模拟电路与项目训练 课件 项目1 集成开关稳压电路的分析与制作.pptx

二极管的结构和分类《模拟电路分析与实践》-系列微课

目录半导体基础知识01PN结02二极管的结构及符号03二极管的分类04

半导体基本知识导体绝缘体半导体半导体——导电能力介于导体和绝缘体之间的物质，常用硅(Si)、锗(Ge)和砷化镓(GaAs)等。半导体特性——热敏性、光敏性、掺杂性

半导体基本知识+4+4+4+4+4+4+4+4+4本征激发现象产生电子空穴对这一现象称为本征激发，也称热激发。

半导体基本知识电子流(带负电)空穴流(带正电)由于本征激发产生的电子空穴对的数目很少，则本征半导体中载流子浓度很低，其导电能力很弱。

杂质半导体1.N型杂质半导体（电子型）多余电子磷原子砷等硅原子多数载流子——自由电子少数载流子——空穴++++++++++++N型半导体施主离子自由电子电子空穴对

杂质半导体2.P型杂质半导体（空穴型）多余空穴硼原子硅原子多数载流子——空穴少数载流子——自由电子受主离子空穴电子空穴对－－－－－－－－－－－－P型半导体

PN结内电场E多子扩散电流少子漂移电流耗尽层动态平衡：扩散电流＝漂移电流总电流＝0

PN结正向电流正向导通状态

PN结反向截止状态PN

二极管的结构及符号外壳阳极阴极阳极引线阴极引线阳极阴极VD

二极管的分类（1）按封装形式塑料封装金属封装玻璃封装

二极管的分类（2）按结构分类点接触型面接触型平面型

二极管的分类（3）按作用场合分类整流管发光管稳压管光敏管贴片二级管

谢谢《模拟电路分析与实践》-系列微课

二极管伏安特性及主要参数《模拟电路分析与实践》-系列微课

目录二极管正向伏安特性01二极管反向伏安特性02温度对特性曲线的影响03二极管的主要参数04

二极管的正向伏安特性uEiVmA硅：0.5V锗：0.1V导通压降死区电压锗硅：0.7V锗：0.3V硅

二极管的反向伏安特性uEiVuA反向饱和电流击穿电压UBR硅锗

二极管的伏安特性1.正向特性?当正向电压较小时,正向电流极小（几乎为零）,这一部分称为,相应的A(A′)点的电压称为电压或门槛电压(也称阈值电压),硅管约为V,锗管约为V,如图中OA(OA′)段。当正向电压超过门槛电压时,正向电流就会急剧地增大,二极管呈现很电阻而处于导通状态。这时硅管的正向导通压降约为V,锗管约为V,如图中AB(A′B′)段。死区死区0.50.1小0.70.3

二极管的伏安特性2.反向特性?二极管两端加上反向电压时,在开始很大范围内,二极管相当于非常的电阻,反向电流很,且反向电压而变化，此时的电流称之为IR,见图中OC（OC’）段。由伏安特性看出,当反向电压超过UBR后稍有增加时,反向电流急剧增加,这种现象称为，UBR称为。大不随反向饱和电流击穿电压反向击穿小

温度对特性曲线的影响3.温度对特性的影响左减小下温度升高时，二极管正向特性曲线向移动,正向压降;反向特性曲线向移动,反向电流。增大

二极管的主要参数1.最大整流电流：二极管允许通过的最大正向平均电流。超过此电流,二极管将可能因过热而烧毁。

二极管的主要参数2.最大反向工作电压：二极管允许的最大工作电压。当反向电压超过此值时，二极管可能被击穿。

二极管的主要参数3.反向饱和电流：二极管未击穿时的反向电流值。

二极管的主要参数4.正向峰值浪涌电流：正向浪涌电流承受能力。

谢谢《模拟电路分析与实践》-系列微课

含二极管电路的分析《模拟电路分析与实践》-系列微课

目录二极管等效模型01整流电路分析02单向限幅电路分析03电平选择电路分析04

二极管等效模型理想模型恒压降模型折线模型

整流电路分析

单向限幅电路分析

电平选择电路分析

例题讲解例试分析下列几种情况下二极管的工作状态及输出端F的电位VF。设二极管正向压降为0.7V。（1）VA=VB=0V（2）VA=0V，VB=3V（3）VA=3V，VB=0V（4）VA=VB=3V

例题讲解解A点电位（V）B点电位（V）VD1二极管状态VD2二极管状态F点电位（V）00截止截止003截止导通2.330导通截止2.333导通导通2.3

谢谢《模拟电路分析与实践》-系列微课

特殊类型二极管—稳压二极管《模拟电路分析与实践》-系列微课

目