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缺陷MgS中量子比特的第一性原理预测.pdfVIP

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  • 2023-12-10 发布于江苏
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缺陷MgS中量子比特的第一性原理预测.pdf

    摘要

    半导体中的点缺陷因在单光子源和量子比特中的大量应用而备受人们关注。

    金刚石中氮空位(NV)中心的成功应用更是激起了广大科研人员的研究兴趣，从

    而出现了大量在其他半导体中寻找类似缺陷的工作。本文通过第一性原理计算，

    系统地研究了宽带隙半导体材料MgS中可能存在的量子比特。

    第一性原理计算结果表明MgS是一种宽带隙半导体材料，其带隙为4.44eV，

    并且MgS的自旋轨道耦合效应(SOC)相当弱，因此MgS可以作为量子比特的

    宿主材料。随后我们在MgS超胞中引入

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