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《低频电子线路》 ②集电极最大允许功耗PCM  ＝ 击穿区的功率损耗线（见下图） 第三十页，共七十九页。 《低频电子线路》 集电极最大允许功耗PCM（图） vCE 0 击穿区 iB 第三十一页，共七十九页。 《低频电子线路》 ③反向击穿电压 第三十二页，共七十九页。 《低频电子线路》 反向击穿电压 另有 VCEO＞VCER ＞VCES 第三十三页，共七十九页。 《低频电子线路》 极限参数 以上介绍的三个极限参数 PCM ICM V（BR）CEO 所限定的区域称为晶体管安全工作区。 第三十四页，共七十九页。 《低频电子线路》  §1.8 晶体管命名法 1、国产半导体分立元件标准 （国标） 2、国产半导体集成电路标准（国标） 第三十五页，共七十九页。 《低频电子线路》 1、国产半导体分立元件标准 （国标） 中国国家标准（GB—249—74）规定的中国半导体器件型号命名方法 第三十六页，共七十九页。 《低频电子线路》 中国半导体器件命名法 第一部分：用数字表示器件的电极数目 第二部分：用汉语拼音字母表示材料和 极性 第三部分：用汉语拼音字母表示器件的 类型 第四部分：用数字表示器件序号 第五部分：用汉语拼音字母表示规格号 第三十七页，共七十九页。 《低频电子线路》 第一部分 用数字表示器件的电极数目 符号和意义 2 二极管 3 三极管 第三十八页，共七十九页。 《低频电子线路》 第二部分 用汉语拼音字母表示材料和极性 第三十九页，共七十九页。 《低频电子线路》 第二部分（二极管） A N型锗材料 B P型锗材料 C N型硅材料 D P型硅材料 第四十页，共七十九页。 《低频电子线路》 第二部分（三极管） A PNP型 锗材料 B NPN型 锗材料 C PNP型 硅材料 D NPN型 硅材料 E 化合物 材 料 第四十一页，共七十九页。 《低频电子线路》 第三部分 用汉语拼音字母表示器件的类型 P 普通管 V 微波管 W 稳压管 C 参量管 第四十二页，共七十九页。 《低频电子线路》 第三部分 用汉语拼音字母表示器件的类型 Z整流管 L整流堆 S隧道管 N阻尼管 U光电器件 K开关管 第四十三页，共七十九页。 《低频电子线路》 第三部分 X 低频小功率管 （f?3MHz, Pc1W） G 高频小功率管 （f?≥3MHz,Pc1W） D 低频大功率管 （f?3MHz,Pc≥1W） A 高频大功率管 （f?≥3MHz,Pc≥1W） 第四十四页，共七十九页。 《低频电子线路》 第三部分 T 闸流管（可控整流器） Y 体效应器件 B 雪崩管 J 阶跃恢复管 CS 场效应管 BT 特殊器件 FH 复合管 PIN PIN型管 JG 激光器件 第四十五页，共七十九页。 《低频电子线路》 第三部分 注：有些半导体器件（如场效应管、特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件等）的型号第三部分只有其中的三、四、五部分 第四十六页，共七十九页。 《低频电子线路》 第四部分 用数字表示器件序号 第四十七页，共七十九页。 《低频电子线路》 第五部分 用汉语拼音字母表示规格号 第四十八页，共七十九页。 《低频电子线路》 示 例 锗PNP型高频小功率三极管 3 A G 11 C 规格号 序号 高频小功率 PNP型锗材料 三极管 ? 第四十九页，共七十九页。 《低频电子线路》 示例 CS 2 B 规格号 序号 场效应器件 第五十页，共七十九页。 《低频电子线路》 日本半导体型号标准 日本工业标准（JIS-C-7012）规定的日本半导体分立器件型号命名方法由五个基本部分组成，这五个基本部分的符号及意义见实验讲义。 第五十一页，共七十九页。 《低频电子线路》 示例 2