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蓝宝石单晶研磨试验研究 0 化学-机械抛光cmp 蓝珠晶体，又名白宝石，具有硬度高、透光性好、耐用性好、化学稳定性好、热传导性好、磁极性能好等特点。广泛应用于工业、国防、科学研究等领域。同时，它也是一种广泛使用的原材料。与以前的si和mgo相比，在蓝珍珠衬底上生长的gen的晶体失禁系数相对较小，因此也是重要的原材料绥偏器。 为了满足蓝宝石超光滑表面的要求, 通常采用化学机械抛光 (CMP) 技术进行加工。由于蓝宝石的硬度比较高且质地较脆, 在研磨过程中用金刚石为磨料造成的表面划痕在抛光过程中去除的速率很低, 大大耗费了工时, 影响了产品的竞争力。本文通过蓝宝石晶片研磨试验, 研究不同磨料以及不同工艺参数对蓝宝石研磨表面和去除率的影响, 得出了相对较好的加工工艺 1 过滤和研磨除杂试验 研磨试验所用设备采用国产ZYP200研磨抛光机, 如图1所示。研磨加工时, 研磨盘在电机的带动下随主轴转动, 载物盘装在研磨盘上随同旋转, 载物盘两边有两个支撑载物盘的导轮, 同时带有一个驱动电机, 在研磨过程中载物盘可以在摩擦力的作用下自由转动, 也可以开启电机使载物盘匀速转动。 试验所用样品为10×10mm蓝宝石切割片, 厚度430μm, 晶面 (1120) 面。样片用石蜡粘在载物盘上, 以等半径120°间隔均匀分布, 如图2所示。 试验中研磨的压力通过增加配重盘的数量来改变。研磨液由自动滴料器供给, 使用不同磨料时需用去离子水进行彻底清洗后再使用。加工完毕, 退下用石蜡粘在载物盘上的样片, 先用丙酮擦洗, 然后用去离子水清洗, 最后对样片进行强力风干。 表面粗糙度采用Talor round 2000触针接触进行测量, 每张样片测三条线, 取平均值作为最后结果。用失重法检测样片去除率, 采用设备为德国产Sartorius CP225D型精密天平 (精度0.01mg) , 每张样片测量三次, 按照平均值作为参与计算的数据。本试验采用单因素方法进行。 2 关于研磨工艺的讨论 2.1 磨料的硬度对表面类质量指标的影响 由于蓝宝石硬度较大, 选择了Si O 图4为不同磨料的表面粗糙度曲线, 由图可知, 磨料的硬度越大, 对材料表面的划痕就越深。Si C对晶片表面的划痕最大, 白刚玉 (Al 图5为不同磨料的材料去除率曲线。材料的去除率与磨料的粒径有关, 磨粒的粒度越大, 材料的去除量也越大。由图可知, Al 综合比较可以看出, Si O 2.2 磨料浓度和研磨液浓度 当磨料浓度增加时, 去除率逐渐增大。这是因为当磨料浓度增加时, 同样体积研磨液中间含有的有效研磨颗粒增加了, 在粒径相同时它的机械作用增强了。当浓度增大到一定程度去除率就不再增加。所以适当增加磨料浓度有利于提高去除速率。然而对表面粗糙度的影响不大, 但是如果研磨液浓度过低实际上就造成了研磨盘本身和晶圆片之间的相互摩擦, 对晶圆片进行刮擦, 增加了粗糙度。本实验采用去离子水配制Si O 2.3 磨料的压碎与除除量 图8和图9分别为研磨压力对材料去除率和加工表面粗糙度的影响曲线。由图8可知, 当研磨压力上升时, 材料去除量也随之增大, 但在9.8N之前, 影响是比较大的, 在其之后, 影响却不显著, 原因可能是磨料由于压力过大被压碎, 或是由于磨料的硬度过大, 被压入到研磨盘中, 都没有有效地增大切削部分, 所以去除量增大不明显。图9中, 第一个数据偏离其他的数据过大, 可以看作误差处理, 总体的趋势还是下降的, 但下降的不是很明显, 当研磨压力增大时, 磨粒嵌入研磨盘的程度会加大, 相当于磨料的粒度变小, 从而导致基片的粗糙度值下降 3 研磨液浓度对表面粗糙度和去除率的影响 在蓝宝石晶圆研磨加工过程中, 相同粒径的材料硬度和压力的增加虽然使材料去除率增加了, 同时表面粗糙度逐渐增大。研磨液浓度的提高可以增加材料的去除速率, 而对表面粗糙度影响不大。综合考虑, Si O