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二维材料类脑器件 目录 TOC \o 1-5 \h \z \o Current Document 摘要1. 弓I 言1 \o Current Document .类脑器件的基本构建条件3 \o Current Document . 感算一体器件5 \o Current Document .存算一体器件8 \o Current Document .总结与展望13 \o Current Document 参考文献14摘要 研究类脑器件是构建一个能够与大脑相媲美的类脑信息处理系统的重要基 础。二维材料凭借优异的电学与光电特性、可多自由度调控以及可三维垂直集 成等优势，为设计多功能的类脑器件提供了丰富的材料和机制选择。文章围绕 二维材料及异质结类脑器件的设计展开，通过总结最近的重要研究进展，探究 该领域未来可能面临的机遇与挑战。 关键词：二维材料；类脑器件；感算一体；存算一体1.引言 大脑是神经系统中结构最复杂、功能最高级的器官。19世纪伊始，生理学 家已开始对大脑及周围组织的功能展开系统性的研究。人脑拥有百亿数量级的 神经元，每个神经元通过数千突触与其他神经元相连接，形成错综复杂的信息 处理网络。这个庞大的网络实时接收各感官传递的模拟信息(如图像、声音、气 味等)，以高度并行的方式进行信息处理。整个过程消耗约20 W左右的能耗， 相当于一个灯泡的功率。与此同时，大脑具有学习和适应的能力，这为人工智 能的实现提供了最现实的参考范式。可以预见，如果能够将大脑如此卓越的信 息处理能力迁移至机器上，构建一个类似大脑的信息处理系统，将会为未来人 工智能的发展注入强劲的驱动力。 类脑计算(brain-inspired computing),也被称为神经形态计算(neuromorphic computing),就在这一背景下应运而生。它以神经元和突触接收刺激、信息整 第1页共16页关性能，擦写次数大于千万次，擦写时间小于100 ns。值得一提的是，由于石 墨烯和氧化硫化铝具有超高的热稳定性，以及石墨烯电极极佳的抗穿透性，使 该忆阻器在高达340℃的工作温度下仍具有稳定的擦写性能。这是对传统金属 氧化物忆阻器性能极限的一大突破，使存算一体器件在极端环境下的应用成为 可能。 同时，利用单种二维材料作为忆阻器开关层，普通金属作为电极，利用二 维材料生长获取过程中产生的晶界、位错、缺陷等来实现忆阻器开关的设计思 路，也得到了众多关注［40, 52-58］o例如，美国西北大学团队报道了利用化 学气相沉积(CVD)生长的单层硫化车目中的晶界(grain boundary)移动实现了平面结 构忆阻器的工作(图5(b))［53］o美国得克萨斯大学奥斯汀分校团队在CVD生长的 单层硫化铝、硒化铝、硫化鸨、硒化鸨以及氮化硼垂直结构中均发现了忆阻开 关现象，从而将非易失性存储器的垂直开关层厚度推至原子级［55, 59］。此 外，苏州大学团队在CVD生长的多层氮化硼垂直结构中也观察到忆阻现象，并 且利用其可调的存储特性模拟了突触可塑性行为［40］。 二维材料凭借其多样的物性调控自由度，为存算一体器件拓展了更广泛的 应用场景。例如，美国南加州大学团队将二维层状黑磷和硒化锡堆叠成垂直异 质结(图5(c)),并将其制备成晶体管型的类脑器件，利用电场调控该垂直异质结 的界面能带匹配，成功模拟了突触兴奋和抑制两种状态的转变［41］。华中科技 大学和中国科学院上海技术物理研究所合作团队利用二维材料与铁电材料近邻 耦合的物理机制，用相同的器件结构分别实现了外围电路和存储器的设计 ［60］o 一方面，铁电极化层为二维材料沟道提供电学掺杂的非易失性电场，从 而可以构建PN结或结型晶体管(BJT)等器件。这些器件作为构建运算放大器的 基本器件单元，有助于推动外围电路设计。另一方面，铁电畴的极化翻转可以 改变BJT结区的内建势垒，可用于设计非易失性存储器件。二维层状材料具有 多种不同的晶格结构，这些晶格结构具有不同的导电性，并能够通过掺杂手段 实现相互转化。美国密歇根大学团队通过电场驱动锂离子在硫化铝层间的水平 迁移，通过改变材料内锂离子的浓度使硫化铝发生由2H相(半导体相)到1T相 (金属相)的转变(图5(d))［45］。利用电场调控的离子迁移实现相变，他们成功模 拟了生物神经系统中突触间协作与竞争的关系。 第10页共16页 器件结构的合理设计通常会为器件引入更丰富多样的功能。例如，复旦大 学团队基于二维层状材料硫化铝，制备了具有顶栅和底栅两个栅极结构的晶体 管(图6(a*61］。当硫化铝厚度相当薄，大约在几个原子范围内(实验证实小于4 nm),可认为顶栅和底栅调控同一平面的沟道载流子。在这种情况下，每一个 栅极的电压均可以耗尽硫化铝沟道中的载流子。只有两个栅极电压均