《数字电子技术》课件——第三章 门电路.pptxVIP

《数字电子技术》 （第六版）教学课件 第三章 门电路补：半导体基础知识 第二章 逻辑代数基础3.0 半导体基础知识3.1 概述3.2 半导体二极管的开关特性3.2.1 二极管的开关特性：3.2.2 二极管与门3.2.3 二极管或门3.3 CMOS门电路3.3.2 CMOS反相器的电路结构和工作原理3.3.3 CMOS反相器的静态输入和输出特性3.3.4 CMOS反相器的动态特性3.4 TTL门电路3.4.2 TTL反相器的电路结构和工作原理3.4.3 TTL反相器的静态输入特性和输出特性3.4.5其他类型的TTL门电路P03P10P12P12P14P17P17P21P24目录 CONTENTSP15P27P27P33P38 半导体基础知识（1）——本征半导体两种载流子本征半导体：纯净的具有晶体结构的半导体。常用：硅Si，锗Ge 半导体基础知识（2）——杂质半导体N型半导体多子：自由电子少子：空穴N型半导体 半导体基础知识（2）——杂质半导体P型半导体多子：空穴少子：自由电子P型半导体 PN结的形成空间电荷区（耗尽层）扩散和漂移半导体基础知识（3） 半导体基础知识（4）PN结的单向导电性外加正向电压 半导体基础知识（4）PN结的单向导电性外加反向电压 半导体基础知识（5）——PN结的伏安特性正向导通区反向截止区反向击穿区K : 波耳兹曼常数T : 热力学温度q : 电子电荷 3.1概述门电路：实现基本运算、复合运算的单元电路，如与门、与非门、或门 ······获得高、低电平的基本原理门电路中以高/低电平表示逻辑状态的1/0门电路中以高/低电平表示逻辑状态的1/0 3.1概述正逻辑：高电平表示1，低电平表示0负逻辑：高电平表示0，低电平表示1 3.2.1二极管的开关特性： 高电平：VIH=VCC 低电平：VIL=0 VI=VIH D截止，VO=VOH=VCCVI=VIL D导通，VO=VOL=0.7V 二极管伏安特性的几种近似方法.二极管的动态电流波形：二极管的动态电流波形： 3.2.2 二极管与门ABY0V0V0.7V0V3V0.7V3V0V0.7V3V3V3.7VABY000010100111设VCC = 5V加到A,B的 VIH=3V VIL=0V二极管导通时 VDF=0.7V规定3V以上为10.7V以下为0 3.2.3 二极管或门ABY0V0V0V0V3V2.3V3V0V2.3V3V3V2.3VABY000011101111设VCC = 5V加到A,B的 VIH=3V VIL=0V二极管导通时 VDF=0.7V规定2.3V以上10V以下为0 二极管构成的门电路的缺点电平有偏移带负载能力差只用于IC内部电路 3.3.2 CMOS反相器的电路结构和工作原理一、电路结构 二、电压、电流传输特性3.3.2 CMOS反相器的电路结构和工作原理 三、输入噪声容限3.3.2 CMOS反相器的电路结构和工作原理 3.3.2 CMOS反相器的电路结构和工作原理结论：可以通过提高VDD来提高噪声容限 3.3.3 CMOS 反相器的静态输入和输出特性一、输入特性 二、输出特性 二、输出特性 3.3.4 CMOS反相器的动态特性一、传输延迟时间 二、交流噪声容限 图中以VNA表示交流 噪声容限，以tW表示 噪声电压的持续时间。 可以看出，噪声电压 作用时间越短，电源 电压越高，则交流噪 声容限越大。三、动态功耗3.3.4 CMOS反相器的动态特性 三、动态功耗3.总的动态功耗 PD=PT+PC 3.4.2 TTL反相器的电路结构和工作原理设： 一、电路结构 二、电压传输特性 二、电压传输特性 二、电压传输特性 需要说明的几个问题：T2的输出VC2和VE2变化方向相反，故称倒相级。输出级在稳态下，T4和T5总有一个导通，一个截止。既能降低功耗又提高了负载能力，称推拉式。D1抑制负向干扰D2保证T2导通时T5可靠地截止 三、输入噪声容限 3.4.3 TTL反相器的静态输入特性和输出特性一.输入特性 驱动 = 负载1.4V::::VIL,IIL=-1mAVIH,IIH=0.04mA 二.输出特性1.高电平输出特性受功能限制，TTL门输出高电平最大负载电流不