半导体制造技术导论（第二版）萧宏 第4章 晶圆生长.pptx

2023/4/211第4章 晶圆制造 本章主要内容 4.3 外延硅生长技术 4.2 晶圆生产技术 4.1 晶圆材料简介 4.5 本章小结 4.4 衬底工程 2023/4/2124.1 晶圆材料简介 缺陷 材料结构 本节主要内容 晶向 3材料结构 非晶态结构：原子排列无序 多晶态结构：部分原子排列有序 单晶态结构：原子排列有序 4材料结构—非晶态结构 5材料结构—多晶态结构晶粒(Grain)晶粒边界 6材料结构—单晶态结构 7晶向—硅材料 8晶向—晶胞SiSiSiSiSi 9晶向—100xyz100 平面SiSiSiSiSi用于MOS器件 10原子基本原胞晶向—100SiSiSiSiSi 11晶向—111xyz111 平面SiSiSiSiSi用于BJT器件 12原子基本原胞晶向—111SiSiSiSiSi 13晶向—100晶圆刻蚀斑 14晶向—111晶面刻蚀斑 15缺陷—点缺陷硅原子杂质原子在替代位置弗伦克尔缺陷空位或肖特基缺陷杂质原子在间隙位置硅间隙原子 16缺陷—位错 2023/4/2117第4章 晶圆制造 本章主要内容 4.3 外延硅生长技术 4.2 晶圆生产技术 4.1 晶圆材料简介 4.5 本章小结 4.4 衬底工程 2023/4/21184.2 晶圆生产技术 处理晶圆 材料提纯 本节主要内容 拉单晶工艺 19材料提纯—冶金级硅SiO2 + C Si + CO2 石英砂 煤或焦炭 冶金级硅 一氧化碳加热 冶金级硅(MGS)：纯度为98% ~ 99% 20材料提纯—冶金级硅普通石英砂冶金级硅 21材料提纯—电子级硅Si + 3HCl SiHCl3 + H2 冶金级硅 氯化氢 三氯硅烷 氢气300℃加热 电子级硅(EGS)：纯度 99.999 999 9% (9个9)SiHCl3 + H2 Si + 3HCl 三氯硅烷 氢气 电子级硅 氯化氢1100℃加热 22硅提纯步骤1Si + HCl? TCS 硅粉末氯化氢过滤器冷凝液纯化器99.9999999%纯度的TCS 反应室， 300 ?C材料提纯—电子级硅TSC：三氯硅烷 23液态 TCSH2载送气体的气泡H2和TCS工艺反应室TCS+H2?EGS+HClEGS材料提纯—电子级硅硅提纯步骤2 24材料提纯—电子级硅电子级硅 25拉单晶工艺—CZ法石墨坩埚单晶硅晶棒单晶硅籽晶石英坩埚加热线圈1415 ℃熔融硅 CZ法(直拉法)：Czochralski发明 26拉单晶工艺—CZ法300 mm Si crystal puller, Kayex Corp. 27拉单晶工艺—CZ法 28加热线圈多晶硅棒单晶硅籽晶加热线圈移动熔融硅提拉单晶工艺—悬浮区熔法 29 CZ 法更便宜拉单晶时可掺杂(磁场提高均匀性)更大的晶圆(300 mm)重复使用材料 悬浮区熔法纯度更高 (不使用坩埚)更昂贵，晶圆更小 (150 mm)主要用于功率器件掺杂用中子嬗变掺杂技术(均匀性高)提拉单晶工艺—两者比较 30处理晶圆—径向研磨径向研磨去头磨边 31处理晶圆—标记平边， 150 mm或更小缺口，200 mm或更大 目的：标记晶向、光刻预对准 32处理晶圆—标记 33处理晶圆—标记1234567890激光刻印数字Notch(定位槽) 34定位缺口晶体晶棒锯刀钻石薄层冷却液晶棒移动处理晶圆—切片 35处理晶圆—晶圆参数晶圆尺寸 (mm)厚度 (mm)面积 (cm2)重量 (g)27920.261.3238145.614.0510052578.659.67125625112.7217.87150675176.7227.82200725314.1652,98300775706.21127.6250.8 (2 in)76.2 (3in)450925±25*1590.43342.77*2008年10月设定的标准 36晶圆晶圆移动边缘圆滑处理前的晶圆边缘圆滑处理后的晶圆处理晶圆—边缘圆滑处理(倒角) 目的：避免机械处理时形成缺口或碎裂 37 目的：去除切片造成的表面损伤，平坦化 研磨浆：悬浮有极细氧化铝微粒的甘油处理晶圆—表面粗磨粗磨抛光(机械、双面研磨)： 38 目的：去除晶圆表面缺陷(深度10 mm) 材料：HNO3(水中浓度79%), HF(水中浓度49%) 和纯CH3COOH(醋酸, 辅助控制反应速率) 比例：4:1:3