半导体制造工艺离子注入.pptVIP

注入离子的真实分布 真实分布非常复杂，不服从严格的高斯分布 当轻离子硼（B）注入到硅中，会有较多的硼离子受到大角度的散射（背散射），会引起在峰值位置与表面一侧有较多的离子堆积；重离子散射得更深。 * 第二十六页，共三十九页。 横向效应 横向效应指的是注入离子在垂直于入射方向平面内的分布情况 横向效应影响MOS晶体管的有效沟道长度。 ?R? （μm） * 第二十七页，共三十九页。 35 keV As注入 120 keV As注入 * 第二十八页，共三十九页。 半导体制造工艺基础 第七章 离子注入原理 (上) 半导体制造工艺基础 第七章 离子注入原理 (上) 半导体制造工艺基础 第七章 离子注入原理 (上) 半导体制造工艺基础 第七章 离子注入原理 (上) 半导体制造工艺基础 第七章 离子注入原理 (上) 半导体制造工艺基础 第七章 离子注入原理 (上) 有关扩散方面的主要内容 费克第二定律的运用和特殊解 特征扩散长度的物理含义 非本征扩散 常用杂质的扩散特性及与点缺陷的相互作用 常用扩散掺杂方法 常用扩散掺杂层的质量测量 Distribution according to error function Distribution according to Gaussian function * 第一页，共三十九页。 实际工艺中二步扩散 第一步 为恒定表面浓度的扩散（Pre-deposition） （称为预沉积或预扩散） 控制掺入的杂质总量 第二步 为有限源的扩散（Drive-in），往往同时氧化 （称为主扩散或再分布） 控制扩散深度和表面浓度 * 第二页，共三十九页。 什么是离子注入 离化后的原子在强电场的加速作用下，注射进入靶材料的表层，以改变这种材料表层的物理或化学性质 ? 离子注入的基本过程 将某种元素的原子或携带该元素的分子经离化变成带电的离子 在强电场中加速，获得较高的动能后，射入材料表层（靶） 以改变这种材料表层的物理或化学性质 * 第三页，共三十九页。 离子注入特点 可通过精确控制掺杂剂量（1011-1018 cm-2）和能量（1-400 keV）来达到各种杂质浓度分布与注入浓度 平面上杂质掺杂分布非常均匀（1% variation across an 8’’ wafer） 表面浓度不受固溶度限制，可做到浅结低浓度 或深结高浓度 注入元素可以非常纯，杂质单一性 可用多种材料作掩膜，如金属、光刻胶、介质；可防止玷污，自由度大 离子注入属于低温过程（因此可以用光刻胶作为掩膜），避免了高温过程引起的热扩散 横向效应比气固相扩散小得多，有利于器件尺寸的缩小 会产生缺陷，甚至非晶化，必须经高温退火加以改进 设备相对复杂、相对昂贵（尤其是超低能量离子注入机） 有不安全因素，如高压、有毒气体 * 第四页，共三十九页。 磁分析器 离子源 加速管 聚焦 扫描系统 靶 r BF3：B++，B+，BF2+，F+, BF+，BF++ B10 B11 * 第五页，共三十九页。 源（Source）：在半导体应用中，为了操作方便， 一般采用气体源，如 BF3，BCl3，PH3，AsH3等。如用固体或液体做源材料，一般先加热，得到它们的蒸汽，再导入放电区。 b) 离子源（Ion Source）：灯丝（filament）发出的自由电子在电磁场作用下，获得足够的能量后撞击源分子或原子，使它们电离成离子，再经吸极吸出，由初聚焦系统聚成离子束，射向磁分析器 气体源：BF3，AsH3，PH3，Ar，GeH4，O2，N2，... 离子源：B ， As，Ga，Ge，Sb，P，... * 第六页，共三十九页。 离子注入过程是一个非平衡过程，高能离子进入靶后不断与原子核及其核外电子碰撞，逐步损失能量，最后停下来。停下来的位置是随机的，大部分不在晶格上，因而没有电活性。 * 第七页，共三十九页。 注入离子如何在体内静止？ LSS理论——对在非晶靶中注入离子的射程分布的研究 1963年，Lindhard, Scharff and Schiott首先确立了注入离子在靶内分布理论，简称 LSS理论。 该理论认为，注入离子在靶内的能量损失分为两个彼此独立的过程 (1) 核阻止（nuclear stopping） (2) 电子阻止 （electronic stopping） 总能量损失为两者的和 * 第八页，共三十九页。 核阻止本领与电子阻止本领-LSS理论 阻止本领（stopping power）：材料中注入离子的能量损失大小 单位路程上注入离子由于核阻止和电子阻止所损失的能量 (Sn(