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薄膜物理与技术基本观点知识大全1 薄膜物理与技术基本观点知识大全1 PAGE / NUMPAGES 薄膜物理与技术基本观点知识大全1 薄膜物理基础知识大全 第一章： vm 2kT 2RT RT 最可几速度： m M M 8kT 8RT 1.59 RT 均匀速度：va 3kT 3RT RT m M M vr m M 均方根速度： M 均匀自由程： 每个分子在连续两次碰撞之间的行程称为自由程； 其统计均匀值成为平 均自由程。 kT 2 2 P 常用压强单位的换算 ×10-3 Torr 1 mba=100Pa 1atm=1.013*100000Pa 真空地区的区分、真空计、各样真空泵 粗真空 1 ×105 to 1 ×102 Pa 低真空 1 × 102 to 1 ×10-1 Pa 高真空 1 × 10-1 to 1 × 10-6 Pa 超高真空 1 ×10-6 Pa 旋转式机械真空泵 油扩散泵 复合分子泵 属于气体传输泵，即经过气体吸入并排出真空泵进而达到排气的目的 分子筛吸附泵 钛升华泵 溅射离子泵 低温泵 属于气体捕捉泵， 即经过各样吸气资料独有的吸气作用将被抽气体吸除， 以达到所需 真空。 不需要油作为介质，又称为无油泵 绝对真空计： U 型压力计、压缩式真空计 相对真空计： 放电真空计、热传导真空计、电离真空计机械泵、扩散泵、分子泵的工作原理，真空计的工作原理 第二章： 1. 什么是饱和蒸气压、蒸发温度？ 在必定温度下，真空室内蒸发物质的蒸气与固体或液体均衡过程中所表现出来的压力 规定物质在饱和蒸气压为 10-2Torr 时的温度 2. 克 - 克方程及其意义？ H v dPv ln Pv C H v lg Pv A B dT T Vg Vs 3. RT T 蒸发速率、温度变化对其影响？ 依据气体分子运动论，在气体压力为 P 时，单位时间内碰撞单位面积器壁上的 1 分子数目，即碰撞分子流量（通量或蒸发速率） J： 蒸起源温度细小变化就能够惹起蒸发速率的很大变化 4. 均匀自由程与碰撞几率的观点。 蒸发分子在两次碰撞之间所飞翔的均匀距离 热均衡条件下，单位时间经过单位面积的气体分子数为 5. 点蒸起源和小平面蒸起源特征？ 能够从各个方向蒸发等量资料的细小球状蒸起源称为点蒸起源（点源） 。 这类蒸起源的发射特征拥有方向性，使得在 alpha 角方向蒸发的资料质量 和 cos(alpha) 成正比。 6. 拉乌尔定律？怎样控制合金薄膜的组分？ 在定温下，在稀溶液中，溶剂的蒸气压等于纯溶剂蒸气压 乘以溶液中溶剂的物 质的量分数 在真空蒸发法制作合金薄膜时，为保证薄膜构成，常常采纳刹时蒸发法、双蒸发 源法等。 7. MBE的特色？ ( 分子束外延 ) 外延 : 在必定的单晶资料衬底上，沿衬底某个指数晶面向外延长生长一层单晶薄膜。 1) MBE能够严格控制薄膜生长过程和生长速率。 MBE固然也是以气体分子论为基础的蒸发过程，但它其实不以蒸发温度为控制参数，而是以四极质谱、原子汲取光谱等近代剖析仪器，精细控制分子束的种类和强度。 2) MBE是一个超高真空的物理淀积过程，即不需要中间化学反响，又不受质量输运的影响，利用快门可对生长和中止进行刹时控制。薄膜构成和混杂浓度能够随源的变化作快速调整。 3) MBE的衬底温度低，降低了界面上热膨胀引入的晶格失配效应和衬底杂质 对外延层自混杂扩散的影响。 4) MBE是一个动力学过程，马上入射的中性粒子（原子或分子）一个一个地聚积在衬底长进行生长，而不是一个热力学过程，因此它能够生长一般热均衡生长难以生长的薄膜。 5) MBE生长速率低，相当于每秒生长一个单原子层，有益于精准控制薄膜厚 度、构造和成分，形成峻峭的异质结构造。特别合适生长超晶格资料。 6) MBE在超高真空下进行，能够利用多种表面剖析仪器及时进行成分、构造 及生长过程剖析，进行科学研究。 8. 膜厚的定义？监控方法？ 厚度：是指两个完整平坦的平行平面之间的距离。 理想薄膜厚度：基片表面到薄膜表面之间的距离。 监控方式见书上详解 P50 第二章： 1. 溅射镀膜与真空镀膜对比，有何特色？ 1) 任何物质都能够溅射， 特别是高熔点金属、 低蒸气压元素和化合物； 2) 溅射薄膜与衬底的附着性好； 3) 溅射镀膜的密度高、针孔少，膜层纯度高； 4) 膜层厚度可控性和重复性好。 5) 溅射设施复杂，需要高压装置； 6) 成膜速率较低（ 0.01-0.5 m）。 2 2. 正常辉光放电和异样辉光放电的特色？ 在正常辉光放电区， 阴极有效放电面积随电流增添而增大， 进而使有效区内电流密 度保持恒定。 当整个阴极均成为有效放电地区后， 只有增添阴极电流密度， 才能增大电流， 形成均匀而稳固的“异样辉光放电”，并均匀覆盖基