半导体制造技术导论（第二版）萧宏 第9章 刻蚀工艺.pptx

2023/4/211第9章 刻蚀工艺 本章主要内容 9.3 湿法刻蚀工艺 9.2 刻蚀工艺基础 9.6 本章小结 9.1 刻蚀工艺的介绍 9.4 等离子体刻蚀工艺 9.5 刻蚀工艺的发展趋势 2集成电路工艺流程材料设计光刻板IC 工厂测试封装终测热处理光刻刻蚀去光刻胶离子注入 去光刻胶金属化化学机械研磨介质沉积晶圆 39.1 刻蚀工艺的介绍 刻蚀的应用 本节主要内容 什么是刻蚀 4 什么是刻蚀—定义Definition of Etch (刻蚀的定义) Process that removes(移除) material from surface Selective etch：选择性刻蚀或图形化刻蚀 Blanket etch：全局刻蚀 5 什么是刻蚀—多晶硅栅刻蚀例子Gate Mask Alignment (栅掩膜版对准) 6 什么是刻蚀—多晶硅栅刻蚀例子Gate Mask Exposure (栅掩膜版曝光) 7 什么是刻蚀—多晶硅栅刻蚀例子Development/Hard Bake/Inspection(显影/硬烘/检查) 8 什么是刻蚀—多晶硅栅刻蚀例子Etch Polysilicon (刻蚀多晶硅) 9 什么是刻蚀—多晶硅栅刻蚀例子Etch Polysilicon, Continue (继续刻蚀多晶硅) 10 什么是刻蚀—多晶硅栅刻蚀例子Strip Photoresist (剥离光刻胶) 11 IC Fabrication (集成电路制造) Mask making (掩膜版制造) Printed electronic board (印刷电路板) … … 刻蚀的应用Applications of Etch (刻蚀的应用) 12Wet Etch Profiles (湿法刻蚀图形) 刻蚀的应用—湿法刻蚀最小图形尺寸小于3 mm，须采用干法(等离子体)刻蚀 13Discussion: 哪里需要用刻蚀？ 刻蚀的应用— CMOS截面图 2023/4/2114第9章 刻蚀工艺 本章主要内容 9.3 湿法刻蚀工艺 9.2 刻蚀工艺基础 9.6 本章小结 9.1 刻蚀工艺的介绍 9.4 等离子体刻蚀工艺 9.5 刻蚀工艺的发展趋势 159.2 刻蚀工艺基础 刻蚀选择性 本节主要内容 刻蚀速率 刻蚀轮廓 负载效应 过刻蚀效应 残留物 刻蚀均匀性 16Etch Rate (刻蚀速率) Example: PSG film, etched for 1 minute. Before etch, t = 1.7 mm. After etch, t = 1.1 mm ER = (17000-11000)/1 = 6000 ?/min刻蚀速率Etch rate (刻蚀速率) = Thickness change after etchEtch time 17刻蚀的均匀性 18Selectivity (选择性)刻蚀的选择性Selectivity of BPSG to Poly-Si:S = =E1E2ER1ER2选择比 19Exercise刻蚀的选择性PSG film is 6000 ?, PSG to Si, S = 200:1, thickness of Si film is etched? 20刻蚀轮廓(各向异性)(各向异性，锥型)(各向同性)(各向同性，底切) 21刻蚀轮廓(各向异性，底脚)(底切，反向锥型)(底切，反向底脚)(底切，I线) 22负载效应 Macro Loading Effect (宏观负载效应) — ER(刻蚀速率) of a wafer is different if the open area(开口区域) is different — Mainly affects the batch(批量) etch process Micro Loading Efeect (微观负载效应) — Smaller hole(开孔) has a lower ER than the larger holes — Lower pressure can minimize the effect 23Micro Loading (微观负载)负载效应 24Profile Micro Loading (微观负载图形)负载效应 25过刻蚀Over Etch (过刻蚀) Film thickness and etch rate is not uniform(均匀) Over etch: removes(移除) t