半导体制造技术导论（第二版）萧宏 第8章 离子注入工艺.pptx

2023/4/211第8章 离子注入工艺 本章主要内容 8.3 离子注入工艺设备 8.2 离子注入中的机制 8.5 本章小结 8.1 离子注入的介绍 8.4 离子注入的应用 2集成电路工艺流程材料设计光刻板IC 工厂测试封装终测热处理光刻刻蚀去光刻胶离子注入 去光刻胶金属化化学机械研磨介质沉积晶圆 38.1 离子注入的介绍 离子注入的元素 本节主要内容 掺杂的两种方法 4 掺杂的两种方法Two ways to dope (掺杂的两种方法) Diffusion Ion implantation 5 First used to dope semiconductor(最早用于半导体掺杂) Performed in high temperature furnace(高温熔炉) Using silicon dioxide mask(用二氧化硅做掩膜) Isotropic process(各向同性工艺) Can’t independently(独立地) control dopant profile(轮廓) and dopant concentration(浓度) 掺杂的两种方法—扩散Diffusion (扩散) 6 掺杂的两种方法—扩散Dopant Oxide Deposition(掺杂氧化物淀积) 7 掺杂的两种方法—扩散Oxidation (氧化) 8 掺杂的两种方法—扩散Drive-in (推进) 9Ion Implantation(离子注入)Introduced to semiconductor manufacturing(半导体制造) in mid-1970sIndependently control(单独控制) dopant profile(掺杂分布) (ion energy, 离子能量) and dopant concentration (掺杂浓度) (ion current times implantation time)Anisotropic dopant profile(各向异性掺杂分布)Easy to achieve(获得) high concentration dope of heavy dopant atom such as phosphorus(磷) and arsenic(砷). 掺杂的两种方法—离子注入 10 掺杂的两种方法—离子注入Misalignment(不对准) of the Gate 11 掺杂的两种方法—离子注入Ion Implantation, Phosphorus(磷) 12 掺杂的两种方法—两者比较Comparison of Implantation and Diffusion 13 掺杂的两种方法—两者比较Comparison of Implantation and Diffusion(高温，硬掩膜)(低温，光刻胶掩膜)(各向同性掺杂分布)(各向异性掺杂分布)(不能独立控制掺杂浓度和结深)(能独立控制掺杂浓度和结深)(批量处理)(批量和单晶圆处理均可) 14离子注入的元素Ion Implantation(离子注入)Doping(掺杂)Pre-amorphous(预非晶化)Buried oxide(埋氧层)Poly barrier(Poly阻挡层)n-type: P, As, Sbp-type: BSi or GeON改变导电控制结深和浓度分布SOI防止杂质扩散 2023/4/2115第8章 等离子体工艺 本章主要内容 8.3 离子注入工艺设备 8.2 离子注入中的机制 8.5 本章小结 8.1 离子注入的介绍 8.4 离子注入的应用 168.2 离子注入的机制 离子射程 本节主要内容 阻滞机制 沟道效应 损伤与退火 17Two Stopping Mechanism (两种阻滞机制) Nuclear stopping (原子核阻滞) — Scattered significantly(散射明显) — Causes crystal(晶体) structure damage Electronic stopping (电子阻滞) — Incident ion path(入射离子路径) is almost unchanged — Energy transfer(能量转移) is very small — Crystal structure damage is negligible(可忽略)阻滞机制 18Stopping Mechanism (阻滞机制) The total stopping power (总的无阻力) Sn: nuclear stopping (原子核阻滞) — Low E(低能), hi