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新一代磁帧阵列记录技术综述 1 磁盘/磁光超分辨存储技术 1988年出版的磁光cd是信息存储工具技术的一项重大成就。磁光存储是一种共存光存储和磁存的存储方法。不仅具有高存储容量，还具有可重复使用的平均存储速度，并且与硬盘驱动器硬盘驱动器的距离接近正常存储速度的优点。特别磁光盘具有保存时间长、可靠性高、使用寿命长、误码率小等优异性能。磁光盘发展的主要方向是提高存储密度,以求降低记录位的成本。磁光盘可通过缩短记录激光波长、磁超分辨读出技术(MSR)、磁畴放大读出技术(MAMMOS)、畴壁移动检测技术(DWDD)等方法使记录密度大幅度提高,而利用磁光超分辨近场结构光存储有望实现超高密度存储。本文对上述几种磁光存储技术的原理进行了介绍并对磁光盘记录技术的现状及发展方向进行了综述。 2 用于高密度磁光存储的一些技术 2.1 gan半导体激光器 在光衍射极限下,光线的聚焦直径d与光波长λ成正比与镜头的数值孔径NA成反比(d=0.5λ/NA),而存储密度正比于(NA/λ)2。因此,降低激光波长或增大透镜的数值孔径将有助于记录密度的进一步提高。激光波长不断向短波长方向发展,从波长0.8μm左右GaA1As/GaAs双异质半导体激光器,发展到波长0.65μm左右GaA1InP半导体激光器。下一代磁光盘将采用GaN半导体激光器,1999年GaN激光器已实现商品化,估计在2～3年内会应用于光盘。采用GaN激光器,记录密度还会有2～3倍的提高。Kawase K等人对传统磁光盘进行热学结构的优化设计,用407nm波长的Kr激光器,NA0.6的装置,测得最大面密度可达10Gb/inch2。这类热学结构优化设计的磁光盘,膜层结构复杂,不易实用化。短波长记录和读出技术的发展方向是采用短波长磁光记录材料,以简化膜层结构。 2.2 “短波长超分辨盘”技术 磁超分辨读出(Magnetically Induced Super Resolution)技术可以在不改变现有磁光驱动器读出激光波长条件下通过在磁性层上覆盖磁性掩膜层(也称读出层)来实现小尺寸记录畴读出,该技术已实用化。1991年Sony公司利用多层膜的偶合作用首先开发了一种称之为热虹蚀读出(Iris thermal eclipse read-ITESTER)的超分辨信号读取技术。超分辨读取方法基本原理如图1所示,信息存储在光学性能不受读出光影响的记录层上,而读取信号是由记录层上的信息转移到光学性能受读出光控制的读出层上。读出光的中心温度高(光斑的能量密度按高斯分布),且在盘片高速旋转下,光速有一重叠,其重叠部分的高温区起到一个“热虹食”效应,它类似于读出部分被掩盖的作用。掩膜层中能够复制记录层中内容的部分为光阑或开口(Aperture),根据开口在光斑中的相对位置,磁超分辨技术可分为前孔径探测(Front Aperture Detection,FAD),后孔径探测(Rear Aperture Detection,RAD)和中心孔径推测(Center Aperture Detection,CAD)等三类。 第四代、第五代磁光盘采用了MSR超分辨技术,激光波长650nm,3.5in MO容量分别提高到1.3GB、2.5GB。如果用405nm蓝光来实现MSR,那么存储密度还会有2～3倍的提高。Tanaka Y等人设计了一种新颖的CAD-MSR磁光盘,读出层为RE-TM材料,道间距0.4μm、记录点长度0.147μm,用405nm GaN激光器和数值孔径NAO.6的装置,测得CNR为43dB。记录密度达到11Gb/inch2,?120mm盘存储容量15GB,这种短波长磁超分辨盘还须减小噪声才有可能实用化。另一类短波长超分辨光盘读出层材料采用短波长材料,Xu Y X等人研究了NdGdFeCo作读出层的RAD-MSR盘,激光波长680nm,所用读出磁场强度4000e,测得记录畴长度0.31μm的CNR为45dB。NdGdFeCo作读出层在405nm克尔角较大,且此类超分辨膜层结构简单。所以用短波长材料Bi∶DyIG、Pt-Co合金膜、LRE-TM薄膜等作为读出层的超分辨光盘结构更有发展前景。 2.3 数字视频监控系统的原理 1996年,Awano H等人提出磁畴放大读出技术(Magnetic amplifying magneto optical system,MAMMOS)。其原理如图2所示,存储介质由两层膜构成,一层为信息记录层,另一层是磁畴扩大层。当聚焦光束照射时,中心温度高于某一温度后,记录层的记录磁畴位向读出层复制(这时外加磁场为零)。当读出磁畴位受到一外加磁场(约8kA/m)的作用时,其磁畴会扩大,读出信号的幅度成数倍地增大。当外加磁场反向时,被扩大的磁畴记录位将收缩至破灭。记录层的矫顽力远大于外加磁场,被记