电应力对Al_SnAgCu_Cu互连结构剪切强度及断裂模式的影响.pdfVIP

( ) 华南理工大学学报 自然科学版 39 11 Journal of South China University of Technology Vol． 39 No ． 11 第 卷第 期 2011 11 (Natural Science Edition) November 2011 年 月 文章编号:1000-565X (2011)11-0120-05 电应力对Al / SnAgCu / Cu 互连结构 剪切强度及断裂模式的影响* 1 2 1 2 3 1 陆裕东 万明 恩云飞 王歆 成俊 何小琦 (1． ， 510610 ; 工业和信息化部电子第五研究所 广东广州 2 ． ， 510640 ;3． ， 510640) 华南理工大学材料科学与工程学院 广东广州 华南理工大学电子与信息学院 广东广州 : ， 摘 要 连结构的剪切失效位置和失效模式 分析了两种不同应力条件下互连结构失效 ， Al / SnAgCu / Cu 形貌间的差异 研究并确定了高电流应力导致的电迁移对 互连结构剪切 ． : ， Al / 强度及断裂模式的影响 结果表明 高温老化实验后 倒装凸点互连结构中出现 金属 ; 焊料界面的脆性开裂和凸点焊料的延展性断裂两种剪切断裂模式 高温高电流应力条件 ， ， 下老化后 倒装凸点互连结构的剪切失效位置和断面形貌发生变化 电迁移作用导致的层 状空洞和金属间化合物的异常生长成为影响倒装凸点互连结构剪切强度及失效模式的主 ; ， ， 要因素 同时 由于倒装凸点串联回路中电流方向的交替性变化 倒装凸点互连结构在加 电实验中出现的两种断裂模式在回路中呈交替分布的特殊失效现象． :SnAgCu ; ; ; ; ; ; 关键词 凸点 互连结构 机械强度 断裂模式 金属间化合物 电迁移 中图分类号:TG40 1 ;TG 111 doi :10 ． 3969 /j ． issn． 1000-565X． 20 11． 11． 022 ， / ． 随着半导体技术的发展 半导体封装 组装向大 到对芯片的机械支撑作用 随着半导体工艺的不断 功率、 ， ， 、 、 高密度和小型化的方向发展 倒装芯片封装技 完善 在手机 数码相机 移动存储介质等电子