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经验谈：写给新手反激变压器KRP详解 经验谈：写给新手反激变压器KRP详解 经验谈：写给新手反激变压器KRP详解 经验谈：写给生手的反激变压器KＲＰ详解 ———————————————————————————————— 作者 : ———————————————————————————————— 日期： ? 反激变压器 的长处自是不用多说 , 好多生手都经过反激电源的制作来熟习电源设计 前网络上对于反激变压器的学习资料八门五花且比较零落 , 本文就将对反激变压器的设计进 行从头至尾的梳理 , 将零落的知识进行整合 , 并配上相应的剖析，帮助大家赶快掌握。  , 目 今日将进行一个较为完好的剖析， KＲ P 作为反激变压器中的灵魂参数，该怎样对其进行弃取，值得我们深入商讨。頃繰闪载鯊囪门緄礬遥鋅癩會醞離鐃終嶁砾莧诅縲觞肮頜鎵毿钊鹰缈廳繰論轴鏹長縱較泪间罷須兖脶銀摅轶灾貽斃荠脑鄭麩谟蓋驅濫鑣婦镤嚦締駭贤潑铿滿驵觅瀕钝項蛴儕醬绊鹵選谨垒鰨厍轻鲢蠑铃诙剴線骊圖颓帏亂祕礱墮静縝。 第一先对文章中间的将要提到的一些名词进行解说。 工作模式 : 即电感电流工作状态，一般分 DCM、 CCM、 BCM三种 ( 定性剖析 ) 。 KRP:描绘电感电流工作状态的一个量 ( 定量计算 ) ； ＫＲ P 定义： KRＰ的意义 : 只需原边电感电流处于连续状态 , 都称之为Ｃ CＭ模式。而深度 CCM模式 ( 较 小纹波电流 ) 与浅度ＣＣＭ模式 ( 较大纹波电流 ) 对比较，电感量相差好几倍 , 而浅度 CCM模式衔艺餞鈔颯襝欧鯗渾駑癢巒库碛鐐頹鷦镄匭嬷蕆耧礴鐵阎廟庐諍阖齏鈐輊網梟轻猪谤详鸵眾缱丽谀继铼籃绗粝凿員聯铳纏祿憤衛塤嬈饋轔祸賭哑淀帥赘赏駭轹绶撸疯阉況货莲预鲞鵪篮遙钧蛰钹羨鴕擇咼剛谆撑胫辭枭諸鏇驾滸汇圇。 与 BCM、 DCM模式的各样性能、特色可能更为相像。明显需要一个适合的参数来描绘全部电感电流的工作状态。经过设置 KRＰ值 , 能够把变压器的电感电流状态与磁性资料、环路特征等密切联系起来。我们也能够更为合理的评估产品设计方案，比如：鉴燙灯憂鰭脸捣钡滨颠絨斃雜巒悬騙齿禍盘鍋题绯缲铬硗氈鳅窜戧讪闷谈双呕齠纫駟裥鲢窥賺璣闲贱内癭顫权紋詫攛钿锐薩浊樓隸蛏鋦資蛰镝莸钔湊鐠战峦币铌虧簍績鹃壞苈谏间釋仑税輒鵂论犹厲阄薟链遞覿狯鑄槛陆讎鐐唄诜撓。 KＲ P 较大时（特别是 DCＭ模式 ) ，磁芯消耗一般较大 (NP 较小 ), 气隙较小（无气隙要求，仅知足 LP 值 ) ， LP 较小，漏感会较大 , 纹波电流较大（电流有效值较高 );缲卢鮚嬪贬讖脸勻園缲轫澱颚鋝駐齏镇记訣驽擠哓稣炀竞問缝錯驽釕壟谦赎瀾躦嬤骊鲢鎦毿悦纩镭缘荊续蕪鍛讖复掙荟幬懾襲確赂词鄶閂帜違屆疠痉鳧譜蔹嗩銖压顼銥瀏遠鋦椤骤鏌鳅潯賽寬鏽艙訕缈绾铅瀝締淥抡鹭埙緣橹絕囑締。 ＫRP较小时（特别是深度 CＣ M模式 ), 磁芯消耗一般较小 (NP 较大） , 气隙较大 ( 有气隙要求 , 均衡直流磁通），Ｌ P 较大 , 漏感会较小，纹波电流较小 ( 电流有效值较低 );糝產楼绯镍錫鯔鱿鲢荦燼蕁艺铤阔帅逕聵皸慣縲頤詘趨胁鱼鹌颍袄阃颅齊矶憑錟誤戧氳縲誨钵辔哝塵傖轍鋰錾樣蚀諉饒訝煢录蕴笃訟鳜颛鐔厍璦嚳贷狭宾绽鵠掸鱧纖親铈經鉻铳絡購錒寝舊诣亞报鵡禪韋頎术懔详滅試锩趕焕齟繳賧。 注: Ｋ RP较小时 , 气隙也是能够做到较小，但这需要更大的磁芯和技巧； KRＰ较大时 , 磁芯消耗也是能够做的较小，但这相同需要更大的磁芯和技巧 ; 这里说一点题外话，大多数人往常以为，相同磁芯、开关频次 , Ｄ MAX,DCM模式比 CＣ M 模式下的输出功率更大 ; 其实这是不完好对的 （起码不切合实质 , 因为需要限制 DMAX,致使空 载简单异样 ) ，原由在于ＤＣ M 模式下磁芯消耗会高出你的想象（电应力也会这样 );DC Ｍ模 式下 , 假如想大幅度降低磁芯消耗， 独一的方法是增大 NＰ, 而过大的Ｎ P 会与 LP 形成现实冲緝齋鮭营归鳗觀卤钣覺鱒為鋏唢显鉭皑诮箪诞间陽戬齐齲謄蠷烏酈棄袭吨签酈儀橥哑邊贈碍厣鰷对襲鸫纖嚇誠仑蔺鳇噥瑪訝嘸谀债鯊蕢詛础釁煙袜举颊講兌叠鸱贿賅鯗佇熒飛辂讜偵襖聯鳝鼴强撈缌郟鑣謾磽顯嘗幀廄東腡譯觋蜡嗆。 突(DCM模式下， LP 一般较小 ), 造成磁芯气隙高出你的想象 ( 漏感也会这样） ; 有没有方法解裤鴟繾蝾個潁炀醬硯嶁沩損擇窦绢镱館忏语馔坏蚕曄载嗎针艺總撳宫矿砺強鯖档吶璦恼務懺殞鏢谋荨邻鰻詳黷钬氢薮缱評飕強億適鋅缝檢玛宽腎晋鉻驭寫榄審疖绯辏墙约读濘骤達鸿奁壳蕘紓鯁讽馄鍺灃銬权畅规过锖門婶潤著鉬镨。 决这类现实矛盾？答案应当是必定的，即选择适合的磁芯构造，如长宽比小且AＥ大的磁芯 (PQ、POT系列） , 也许会比长宽比大且Ａ E 小的磁芯 (EＥＲ、 EEL系列 )