第一章半导体中的电子状态之晶格结构和结合性质-.ppt

SemiconductorPhysics**固体结构非晶体多晶单晶SemiconductorPhysics**★原子结合成晶体原子:在孤立原子中,束缚电子处于分立的能级晶体:大量原子按一定的晶格结构形成晶体—原子结合成晶体?价电子运动状态--电子共有化运动内层电子共有化微弱，因此内层与孤立原子中的比较接近?(价)电子能量状态--能级分裂成能带(准连续)SemiconductorPhysics**电子由一个原子转移到相邻的原子去,因而,电子将可以在整个晶体中运动。SemiconductorPhysics**3s(2N个状态)3p(6N个状态)4N个状态4N个状态SemiconductorPhysics**图1-7、原子能级对应分裂为能带的示意图SemiconductorPhysics**图1-8金刚石、硅、锗晶体的能带结构IV元素的每个原子包含4个价电子（2个S电子和2个P电子）上述两个能带不能与单个原子中的S和P能级对应，而是上下两个能带中均包含2N个能级，根据泡利不相容原理，每个能带可以容纳4N个电子，而晶体中只有4N个价电子，因此在常规情况下，这4N个电子将优先填充低能级（价带）。上部空的能级成为导带。SemiconductorPhysics**能带成因当N个原子彼此靠近时，根据不相容原理，原来分属于N个原子的相同的价电子能级必然分裂成属于整个晶体的N个能量稍有差别的能带。SemiconductorPhysics**SemiconductorPhysics**SemiconductorPhysics**能带特点分裂的每一个能带称为允带，允带间的能量范围称为禁带内层原子受到的束缚强，共有化运动弱，能级分裂小，能带窄；外层原子受束缚弱，共有化运动强，能级分裂明显，能带宽。SemiconductorPhysics**以金刚石结构单晶硅材料为例能级sp3杂化后，硅原子最外层有四个能量状态；若晶体中有N个原子，能级分裂后形成两个能带，各包含2N各状态。能量高的能带有2N个状态，全空，称为导带；能量低的能带有2N个状态，全满，成为满带或价带。SemiconductorPhysics**硅的能级分裂谢谢！SemiconductorPhysics中国科学技术大学物理系SemiconductorPhysicsSemiconductorPhysics**第一章半导体中的电子状态§1常见半导体的晶格结构和结合性质§2能带论的主要结果§3半导体中电子的运动及其描述§4重要半导体的能带结构§5半导体中的杂质能级SemiconductorPhysics**第一章半导体中的电子状态半导体的特殊物理性质，与半导体中电子的状态和电子的运动特点密切相关。晶态半导体的周期阵列特性——单电子近似法（每个电子在原子核周期势场和其他电子产生的平均势场中运动）——能带理论SemiconductorPhysics**§1常见半导体的晶格结构和结合性质1元素半导体2化合物半导体★元素半导体?Ⅳ族元素★化合物半导体?Ⅲ-Ⅴ族化合物(Al,Ga,In/P,As,Sb)?Ⅱ-Ⅵ族化合物(Zn,Cd,Hg/O,S,Se,Te)SemiconductorPhysics**SemiconductorPhysics**1金刚石结构2闪锌矿结构（正四面体，正方对称）3纤锌矿结构（正四面体，六方对称）SemiconductorPhysics**1金刚石结构IV族（原子最外层有4个价电子）半导体单晶的主要结构共价键结合（SP3杂化轨道）键夹角109°28′2闪锌矿结构（正四面体，正方对称）化合物半导体，例如III-V族半导体的主要结构共价—离子键结合（SP3杂化轨道），共价键占优势[111]方向可以看成两种原子层的交替堆垛；SemiconductorPhysics**3纤锌矿结构（正四面体，六方对称）化合物半导体，例如II-VI族半导体的主要结构共价—离子键结合，离子键占优势双原子层沿[001]方向堆垛；4氯化钠结构IV-VI族化合物半导体，例如硫化铅、硒化铅、碲化铅SemiconductorPhysics**晶格