圆柱旋转双面矩形磁控溅射靶磁场分布的计算.docxVIP

圆柱旋转双面矩形磁控溅射靶磁场分布的计算 1 磁控水质分析形成的机理 磁控噪声的基本原理是在正交磁体中产生电子，改变磁体的运动方向，束缚和延长电子的运动轨迹，提高电子对气体的电离开开率，并有效利用电子能量。因此在形成高密度等离子体的异常辉光放电中,正离子对靶材轰击所产生的靶材溅射更加有效,同时受到正交电磁场束缚的电子只能在其能量将要耗尽时才能落到基片上,这就是磁控溅射具有“高速”、“低温”两大特点的机理。 磁控溅射与直流二极溅射相比较,区别在于增加正交电磁场对电子的束缚效应。可见在磁控镀膜中,靶的正交电磁场的建立、靶面磁B值的大小及其分布,特别是平行于靶表面的磁场分量B∥是磁控 溅射中的一个极其重要的参数。 圆柱旋转式双面矩形磁铁磁控溅射靶(以下简称圆柱双面矩形靶)是一种较新型的磁控溅射镀膜源。圆柱双面矩形靶从原理上相当于两个平面矩形磁控溅射靶,靶的磁场结构是由若干根长条形永磁体沿靶的轴线方向排列成数列,从而可以产生两个对称分布的细长形封闭跑道。因此靶所具有的性能与平面矩形磁控溅射源基本上相同。它吸收了平面磁控溅射靶的优点,其特点是可以在靶磁场两侧的大面积平面基片上沉积出膜厚均匀的涂层。这样就解决了同轴圆柱形磁控靶由于环状磁场所引起的膜层不够均匀的问题。同时由于这种靶具有较高的磁场强度,因此靶的沉积速率高,溅射效率也高,可在较短的时间内,在较大面积的范围内沉积出膜质优良,膜牢固度高、均匀性好的单质膜、合金膜或反应膜。在设计时,为了提高靶材的利用率,在溅射镀膜过程中,通过设置在靶座上的旋转机构,使靶的圆柱筒形靶材产生匀速的旋转运动,从而可以使靶材利用率提高。 2 疗效评价标准 圆柱双面矩形靶的磁场由4个长条状永磁体(为了加工和装配方便,每条永磁体都由若干短条形永磁体组成)、2个较短的条状永磁体(磁极方向与长条状永磁体相反)和端部封闭用的8个块状永磁体(或作用相当的磁半环)组成。它们在靶材表面建立了两个类似矩形平面溅射靶的跑道式磁场。为了满足设计要求,一般选用磁感应强度B约为0.4 T的条形钕铁硼材料作为永磁体。在镀膜机中,溅射靶接600 V的负电位,基片接地。因此靶具备了电磁场正交和等离子体区域封闭这两个条件,其磁力线E如图1所示。 为了保证靶均匀的刻蚀和稳定的工作,要求靶表面具有强度适当和分布均匀的磁场。圆柱双面矩形靶的横断面结构及溅射刻蚀情况如图2所示。 由图1、图2可知,由于圆柱双面矩形靶的磁铁排列形式与同轴圆柱靶完全不同,所以它的刻蚀沟道是两个细长形跑道式的沟道。在溅射镀膜过程中,只要永磁体的位置不变,则圆筒形靶材上的刻蚀区相对于该磁铁系统的方位是固定的。因此,当圆筒形靶材以适当的转速转动时,即可对靶材进行均匀的刻蚀。装配时,可调整靶磁铁位置,使长环形刻蚀沟道对着基片(使两条较短的条形永磁体正对着基片方向)。 3 永磁体密度k3 图3所示的直角坐标系中,选取一条形永磁体,其磁极面长度为b,宽度为a,则永磁体在p点的磁场强度分量分别为 ΗX=-σ4πμ0{ln[Κ2+ln√Κ22+Κ27]-ln[Κ1+√Κ21+Κ27]-ln[Κ2+√Κ22+Κ26]+[Κ1+√Κ21+Κ26]}(1)ΗY=-σ4πμ0{ln[Κ4+ln√Κ24+Κ29]-ln[Κ3+√Κ23+Κ29]-ln[Κ4+ln√Κ24+Κ28]+[Κ3+√Κ23+Κ28]}(2)ΗΖ=-σ4πμ0{arctgΚ2Κ4Κ5√Κ22+Κ26-arctgΚ2Κ3Κ5√Κ22+Κ27-arctgΚ1Κ4Κ5√Κ21+Κ26+arctgΚ1Κ3Κ5√Κ21+Κ27}(3)HX=?σ4πμ0{ln[K2+lnK22+K27???????√]?ln[K1+K21+K27???????√]?ln[K2+K22+K26???????√]+[K1+K21+K26???????√]}(1)HY=?σ4πμ0{ln[K4+lnK24+K29???????√]?ln[K3+K23+K29???????√]?ln[K4+lnK24+K28???????√]+[K3+K23+K28???????√]}(2)HZ=?σ4πμ0{arctgK2K4K5K22+K26√?arctgK2K3K5K22+K27√?arctgK1K4K5K21+K26√+arctgK1K3K5K21+K27√}(3)式中σ为磁极面的磁荷密度; K1=y0-y-(b/2);K2=y0-y+(b/2);K3=x0-x-(a/2);K4=x0-x+(a/2);K5=Z0-Z;Κ6=√Κ24+Κ25K6=K24+K25???????√;Κ7=√Κ23+Κ25K7=K23+K25???????√;Κ8=√Κ22+Κ25K8=K22+K25???????√;Κ9=√Κ21+Κ25;μ0为真空磁导率;x0、y0、z0为永磁体磁极