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n型高阻硅单晶电阻率均匀性的控制 1 引言 高阻 n 型〈 111〉硅单晶被广泛用在功率器件方面。近年来许多功率器件厂家为提 高成 品率，对硅单晶的电阻率径向均匀性提出了更为严格的要求。 普遍要求 n 型〈 111 〉 ①100mm 硅单晶片的电阻率不均匀性小于 15%,有的单位甚至要求小于 10% 。n〈 111〉 晶向硅单晶生长过程中，易出现( 111 )小平面，存在小平面效应，由于磷的分凝系数 小,使得 其径向电阻率均匀性较差,出现中心低周围高的现象,影响器件局部电性能, 对器件参数的一致性 产生不良影响。采用普通工艺拉制高阻 门型〈111〉①100mm 电阻 率在 38~55Q ? cm 硅单晶，电阻率径向不均匀性在 20%左右或更高；米用提高晶转速度， 增 加拉速等, 可以使电阻率径向不均匀性控制在 15%~20%,而采用一般的磁场拉晶工艺, 可使硅片电阻率不均匀性控制在 15%以内,采用改进的磁场拉晶工艺,电阻率不均匀性 可控制在 10%以内。 2 实验 实验 1 采用 TDR-70B 单晶炉， 300mm 热场，拉制 n 型〈111电阻率 38~55Q -cm ①100mm 硅单晶，晶转为 15, 25r/min ,埚转为 6 r/min ,初始提速为, , 拉制 4