大尺寸高性能的GdB6单晶.pdf

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 111910249 B (45)授权公告日 2022.07.08 (21)申请号 202010684686.6 C30B 28/02 (2006.01) (22)申请日 2020.07.16 (56)对比文件 (65)同一申请的已公布的文献号 CN 103205801 A,2013.07.17 申请公布号 CN 111910249 A CN 108048907 A,2018.05.18 梁超龙.(Gd1-xREx)B6单晶的制备及发射性 (43)申请公布日 2020.11.10 能研究.《百度学术》.2015, (73)专利权人 合肥工业大学 梁超龙.(Gd1-xREx)B6单晶的制备及发射性 地址 230009 安徽省合肥市包河区屯溪路 能研究.《百度学术》.2015, 193号 包黎红.稀土六硼化物多晶和单晶阴极材料 的制备、结构与性能研究.《道客巴巴》.2014, (72)发明人 杨新宇　宁舒羽　张久兴　王衍　 审查员 苏汀 (74)专利代理机构 北京山允知识产权代理事务 所(特殊普通合伙) 11741 专利代理师 胡冰 (51)Int.Cl. C30B 29/10 (2006.01) C30B 13/16 (2006.01) 权利要求书1页 说明书5页 附图5页 (54)发明名称 高性能、大尺寸GdB6单晶，及其制备方法 (57)摘要 本发明公开了一种大尺寸、高性能的GdB 单 6 晶，及其制备方法。所述GdB 单晶不包含GdB ，特 6 4 别地，GdB 单晶的直径为3～7mm。所述GdB 单晶 6 6 的摇摆曲线半高宽仅为0.1～0.25°；其在1873K 2 的温度下的最高发射电流密度为6.50A/cm 以 上。本发明所述的大尺寸、高性能的GdB 单晶非 6 常适合用作电子束焊机中的阴极材料。 B 9 4 2 0 1 9 1 1 1 N C CN 111910249 B 权　利　要　求　书 1/1页 1.一种制备GdB单晶的方法，其包括如下步骤： 6 单晶体制备：在惰性氛围下，将多晶GdB放置在光学区熔设备中，设置熔区的长度为2～ 6 5.6mm，以及设置光斑直径为8～8.5mm，进行两次区熔，加热功率为11KW以下，第一次区熔速 度为11～30mm/h，第二