表面分析俄歇电子能谱的应用.pptVIP

界面扩散反应研究 从图29也可见，金属Cr的MVV俄歇线的动能为32.5 eV, 而氧化物Cr2O3的MVV俄歇线的动能为28.5 eV。在金属硅化物层及界面层中，Cr MVV的俄歇动能为33.3 eV，该俄歇动能比纯金属Cr的俄歇动能还高。根据俄歇电子动能的讨论，可以认为在金属硅化物的形成过程中，Cr不仅没有失去电荷，并从Si原子得到了部分电荷。这可以从Cr和Si的电负性以及电子排布结构来解释。Cr和Si原子的电负性分别为1.74和1.80，表明这两种元素的得失电子的能力相近。而Cr和Si原子的外层电子结构分别为3d54s1和3s13p3。当Cr原子与Si原子反应形成金属硅化物时，硅原子的3p电子可以迁移到Cr原子的4s轨道中，形成更稳定的电子结构。 图29 在不同界面处的Cr MVV俄歇线形 第三十页，共五十四页。 固体表面离子注入分布及化学状态的研究 通过俄歇电子能谱的深度剖析，不仅可以研究离子注入元素沿深度方向的分布，还可以研究注入元素的化学状态。 图30是SnO2薄膜经离子注入Sb后的薄膜的俄歇深度分析图[10,16]。从图上可见，离子注入层的厚度大约35nm，而注入元素的浓度达到12%。仅从Sb离子的注入量和分布很难解释离子注入薄膜的电阻率的大幅度降低。 离子注入Sb的SnO2气敏薄膜的俄歇深度分析图 第三十一页，共五十四页。 固体表面离子注入分布及化学状态的研究 图31是沿注入方向的Sn MNN俄歇线形变化。在注Sb膜层中，Sn MNN的俄歇动能为422.8 eV和430 .2 eV，介于金属锡和SnO2之间。显然在离子注入层中，Sn并不是以SnO2物种存在。在注Sb层中， Sn MNN的俄歇动能比无Sb层低，说明Sn的外层轨道获得了部分电子，这与UPS的研究结果是一致的。 在离子注Sb薄膜层中的Sn MNN 线形 第三十二页，共五十四页。 固体表面离子注入分布及化学状态的研究 从Sb MNN的俄歇线形（图32）也可见，在注入层中，Sb MNN 的俄歇动能为450.0 eV和457.3 eV，而纯Sb2O3的俄歇动能为447.2 eV和455.1eV。表明离子注入的Sb并不以三价态的Sb2O3存在，也不以金属态存在。由此可见，离子注入Sb薄膜的电阻率的降低不是由于金属态的Sb所产生的。这与Sb与SnO2的相互作用有关。Sb中的部分5p轨道的价电子转移到Sn的5s轨道，改变了薄膜的价带结构，从而促使薄膜导电性能的大幅度提高。 在Sb离子注入薄膜层中Sb MNN俄歇线形 第三十三页，共五十四页。 薄膜制备的研究 俄歇电子能谱也是薄膜制备质量控制的重要分析手段。对于Si3N4薄膜已发展了多种制备方法。如低压化学气相沉积(LPCVD)、等离子体化学气相沉积(PECVD)以及离子溅射沉积(PRSD)。由于制备条件的不同，制备出的薄膜质量有很大差别。利用俄歇电子能谱的深度分析和线形分析可以判断Si3N4薄膜的质量。 第三十四页，共五十四页。 薄膜制备研究 图33是用不同方法制备的Si3N4薄膜层的Si LVV线形分析[14]。从图上可见，所有方法制备的Si3N4薄膜层中均有两种化学状态的Si存在（单质硅和Si3N4）。其中，?APCVD法制备的Si3N4薄膜质量最好，单质硅的含量较低。而PECVD法制备Si3N4薄膜的质量最差，其单质硅的含量几乎与Si3N4物种相近。 不同方法制备的Si3N4薄膜的Si LVV俄歇线形分析 第三十五页，共五十四页。 薄膜制备研究 图34和35分别是运用等离子体增强化学气相沉积和离子溅射沉积方法制备的Si3N4薄膜的俄歇深度分析图。从图上可见，等离子体增强化学气相沉积法制备的Si3N4薄膜N/Si比较低，约为0.53 。 PECVD制备的Si3N4薄膜的俄歇深度分析 第三十六页，共五十四页。 薄膜制备研究 而用溅射法制备的Si3N4薄膜的N/Si则较高，约为0.90。在两种薄膜中，氧的含量均非常低，说明在薄膜的制备过程中，氧不是影响薄膜质量的主要原因。提高薄膜的N/Si比是控制质量的主要因素。而从Si LVV的俄歇线形分析可知，在PECVD制备的薄膜中存在大量的单质硅，而在PRSD制备的薄膜则主要由Si3N4组成。 PRSD制备的Si3N4薄膜的俄歇深度分析 第三十七页，共五十四页。 失效分析 俄歇电子能谱也是材料失效分析的有力工具。如金属材料的断裂一般多表现为有害元素在晶界的偏析。这里仅以彩电阳极帽的失效分析为例。正常的阳极帽在热氧化处理后，表面为灰色，而非正常的产品，表面为黄色。俄歇深度分析与表面定性分析表明在正常的产品的表面主要是Cr2O3紧密薄膜层。 而失效的阳极帽，表面主要是铁的氧化物，深度分析表明在阳极帽表面形成