测试结构的制作方法_1.docxVIP

PAGE PAGE 1 测试结构的制作方法 本申请涉及存储器件领域，详细而言，涉及一种测试结构。背景技术：在当前工艺条件下mtj阻值、性能可能存在一定的差异，对于芯片良率而言，阵列级(arraylevel)的mtj差异较晶片级(waferlevel)更为重要。然而对于阵列而言，对多个mtj器件举行均一性测试时，往往需要引入不同长度的金属线，导致测得的各个mtj器件的阻值包含了不同长度的金属线的阻值，误差较大。同时，在不引入mos的状况下，同一阵列内因为测试结构的测试电极的数量、面积等因素，能够举行测试的mtj数量也有限，而引入mos后又同时引入了mos的差异，使得数据误差增大。技术实现要素：本申请的主要目的在于提供一种测试结构，以解决现有技术中阵列中的mtj的均一性测试误差较大的问题。为了实现上述目的，按照本申请的一个方面，提供了一种测试结构，包括待测试结构、第一测试电极组和其次测试电极组。其中，所述待测试结构包括两个mtj，分离为第一mtj和其次mtj；所述第一测试电极组起码包括一个第一测试电极，所述第一测试电极与所述第一mtj电衔接，所述第一测试电极组用于给所述第一mtj提供电压，使所述第一mtj发生翻转；所述其次测试电极组起码包括一个其次测试电极，所述其次测试电极与所述其次mtj电衔接，所述其次测试电极组用于给所述其次mtj提供电压，使所述其次mtj发生翻转，其中，所述第一测试电极的个数和所述其次测试电极的个数相同，且所述第一测试电极和所述其次测试电极相同。可选地，所述测试结构还包括第一金属线组和其次金属线组，其中所述第一金属线组，用于电衔接所述第一测试电极组和所述第一mtj，所述第一金属线组包括起码一个第一金属线；所述其次金属线组用于电衔接所述其次测试电极组和所述其次mtj，所述其次金属线组包括起码一个其次金属线，所述第一金属线的个数和所述其次金属线的个数相同，且所述第一金属线和所述其次金属线相同。可选地，所述第一测试电极有一个，所述其次测试电极有一个，所述第一mtj的第一端与所述第一测试电极电衔接，所述第一mtj的其次端与所述其次mtj的其次端电衔接，所述其次mtj的第一端与所述其次测试电极电衔接，所述第一mtj的其次端和所述其次mtj的其次端均为正极或者负极。可选地，所述第一金属线有一个，所述其次金属线有一个，所述测试结构还包括第三金属线，用于电衔接所述第一mtj和所述其次mtj。可选地，所述第一测试电极有两个，所述其次测试电极有两个，一个所述第一测试电极与所述第一mtj的第一端电衔接，另一个所述第一测试电极与所述第一mtj的其次端电衔接，一个所述其次测试电极与所述其次mtj的第一端电衔接，另一个所述其次测试电极与所述其次mtj的其次端电衔接。可选地，所述第一金属线有两个，所述其次金属线有两个。可选地，一个所述第一测试电极和一个所述其次测试电极为同一个测试电极，所述测试电极与所述第一mtj和所述其次mtj分离电衔接。可选地，所述第一金属线有两个，所述其次金属线有两个，一个所述第一金属线和一个所述其次金属线具有公共段，一个所述第一金属线除所述公共段之外的部分为第一段，一个所述其次金属线除所述公共段之外的部分为其次段，所述第一段的第一端与所述第一mtj电衔接，所述其次段的第一端与所述其次mtj电衔接，所述第一段的其次端和所述其次段的其次端分离通过所述公共段与所述测试电极电衔接。可选地，所述第一mtj和所述其次mtj结构相同。可选地，所述金属线还包括若干个导通孔，所述导通孔用于连通金属线。本申请提供了一种测试结构，所述的测试结构，通过所述第一测试电极组与所述第一mtj电衔接，给所述第一mtj提供电压，使所述第一mtj发生翻转，所述其次测试电极组与所述其次mtj电衔接，给所述其次mtj提供电压，使所述其次mtj发生翻转，以此来测试阵列中的两个mtj的均一性，且所述第一测试电极和所述其次测试电极的个数相同、所述第一测试电极和所述其次测试电极也相同，避开了因所述第一测试电极和所述其次测试电极的差异对mtj均一性测试结果造成影响，有效地减小了测试过程中其他因素导致的测试误差，保证了测试结果越发精确?????。附图解释构成本申请的一部分的解释书附图用来提供对本申请的进一步理解，本申请的暗示性实施例及其解释用于说明本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：图1示出了按照本申请实施例的测试结构的暗示图；图2示出了按照本申请的一种详细的实施例的测试结构的暗示图；图3示出了按照本申请的一种详细的实施例的测试结构的暗示图；以及图4示出了按照本申请的一种详细的实施例的测试结构的暗示图。其中，上述附图包括以下附图标志：10、待测试结构；11、第一测试电极组