原创力文档- 22
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- 2023-05-13 发布于四川
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本发明提供一种二维半导体材料的转移方法，包括：在生长衬底上制备二维半导体材料，得到二维半导体材料/生长衬底结构；旋涂PMMA并加热固化得到PMMA固化胶层/二维半导体材料/生长衬底的三层结构；保持转移环境湿度大于50％RH，将目标区域的PMMA固化胶层/二维半导体材料两层结构夹起贴附到目标衬底上，得到PMMA固化胶层/二维半导体材料/目标衬底三层结构，经室温静置、丙酮浸和去丙酮处理后，用氮气枪吹干，得到二维半导体材料/目标衬底的双层结构。本发明提出的高湿度环境下进行二维半导体材料的干法转移，既保
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114649200 A
(43)申请公布日 2022.06.21
(21)申请号 202210274087.6
(22)申请日 2022.03.20
(71)申请人 湘潭大学
地址 411105 湖
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