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日本高效紫外发光二极管led的发展 1 日本led能源系统项目 1997年12月，日本政府决定将2010年日本能源消耗产生的cop3代谢减少到日本，并将其转换为1990年。根据这一政策, 日本在工业、家庭和交通领域采取了一系列措施以减少温室效应气体, 如降低CO2的排放量。 此项工程旨在通过减少照明业的能量消耗 (约占全部电力供应的20%～40%) 实现上述目标。高效率的LED不仅节约了大量能源, 还能为人们营造快乐的家庭环境。据有关专家预测, 如果能够实现用白光LED达到节能的目的, 则今后20年内日本将无需新建发电厂。 该项工程由日本经贸产业部 (METI) 为新能源和工业技术发展组织 (NEDO) 提供资助, 具体由NEDO和日本金属研究开发中心 (JRCM) 共同实施。研发工作由4所大学、13家企业和1个协会 (日本电灯制造协会) 合作完成。 2 stkies位移的实验研究和分析 众所周知, 可见光LED与已有的光源相比具有许多优点, 如使用寿命长、功耗少、尺寸小、亮度高、光谱纯度佳等。LED的性能每10年提高约10倍。在过去的10年, 白光LED技术的性能显著提高。为了开发使用高亮度紫外-白光LED的有效光源, 日本科研人员开展了以下4个研究项目: 1) GaN基化合物半导体的发光机理的基础研究; 2) 改进用于紫外LED外延生长的方法; 3) 研究用于同质外延生长的大面积衬底; 4) 开发由紫外LED激励产生白光的荧光粉, 并生产出使用白光LED照明的光源。 白光照明研究和开发的国家项目计划在2003年将紫外-白光LED的发光性能提高到80 lm/W, 到2010年提高到120 lm/W。 在上述4个研究项目中可以获得以下重要结果: (1) 发光机理的基础研究; 为了阐明InGaN基半导体的发光机理, 科学家开展了时间分辨光致发光 (PL) 和选择性激发PL测量的研究。PL激发光谱使科学家首次观察到在室温下与InGaN三元合金的吸收相关的清晰结构 (参见图2) 。研究人员发现Stokes位移并不依赖温度而变化 (参见图3) , 且辐射复合过程由两个本征发射成分构成, 与之相应的载流子均由同一个激发态发生弛豫。 Stokes位移的实验数值与基于电子-声子相互作用原理的理论值相吻合。一些科学家认为, 电子的极化态对这一材料系中的高效辐射复合过程起到了有效作用。实验结果对紫外LED内的高效复合机理的解释十分重要。 (2) 光功率紫外LED外延生长工艺的改进。 具有InGaN多量子阱 (MQW) 结构的紫外LED是在具有图形的蓝宝石衬底 (PSS) 上采用金属有机汽相沉积外延生长工艺实现的。在该项研究中, 沿11-20蓝宝石方向带有平行槽的PSS是通过标准的光刻法和随后的反应离子刻蚀 (RIE) 工艺加工而成的。由具有图形衬底上的横向外延 (LEPS) 工艺生长的GaN层的位错密度为1.5×108cm-2。LEPS紫外LED芯片安装在倒装焊片结构的Si基上。在室温下以正向偏压电流为20mA驱动LEPS紫外LED时, 其发光波长、输出功率和外量子效率分别为382nm, 15.6mW和24%。随着正向偏压电流的增加, 输出功率呈线性增加。据估计, 其数值在50mA电流下为38mW。 图4为紫外LED的简图。该器件包括PSS、在较低温度下生长的27nm厚的GaN缓冲层;6μm厚的n-GaN:Si;50nm厚的n-Al0.1Ga0.9N:Si;10nm厚GaN势垒层之间夹层的3nm厚InGaN阱MQW结构, 50nm厚的p-Al0.1Ga0.9N:Mg和100nm厚的p-GaN:Mg。 LED芯片是按照以下方法加工的。首先在p-GaN表面沉积p型Pt/Ag/Ti/Pt/Au/Ti/Au电极。Ag作为强反射极, 然后刻蚀800nm深的局部p-GaN区, 直至n-GaN接触层显露出来。将Ti/Al/Ti/Au/Ti/Au沉积到n-GaN显露层表面以利于欧姆接触。为隔离和保护表面沉积SiO2薄膜, 然后研磨并抛光蓝宝石, 直至其总厚度达到100μm为止。将晶片切割成矩形 (350μm×350μm) 。利用Au-Sn合金将这些LED芯片安装到Si片基上。倒装片式LED安置在铅框架上, 然后经过环氧树脂模制。LEPS紫外LED的电光性质如表1所示。 这些样品在20mA下的峰值波长和半峰全宽值 (FWHM) 分别为382nm和100meV (如图5所示) 。随着电流增加, 仅观察到红移, 这可能是由于电流注入产生的热引起的。在正向电流为20mA时, 这些样品的工作电压约为3.4V。 高效复合的一个原因是由LEPS方法实现了位错密度减小。为了研究在具有图形的标准蓝宝石衬底上生长的GaN外延层的时间分辨光致发光测量效果, 与在标准的蓝宝石衬底上