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半导体物理第5章_图文(精) 半导体物理第5章_图文(精) PAGE / NUMPAGES 半导体物理第5章_图文(精) 半导体 物 理 SEMICONDUCTOR PHYSICS 编写：刘诺 独立制作：刘诺 电子科技大学 微电子与固体电子学院 微电子科学与工程系 刘诺 第五篇 非均衡载流子 §5.1 非均衡载流子的注入与复合 一、非均衡载流子及其 产生 非均衡态：系统对均衡态的偏离。 相应的： n=n0+ ⊿ n p=p0+ ⊿ p 且 ⊿ n= ⊿ p 非均衡载流子： ⊿n 和⊿ p（剩余载流子） 刘诺 当非均衡载流子的浓度 △n 和 △p《多子浓度时，这就是小注 入条件。 结论 ? 小注入条件下非均衡少子 ?p 对均衡少子 p0 的影响大 非均衡载流子 ? 非均衡少子刘诺 二、产生剩余载流子的方法 光注入 电注入 高能粒子辐照 刘诺 注入的结果 产生附带光电导 σ = nq ?pqμ p = (n0 + ?n q μ n + ( p0 + ?p q ?pqμ p = ?nq ( μ n +刘诺μ p  μ  n + pq μ p = (n0 q μ p故=附带σ光0电+导? σ?σ  μn + p0 q 0 = ?nq μ  μ p + (?nq n +  μn + 三、非均衡载流子的复合态，电子空穴对渐渐消逝的过  光照停止，即停止注 入，系统从非均衡态 回到均衡程。 即： △n=△ p 0 刘诺 §5.2 非均衡载流子的寿命 1、非均衡载流子的寿命均生 存时间 1 τ? 单位时间内非均衡载流子的复合几率  寿命 τ? ?1?→  非均衡载流子的平 ? τ? 单位时间内 非均衡电子的复合几率 ? n ? 1 ? ? 单位时间内非均衡空穴的复合几率 ? → ? τ p 刘诺? 比如 d [?p (t ] 则在单位时间内非均衡载流子的减少量 = - dt ?p 而在单位时间内复 合的非均衡载流子数 = τ如p果在 t = 0 时辰撤掉光照 在小注入条件 下， τ为常数 . 解方程 (1 获得 则 d [?p (t ] ?p - = ? (1 ? → dt τp - t ?p(t = ?p(0e - t ? (2 ? τ→p同 理也有 ?n(t = ?n(0 e 刘诺 τn? (3 ? → 对 (2 式求导 2、寿命的意义 ? p (t d [? p (t ] = - τ?p衰∞减过dt程中从 dt 内复合掉的剩余空穴 所以 ? (?p 0 个剩余载流子的均匀可生计时间为 ∫  t 到 t + td [?p(t ] = τ t= ∫ d [?p(t ] - 0 ? (3 同∞理0 ?p → ∫ td [?n(t ] = τ t= ∫ d [?n(t ] ? (4 ∞ ? → τ -? 1 ?τ→ ? ? p ( τ = (? p 0 e = (??p (50 ? e 可见 ? τ -? ? n ( τ = (? n e = 1 (? n ? (6 0 0 ? → ? e ? 1 ? τ就是 ?p (t 衰减到 (?p 0 的 所需的时间 刘诺 e  - 0  ∞ τ  0 n §5.3 准 费 米 能 级 非均衡态的电子与空穴各自处于热均衡 态 准均衡态，但具 有同样的晶格温度： 1 ? ? ? → (1 E-E ? f n (E = ? ? 1 + e k 0T ? 1 ? f p (E = ? → (2 p EF -E ? ? 1 + e k 0T ? n EF ? 电子准费米能级 ? → p 刘诺 EF ? 空穴准费米能级 ? → n F 刘诺 §5.4 复 合 理 论 （2）间接复合 Ec 1、载流子的复合形式： （1）直接复合 刘 诺 Ev 复合率 R=rnp 2、带间直接复合： （ 1） 此中， r 是电子空穴的复合几率，与 n 和 p 没关。 （2） 热均衡时： G0=R0=rn0p0=rni2 假定复合中心浓度》多子浓度，于是⊿ n ≈⊿ p，则剩余载流子的净复合率 Ud=R-G =r（ np-n0p0≈r（ n0+ p 0 ） +r （ ⊿p ） 2 即 Ud≈r（ n0+ p 0 ）+r（ ⊿p ） 2 （3） 所以，剩余载流子的寿命： ? 1 ? 1 τ=?? → ? U ? ? ?p = r[(n + p + ?p] ? (4 ? 刘诺 0 0 ? d? (1 议论： 在小信号状况时 α ?n和?p n0 或 p0 1 τ≈?(5 ? 非均衡载流子的寿命是常数 ? → r (n0 + p0 1 (a 对于强 n 型 α n0 p0则 τp ≈ 对(b于强 p 型 α (c对本征半导体 p0 n0 则 则 rn0 1 τn? ≈(7 ? → rp0 ? (6 ? → (