半导体物理：第2章 半导体中杂质和 缺陷能级.pdfVIP

第2章 半导体中杂质和 缺陷能级 半导体的杂质敏感性 半导体电子、空穴共同参与导电，可否调 制？P-N结，晶体管 §2.1 掺 杂 晶 体 §2.1 掺 杂 晶 体 理想半导体材料 原子静止在具有严格周期性晶格的格点位置上 晶体是纯净的，即不含杂质 (没有与组成晶体材料的元素不同的其它化学元 素) 晶格结构是完整的，即具有严格的周期性 实际半导体材料 原子在平衡位置附近振动 含有杂质； 晶格结构不完整，存在缺陷 点缺陷，线缺陷，面缺陷 杂质和缺陷的影响 使周期性势场受到破坏，有可能在禁带中引 入能级，从而对半导体的性质产生影响 影响半导体器件的质量（如性能等） 对半导体材料的物理性质和化学性质起决定性的 影响（如提高导电率） 5 3 10 硅原子中掺1个硼原子，则比单纯硅晶的电导率增加了10 倍 本章目的：介绍杂质和缺陷的基本概念 杂质 与组成晶体材料的元素不同的其他 化学元素 形成原因 原材料纯度不够 制作过程中有玷污 人为的掺入 金刚石结构中，密堆积时，原子占晶格体积比？ 8个原子，r=? 占体积比？ ～34% 分类(1)：按杂质原子在晶格中所处位置分 间隙式杂质 • 杂质原子位于晶格原子的间隙位置 • 要求杂质原子比较小 替位式杂质 • 杂质原子取代晶格原子而位于格点处 • 要求杂质原子的大小、价电子壳层结构等均与晶格原子相近 两种类型的 这里主要介 杂质可以同 绍替位式杂 时存在 质 分类(2)：按杂质所提供载流子的类型分 施主杂质 • 第V族杂质原子替代第IV族晶体材料原子 • 能够施放(Discharge) 电子而产生导电电子，并形成正电中 心的杂质（n型杂质） 受主杂质 • 第III族杂质原子替代第IV族晶体材料原子 • 能够接受(Accept) 电子而产生导电空穴，并形成负电中心 的杂质（p型杂质） 施 受 主 主 杂 杂 质 质 施主杂质(IV-V) 该多余电子运动状态： 分立的能级 1.比成键电子自由的多， E E 因为杂质含量低，不能共有化运动 D v 2.与导带底电子也有差别 （受到 + P 原子的库伦吸引力） （绕原子运动） E =E -E （在禁带中） D c 库