 结深 7.1.3 顶层的横向电阻 3 7.1.1 光生载流子的收集几率 收集几率 表示光照射到电池的某个区域产生 的载流子被 pn 结收集并参与到电流流动的概率。 4 5 6 收集几率 收集几率 是位置的函数，取决于光生载流子 需要运动的距离和电池的表面特性。 7 3. 如果载流子是在靠近电池表面区域产生，表面区域复合 率较高，载流子极易被复合，收集几率几乎为零。 1. 在耗尽区，光生载流子的收集几率相同，这是由于该区 域的电子空穴对被内电场迅速分开； 2. 随着离耗尽区边缘的距离增加，收集几率呈指数衰减，其 收集概率将下降。当载流子在与电场的距离大于扩散长度 的区域产生时，那么它的收集概率是相当低的。 h x L c f e ? ? ? X e x L c f e ? ? X 8 钝化处理 要降低表面区域的高复合率，可在表面镀上 钝化层 （通常 为二氧化硅 SiO 2 ），中和硅表面的悬挂键。 硅太阳能电池的钝化层通常为绝缘体，金属电极区域不 能钝化，所以在表面电极下面重掺杂 n ++ ，以减小表面复合 的影响。 9 背面场（ Back Surface Field ） 金属电极和半导体之间的 界面 一般也是高复合速度区。 在电池背面， P 区下方掺杂更多 III 族元素，形成重掺杂 区 P ++ ，可以降低表面的复合速度。 10 处理后的收集几率 背面场提高了背电极处的光生载流子收集几率 ; 钝化处理提高了电池表面的收集几率 ; 两者最终增加了短路电流 I sc 。 11 7.1.2 结 深 假设减少的光能量全部用来产生电子 - 空穴对，那么对光 强公式进行微分可以得到半导体中任何一个电子 - 空穴对的 产生率 G ： 0 , x G N e ? ? ? ? 产生率表示单位体积单位时间产生的电子 - 空穴对数目，单 位为 m -3 s -1 。 当入射光谱为 AM1.5 时， Si 材料内的产生率 G 。 电池表面的产 生率最高 12 pn 结的深度 结尽可能靠近电池表面，以获得较大的短路电流。 电池表面的收 集几率较低 13 太阳能电池的设计要素 ? 吸收最大化 ? 复合最小化 ? 降低寄生电阻的影响 串联电阻 ? 串联电阻 由顶端电极电阻和发射区电阻组成，必须对电极进 行设计和优化。 并联电阻和串联电阻