半导体制造技术导论（第二版）萧宏 第3章 半导体基础.pptx

2023/4/211第3章 半导体基础 本章主要内容 3.3 基本元件构成的电路 3.2 半导体基本元件 3.1 半导体基本概念 3.4 本章小结 2023/4/2123.1 半导体基本概念 半导体的特点及用途 掺杂半导体 什么是半导体 本节主要内容 能带间隙 3什么是半导体导电能力（弱→强）绝缘体导体半导体橡胶陶瓷空气矿物油……金属电解质液电离气体纯净水半导体：导电性能介于绝缘体与导体之间； 既能充当导体也能充当绝缘体。……硅(Si)锗(Ge)砷化镓(GaAs)碳化硅(SiC)氮化镓(GaN)…… 4什么是半导体IVAIIIAVIA 5能带间隙—能带价带, Ev禁带宽度, Eg价带壳层原子核导带, Ec 6能带间隙—电阻率Eg = 1.1 eVEg = 8 eV铝(Aluminum)2.7 mW·cm钠(Sodium)4.7 mW·cm硅(Silicon)~ 1010 mW·cm SiO2 1020 mW·cm导体半导体绝缘体dioxidedioxide 7半导体特点及用途问题1：绝缘体可变为导体吗？反之，可以吗？问题2：半导体可体现导体或绝缘体的特点吗？回答1：可以。比如，纯净水 电解质液。←→回答2：可以。掺杂，pn结；电、光、热控制。问题3：半导体有何用？回答3：处理信号，处理电能、光能。 8掺杂半导体—Si材料硅(Si)是最常用的半导体，为何选择硅？资源富足，便宜热稳定性好二氧化硅(SiO2)很容易形成SiO2 是良好绝缘体，用来做隔离和掩蔽层 9SiSiSiSiSi-SiSiSiSiSiSiSiSiSi共价电子对Si最外层轨道有4个电子掺杂半导体—Si的晶体结构 10掺杂半导体—掺杂杂质IVAIIIAVIAP型掺杂杂质(引入空穴)N型掺杂杂质(引入电子) 11掺杂半导体—N型掺杂电子-SiSiSiSiSiSiSiSiAs额外价带, EvEg = 1.1 eV导带, EcEd ~ 0.05 eV 12掺杂半导体—P型掺杂价带, EvEg = 1.1 eV导带, EcEa ~ 0.05 eV电子 空穴-SiSiSiSiSiSiSiSiB 13掺杂半导体—P型半导体导电原理价带, EvEg = 1.1 eV导带, EcEa ~ 0.05 eV电子空穴电子空穴价带, EvEg = 1.1 eV导带, Ec价带, EvEg = 1.1 eV导带, Ec电子空穴 14掺杂半导体—电阻率掺杂浓度(Dopant concentration)电阻率P型, 硼(Boron)N型,磷(Phosphorus)Resistivity电子迁移率高于空穴迁移率电阻率反比于掺杂浓度和迁移率 2023/4/2115第3章 半导体基础 本章主要内容 3.3 基本元件构成的电路 3.2 半导体基本元件 3.1 半导体基本概念 3.4 本章小结 2023/4/21163.2 半导体基本元件 双极型晶体管(BJT) MOSFET 电阻(Resistor) 本节主要内容 电容(Capacitor) CMOS反相器 存储器(Memory) 17电阻(Resistor)—计算公式lhwrn型掺杂为例：r =1/(qNDmn)ND: 掺杂浓度mn: 电子迁移率r: 电阻率 18电阻(Resistor)—集成电阻多晶硅(poly Si)电阻 电容(Capacitor)—计算公式wldeIeI:介电系数19 电容(Capacitor)—集成电容SiPoly SiOxide(a)平板式Poly 1Poly 2Dielectric Layer(b)折叠式Heavily Doped SiPoly SiSiDielectric Layer(b)深沟槽式20 电容(Capacitor)—寄生效应21IMetal, rDielectric, eIdwl寄生电阻和寄生电容导致RC延时0 V0 V→3 VAB电流电流G(1) 外加栅压G信号从0V→3V(2) 经RC回路充电，A点和B点从0V→3V(3) r大，R大，I小，tdelay长；eI大，C大， tdelay长 22二极管(Diode)—基本原理PNAKAKPN+ ++ ++ ++ ++ +----------PN空穴扩散电子扩散内建电场(阻止扩散)PN结的内建电势(约0.7V) 23二极管(Diode)—IV特性(1) VAK 0.7 V，克服内建电势，导通；(2) -VB VAK 0.7 V，载流子无法越过势垒区，截止；(3) VAK -VB，pn结处电场达到临界击穿电场，击穿。VAK IAK 0.7V-VB PN+ ++ ++ ++ ++ +----------AK 24二极管(Diode)—集成二极管np 25BJT—基本结构BJT：Bipolar