IC读写EEPROM问题总结.docx

IC琰写EEPROM问题 总结 文件排版存档编号：[UYTR-OUPT28-KBNTL98-UYNN208] 2 0 17 年 6 月 30 日 星 期 五 目的：利用TMS320F2801芯片上外设I2C （2线串口）读写EEPR0M数据（24LC128） 关键点1： 24LC时钟频率400KHz,寄存器设置如下: Presealer-need7-12MhzonmodulecIk =10; //NOTE:mustbenonzero =5; NOTE:mustbenonzero 时钟频率也可设为200KHz,三个参数分别为9、20、20 （CPU时钟频率为100MHz） （未测试） 关键点2：波形分析 问题：I2C模块是不是只有I2CCNT减到0才会发出停止信号？ I2C模块是硬件的，当检测到发送完了就会发结束自动发信号，不需要人为干预 问题1：字节写操作正常，但是字节读函数出错 原因：写EEPROM是在七位器件地址后添加写标志，而读EEPROM需要在七位器件地 址后添加写标志。 关键点：读EEPROM数据需要发送两次命令。第一次为写地址（此地址会被賦值给 EEPROM内的地址指针），因此需要添加写标志：第二次为读数据，将写标志改为读 问题2：主机接收时，SDA数据线上有数据传输，且I2CDRR接收数据寄存器有数据 更新，但寄存器显示不可读，即CPU认为一直没接收到数据，一直停在下面语句 while!=1）; 关键点：初始化设置时釆用的是FIFO接收方式，因此无效，应査询FIFO接收中断 R while !=1) ://FIFORX 方式查询位。 此位只有在非FIFO中断接收方式时才有效。 问题3：断续单字节读写正常，但是采用连续的单字节读写出错。 原因：EEPROM写过程的结束并不是I2C总线写结束就结束，实际上I2C总线的写入 数据先被保存到了 EEPROM内部的缓冲区，当遇到I2C结束条件后，EEPROM才启动 内部写过程，这个过程才是保存数据的过程。非常悲哀的是这个过程比较长，官方 文档标注为5ms如果在这5ms以内对EEPROM芯片访问将被忽略。 关键点：读写EEPROM应延时至少5ms,软件延时10ms do{}while(EEPR0M_Timer=10); //10ms 4：査询EEPROM写过程是否结束造成死机，只能査询EEPROM读过程。 官方文档说EEPROM内部写周期最长为5ms,在很多情况下是远远低F 5ms的，为了 节约时间，官方给出一个解决办法。当写周期完毕后就开始进行应答査询，来确定 EEPROM写周期何时结束。所谓应答査询官方解释为：就是向EEPROM发送一个I2C 起始条件后发送器件地址和一个读写标志位，当EEPROM完成内部写周期会回应一 个ACK,这时MCU就可以进行正常的其他读写过程了。官方原文如下： 杯具就是始于我画红线的那句话，它说可以在器件地址后任意填写读写标志。我就 填了读标志，事实证明在EEPROM写入过程采用读查询将导致系统死机，I2C总线不 能被正常拉高，可能是EEPROM内部己经把总线拉到了地！不管怎样，反正就是死机 r 0经过多次尝试最终发现应答査询只能釆用写应答査询可以正常确定EEPROM内 部写周期的结束。 by 数据传输过程： 从机发送数据SDA总线I2CRSR缓冲寄存器I2CDRR接收数据寄存器中间变量内存。 问题5： CPU以字（双字节）为单位读写EEPROM数据有误； 原因:CPU中的内存单元以字（word-16bit）为单位，而EEPROM中的内存单元是字 节（byte-Sbit）为单位，因此将CPU内存地址转化为EEPROM指针地址时，因乘以 2 （左移一位） 问题6：使用读数据函数式，收到的数据都是1。 原因：EEPROM初次读取未写过的内存单元时，默认为高电平，即收到的字节为 OxFFo 如果己经写过内存单元，则代表数据未成功写入: 写入与读数据的内存地址不一样。 7：写入EEPROM的数据与随后读出来的数据不一致，但读出来的数据又没有规 律性。 可能原因：数据未成功写入；数据读写字节数超过EEPROM的页内字节数（跨页）； 读写地址不一致；读写EEPROM之间应有一定的延时时间。 解决办法：若连续读多字节数据，则读取数据之间应加延时，因为数据从12CRSR数 据接收缓冲寄存器（多字节）复制到I2CCDRR数据接收寄存器（一字节）需要时 间。 单字节延时25us,双字节（字）延时50us——测试通过 问题8：使用示波器观测SDA数据线上的波形时，发现每次应答信号之前都有一个 毛刺（尖峰），是什么原因导致的？（不影响数据的正常读写） 类似问题：使用F28335模拟I2C时序读取惯导器件的数据时，发现在更改SDA的传 输方向时，Gpi。中数据寄存器会发