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高温制备钨掺杂vo 作为一种具有热敏性的加工材料，v2薄膜从68下可从单斜结构半向金红石结构金属相的逆转变。伴随相变过程的发生,VO2薄膜的表面电阻及红外透过率将发生突变,这种光电性能的突变使VO2薄膜在光存储器件、光电开关、激光防护、智能窗等领域具有广泛的应用前景。降低材料的相变温度是VO2薄膜应用中的关键问题。离子掺杂能有效地降低VO2薄膜的相变温度,其中W是最有效的掺杂元素。目前制备掺杂VO2薄膜的方法主要有溅射法、离子注入法和溶胶凝胶法。 采用溶胶-凝胶法制备掺杂VO2薄膜容易实现掺杂浓度的控制,得到掺杂均匀的薄膜。但是常规溶胶凝胶法通常采用价格昂贵、稳定性不好的钒的有机盐类为前驱体,相比而言,无机溶胶-凝胶法制备VO2薄膜工艺更加方便简单,同时降低了成本,但由于V2O5水溶胶在存在微量电解质的情况下就会产生凝胶,难以直接在溶胶中加入掺杂离子实现掺杂。Shiqing Xu等曾采用MO3(熔点795℃)和V2O5为原料共熔制备掺钼的VO2薄膜,得到每掺入1%的Mo相变温度下降7℃的结果。介于WO3的熔点(1475℃太高,本实验首次以均匀混合的钨酸氨和V2O5粉体为原料,采用高温共熔水淬的方法在云母片(001)表面制备W掺杂VO2薄膜,研究了W6+对VO2薄膜相变温度和光学性能的影响。 1 实验 1.1 试剂4:5h5[h V2O5,分析纯,成都科龙化学试剂厂;(NH4)5H5[H2(W O4)6]?H2O,分析纯,成都科龙化学试剂厂;优质天然云母片,产自四川丹巴地区。 1.2 溶胶、薄膜的制备 将X g(其中X=0.1 0、0.2 0、0.2 5、0.3 0g)(NH4)5H5[H2(WO4)6]?H2O溶入50 m L去离子水,加入5 g V2O5粉体配成悬浊液,在搅拌加热的条件下将悬浊液蒸干后150℃下干燥2 h。干燥后的混合粉体置于800℃下保温30 min,然后将熔融的液体快速倒入300 m L去离子水,常温下剧烈搅拌2 h即得到掺W后的深棕色V2O5水溶胶。采用浸涂法制备薄膜,将洗涤干燥后的云母片浸入溶胶中,缓慢提出,然后在灯光下干燥,重复2次。干燥后得到V2O5凝胶薄膜。500℃下,使凝胶薄膜在静态氩气气氛中退火还原1 h后得到VO2薄膜。根据钨酸氨的加入量X,可以计算掺杂薄膜中W和V的原子比分别为0.68%、1.34%、1.69%、2.04%。 1.3 薄膜结构分析 采用原子力显微镜(Nanoscope Multimode SPM,Vecco)观察薄膜形貌;采用XRD(X’Pert,Philips)及XPS(Xsam800,Kratos)分析薄膜结构;采用傅里叶变换红外光谱仪(Tensor27,Bruke)及其自带的智能升温控温设备测试薄膜在不同温度下的红外透过率,确定其相变温度。 2 结果与讨论 2.1 表面粗糙度和表面粗糙度23. 图1为采用原子力显微镜观察到的薄膜相位图(选区范围2000 nm×2000 nm)。可知,未掺杂薄膜由球形颗粒状构成,颗粒大小为80~150 nm,表面粗糙度9.2 nm,掺杂后组成薄膜的颗粒呈柱状,长度为120~180 nm,排列方向无明显规则,产生了部分颗粒的聚集,同时表面粗糙度降低到3.6 nm。相同衬底上影响薄膜形貌的因素还有薄膜的厚度,本样品为采用相同浓度的溶胶在云母片表面浸涂2次得到的,样品的厚度相同,故而此处造成薄膜形貌变化主要是由于W掺杂降低了薄膜相和基底相的界面能,影响到VO2晶体在云母片表面的生长,使云母表面的VO2薄膜样品更加平整。 2.2 薄膜的晶面特征 图2为掺杂薄膜样品(1.69%)在0~1100 e V范围的宽程扫描谱。由图2可知,XPS谱中出现了明显V和O原子的峰,位于287.8 e V的峰为测试过程中引入的C1s杂质峰。由于强度较高的V3p峰和强度较弱的W4f峰存在部分重叠,故而XPS全谱中的W4f峰不明显。 图3为W掺杂薄膜中V2p和W4f的XPS谱峰分离图。由图3可知,在37.50、35.27 e V出现了2个较弱的峰,对应于W4f5/2、W4f7/2峰(如图3b),参比标准结合能可知,W在VO2薄膜中以WO3的形式存在。在512~528 e V范围内V2p峰的窄程扫描谱如图3a所示,采用高斯曲线对V2p3/2进行拟和,从图3a中可以看出,薄膜中存在+4价和+5价钒离子,结合能分别为516.4和517.8 e V,半高宽分别为2.3和2.2 e V。通过V4+和V5+峰所包含的面积。计算可以得到其中V4+所占比例为70.8%,表明了通过退火还原后,得到的薄膜主要成分为VO2。同时,XRD结果表明(如图4)所示,衍射谱中只出现了VO2的(011)衍射峰,没有其他钒氧化物的峰出现,表明了V2O5在薄膜中所占的比例较小,主要由于样品表面破氧化