半导体制造技术导论（第二版）萧宏 第11章 金属化工艺.pptx

2023/4/211第11章 金属化工艺 本章主要内容 11.3 金属淀积工艺 11.2 导电薄膜及其特性 11.4 本章小结 11.1 金属化工艺介绍 2集成电路工艺流程材料设计光刻板IC 工厂测试封装终测热处理光刻刻蚀去光刻胶离子注入 去光刻胶金属化化学机械研磨介质沉积晶圆 311.1 金属化工艺介绍CMOS: Standard Metallization 4Interconnection11.1 金属化工艺介绍 5Copper Metallization11.1 金属化工艺介绍 611.1 金属化工艺介绍Copper Metallization 7 Interconnection (互连) — Al, Al-Cu alloy(合金) — W plug, Ti/ TiN — Cu, Ta Gate and electrodes (栅和电极) — Al gate, Polysilicon gate, TiN gate — Silicide (WSi2, TiSi2, CoSi2, NiSi2)Applications11.1 金属化工艺介绍 2023/4/218第11章 金属化工艺 本章主要内容 11.3 金属淀积工艺 11.2 导电薄膜及其特性 11.4 本章小结 11.1 金属化工艺介绍 911.2 导电薄膜及其特性 导电薄膜的特性(厚度、均匀性、 应力、反射系数、方块电阻) 本节主要内容 导电薄膜(多晶硅、硅化物、铝、 钛、氮化钛、钨、铜、钽) 10 导电薄膜—多晶硅 Polysilicon Gates and local interconnections (局部互连) Replaced aluminum(铝) since mid-1970s — High temperature stability (高温稳定) — Heavily doped (重掺杂) LPCVD (第5章) 11 导电薄膜—硅化物 Silicide Much lower resistivity(电阻率) than polysilicon WSi2: WF6 + SiH4, Anneal TiSi2: PVD Ti, Anneal ( 750℃) CoSi2: PVD Co, RTA ( 750℃), 180 ~ 90 nm NiSi2: PVD Ni(Pt), RTA (450℃), 65 nm 12 导电薄膜—硅化物 Self-aligned Titanium Silicide Formation 13 导电薄膜—铝 Aluminum Most commonly used metal The fourth best conducting metal — Silver(银) 1.6 mW?cm — Copper(铜) 1.7 mW?cm — Gold(金) 2.2 mW?cm — Aluminum(铝) 2.65 mW?cm 14 导电薄膜—铝 Aluminum Junction Spike (结尖刺) — Si dissolves(溶于) in Al, Al diffuses into Si — ~1% of Si in Al saturates(饱和) it — anneal at 400 ℃ to form Si-Al alloy (合金)junction spike 15 导电薄膜—铝 Aluminum Electromigration (电迁移) — Electrons bombard(轰击) Al grains (晶粒) — a small percent of Cu, Al-Si-Cu alloy (合金) — Al-Cu (0.5%) alloy is very commonly 16 导电薄膜—钛Titanium Application — Silicide formation (形成硅化物) — TiN formation (形成氮化钛) — Welding layer (焊接层) — Barrier layer (阻挡层) — Wetting layer (浸润层) 17 导电薄膜—钛Applications of TitaniumTiNTiN 18 导电薄膜—钛Welding/Barrier Layer Reduce contact resistance (减小接触电阻) — Ti scavenges(清除) oxygen atoms — Prevent forming high res