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RF电路ESD防护设计会计学目录第1页/共98页ESD概述ESD防护设计方法过压防护原理和防护器件介绍RF电路ESD防护设计技术ESD防护实验案例分析ESD概述第2页/共98页基本概念半导体器件静电敏感特性ESD危害及损坏机理ESD防护控制手段基本概念第3页/共98页ElectrostaticElectrostatic Discharge（ESD） 接触放电，击穿介质放电ESSD（Electrostatic Sensitive Devices）ESDS（Electrostatic Discharge Sensitivity）ESD模型第4页/共98页人体模型 HBM人体金属模型 HBMM机器模型 MM充电器件模型 CDM场感应模型 FIM（FICDM）电缆放电事件 CDE半导体器件静电敏感性第5页/共98页尺寸（更加细小精密）集成度（更加复杂）材料（更加静电敏感）半导体器件静电敏感性第6页/共98页高频器件静电敏感特性第7页/共98页尺寸√ 尺寸小，结薄材料工艺√ GaAs，SiGe，InP，InGaP，Si FET，HBT，HEMT，BiCMOS，BJT集成度χESD危害第8页/共98页器件损伤 硬损伤，软损伤EMI 功能故障，系统跑飞污染（静电吸附）ESD损坏器件机理第9页/共98页_x0001_Fields..voltage 介质击穿Joule heating..energy 热熔化ESD损伤器件机理第10页/共98页介质击穿ESD损伤器件机理第11页/共98页热熔化ESD防护控制手段第12页/共98页过程控制 EPA（ECA） 环境，人员，材料 接地防护设计 结构，工艺，电路 ESD防护设计方法第13页/共98页ESD测试标准ESD防护设计思想和流程结构防护设计工艺防护设计电路防护设计ESD测试标准第14页/共98页IEC61000-4-2（GB17626-2） Electrostatic discharge immunity test 外壳 接触放电 空气放电 接口ESD测试标准第15页/共98页ESD测试放电波形 静电放电枪（ESD Gun）模型ESD防护设计思想第16页/共98页消除静电源切断放电通路（隔离静电源）控制放电电流端口防护： 在端口最近位置泻放ESD电流，阻止ESD脉冲进入后续电路。ESD防护设计流程第17页/共98页器件选用、防护电路设计、结构设计、工艺设计、材料选择测试验证，改进优化结构防护设计第18页/共98页布板（元件位置）接地（金属部件，单板，设备）产品材料应用（塑料材料的防静电处理）屏蔽（接口，开窗，开关，键盘，敏感单元）增加放电路径长度包装材料工艺防护设计第19页/共98页单板布线（边缘，屏蔽）标识，标签（单板，产品，过程）制造工具及工序，防静电处理辅助材料接地（装备，仪器，工具）放电处理电路防护设计第20页/共98页静电敏感器件的选用设计端口ESD防护电路单板、产品安全测试方法第21页/共98页过压防护原理和防护器件介绍过压防护原理过压防护器件工作机理防护器件特性对比接口防护器件结电容要求低容值防护器件介绍过压防护原理第22页/共98页高电压------大电流电压箝位电流泻放能量反射衰减过压防护器件第23页/共98页MOV（MLV）TSSGDTTVS二极管ESD/EMI专用防护器件R、L、C网络非线性器件线性器件过压防护器件特性第24页/共98页工作电压击穿电压箝位电压维持电压/电流通流容量/功耗结电容响应时间 极性寿命MOV（MLV）工作原理第25页/共98页MOV（MLV）工作原理第26页/共98页TSS工作原理第27页/共98页阻断区雪崩区负阻区低阻通态区 GDT工作原理第28页/共98页击穿电压 续流维持电压（20～50V ）TVS工作原理第29页/共98页二极管工作原理第30页/共98页快速开关二极管稳压二极管PIN二极管（低频功率型 ） 高击穿电压、速度快、电容量很小、PN结面积小、结薄 肖特基二极管（低频整流型功率管） 较低的正向压降（至），很小的结电容，位垒薄Polymer ESD抑制器工作原理第31页/共98页压敏介质 ：高分子聚合物（极低容值）R、L、C网络工作原理第32页/共98页电阻衰减网络 能量衰减LC滤波器 带外能量反射/衰减防护器件特性对比第33页/共98页防护器件类别响应时间结电容主要应用保护方式普通MOV慢：数十ns~us级大：数百~数万pFEOS（AC、雷电）箝位MLV快：ps~ns级一般：数十~数百pF，低达几pFEOS和中低频电路的ESD防护（中等能量）箝位GDT慢：数百ns~us级小：数pF~数百pF，可低于0.5pF雷电（大能量）负阻TVS快：ps~ns级一般：数十~数百pF，低达1pFEOS和中低频电路的ESD防护(低电压、小能