半导体制造技术导论（第二版）萧宏 第5章 加热工艺.pptx

2023/4/211第5章 加热工艺 本章主要内容 5.5 退火与快速加热工艺 5.3 扩散工艺 5.2 氧化工艺 5.6 本章小结 5.4 高温化学气相淀积 5.1 加热工艺的硬件设备 2集成电路工艺流程材料设计光刻板IC 工厂测试封装终测热处理光刻刻蚀去光刻胶离子注入 去光刻胶金属化化学机械研磨介质沉积晶圆 35.1 加热工艺设备 气体输送系统 高温炉 本节主要内容 控制系统 装载系统、排放系统 炉管 4高温炉气体输运系统工艺炉管装载系统排气孔控制系统水平式高温炉 (Horizontal Furnace) 5控制系统计算机微控器微控器微控器微控器微控器气体面板界面电路板装载站界面电路板排气界面电路板炉管界面电路板真空系统界面电路板 6气体输送系统气体钢瓶(Gas cylinders)调压器(Regulator)控制阀(Control Valve)Mass Flow Controller 7气体输送系统—气源 N2：用于净化、稳定 O2、 HCl、H2：干氧生长、湿氧生长 SiH4(硅烷)、SiH2Cl2(DSC, 二氯硅烷)、SiHCl3 (TSC,三氯硅烷)：淀积多晶硅 PH3(三氢化磷)、B2H6(氢化硼)：掺杂 NH3(氨气)：淀积SiN4 8装载系统、排放系统 装载站：晶圆装载、卸载和暂时存储区域 排放系统：燃烧箱(SiH4, H2)、过滤器(SiO2颗粒)、 洗涤器(有毒、腐蚀气体) 9炉管—水平式高温炉中心区平坦区距离温度加热线圈石英管气流晶圆中心区精准控制温度：±0.5℃ at 1000℃ 10炉管—垂直式高温炉反应室ProcessChamber晶圆 Wafer塔架 Tower加热器Heaters 11炉管—垂直式高温炉相较于水平式的优点： 占地更小 颗粒污染控制更好 处理晶圆能力更强 维护成本更低，正常工作时间更长 12炉管—晶舟或塔架石英： 优点：单晶SiO2，高温稳定 缺点：易碎；携带金属杂质；无法阻挡钠离子移动； 大于1200℃，表面碎片造成微粒污染碳化硅(SiC)： 优点：更强的热稳定性；更好阻绝移动离子 缺点：重，昂贵 2023/4/2113第5章 加热工艺 本章主要内容 5.4 退火与快速加热工艺 5.3 扩散工艺 5.2 氧化工艺 5.6 本章小结 5.5 高温化学气相淀积 5.1 加热工艺的硬件设备 145.2 氧化工艺 氧化工艺 氧化层的应用 本节主要内容 氧化层性质 氧化层测量 氧化层生长原理 15氧化层性质—物理性质性质SiSiO2比重 (g/cm3)2.232.20禁带宽度(eV)1.12~ 8介电常数11.83.9熔点(℃导率（W/cm?K）1.40.014击穿电场（V/cm）3×105 (6~10)×106 16氧化层性质—化学性质 化学性质非常稳定，仅被HF酸腐蚀。SiO2 H2SiF6 + 2 HO2二氧化硅 氢氟酸 氟硅酸 水 + 6 HF H2SiF6：溶于水 17氧化层的应用—举例 扩散遮蔽层(Diffusion Masking Layer) 表面钝化层(Surface Passivation) — 掩蔽氧化层(Screen oxide)、阻挡氧化层(Barrier Oxide) — 垫氧化层(Pad oxide)、牺牲氧化层(Sacrificial Oxide) 隔离(Isolation) —场氧、局部氧化(LOCOS)、浅槽隔离(STI) 栅氧(Gate Oxide) 18氧化层的应用—扩散遮蔽层Diffusion Masking LayerSiO2Si掺杂物(Dopant)~5000?掺杂物(Dopant) 19氧化层的应用—掩蔽氧化层SiO2Si光刻胶掺杂离子(Dopant Ions)100~200?目的：减小沟道效应Screen OxidePhotoresist 20氧化层的应用—场氧(Field oxide)晶圆清洗场氧化刻蚀氧化层SiSiSiSiO2SiO2有源区( Activation Area)Blanket Field Oxide5000 ~ 10000 ?Wafer CleanField OxidationOxide Etch 21氧化层的应用—LOCOS 与全区覆盖式场氧相比： —隔离效果更好 —台阶高度更小 —鸟嘴(占面积) —仍有表面台阶(平坦化问题) 被STI(Shallow Trench Insulation)取代 22氧化层的应用