电子行业市场前景及投资研究报告：HBM顶尖工艺，HBM4.pdf

电子

2024年07月16日

行

业电子强于大市（维持评级）

研

究

逐鹿顶尖工艺，HBM4的三国时代——HBM专一年内行业相对大盘走势

题研究二电子沪深300

0.10

投资要点：0.007/179/2712/82/184/307/11

-0.10

➢算力需求澎湃催化HBM技术快速迭代。目前HBM已然成为AI服务-0.20

器、数据中心、汽车驾驶等高性能计算领域的标配，未来其适用市场仍在-0.30

不断拓宽。2024年的HBM需求位元年成长率近200%，2025年可望再翻-0.40

倍。受市场需求催化，当前HBM的开发周期已缩短至一年。针对HBM4，

行各买方也开始启动定制化要求，未来HBM或不再排列在SoC主芯片旁边，

业亦有可能堆叠在SoC主芯片之上。垂直堆叠技术在散热，成本，分工等方

专面也带来了新的挑战。受先进制程技术和资金投入规模的限制，目前，只

题

报有SK海力士、美光和三星有能力生产兼容H100等高性能AI计算系统的

告HBM芯片。23年海力士市场份额为53%，三星市场份额为38%，美光市

场份额为9%。海力士具有先发优势，但三星有望通过其一站式策略抢占市

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➢HBM具有三大堆叠键合工艺：MR-MUF，TC-NCF与混合键合。目2、半导体24H1基本面持续改善，关注中报行情

前只有SK海力士使用MR-MUF先进封装工艺。三星与美光目前采用的为-半导体系列跟踪——2024.07.14

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苏及H2端侧AI机遇——2024.07.12

合技术。在设备端，混合键合设备在单机价值量上为所有固晶机中最高，

行业头部领先优势明显。预计存储领域未来贡献混合键合设备明显增量，

保守预计2026年市场需求量超过200台。混合键合设备国内起步较晚，距

国际领先水平仍有5-6年差距。

➢HBM4技术路线：海力士优势明显，三星/美光发力追赶。根据海力士